CIP-2021 : C23C 14/32 : por explosión; por evaporación seguida de una ionización de vapores (C23C 14/34 - C23C 14/48 tienen prioridad).

CIP-2021CC23C23CC23C 14/00C23C 14/32[3] › por explosión; por evaporación seguida de una ionización de vapores (C23C 14/34 - C23C 14/48 tienen prioridad).

Notas[t] desde C21 hasta C30: METALURGIA

C QUIMICA; METALURGIA.

C23 REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO QUIMICO DE LA SUPERFICIE; TRATAMIENTO DE DIFUSION DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL; MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS, LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL.

C23C REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO DE MATERIALES METALICOS POR DIFUSION EN LA SUPERFICIE, POR CONVERSION QUIMICA O SUSTITUCION; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL (fabricación de productos revestidos de metal por extrusión B21C 23/22; revestimiento metálico por unión de objetos con capas preexistentes, ver las clases apropiadas, p. ej. B21D 39/00, B23K; metalización del vidrio C03C; metalización de piedras artificiales, cerámicas o piedras naturales C04B 41/00; esmaltado o vidriado de metales C23D; tratamiento de superficies metálicas o revestimiento de metales mediante electrolisis o electroforesis C25D; crecimiento de monocristales C30B; mediante metalización de textiles D06M 11/83; decoración de textiles por metalización localizada D06Q 1/04).

C23C 14/00 Revestimiento por evaporación en vacío, pulverización catódica o implantación de iones del material que constituye el revestimiento.

C23C 14/32 · · · por explosión; por evaporación seguida de una ionización de vapores (C23C 14/34 - C23C 14/48 tienen prioridad).

CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.

UNA PELICULA DURA PARA HERRAMIENTAS DE CORTE.

(16/05/2007). Solicitante/s: KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO. Inventor/es: YAMAMOTO, KENJI, KOBE CORPORATE RESEARCH LAB., SATOU, TOSHIKI, KOBE CORPORATE RESEARCH LAB., MORIKAWA, YASUOMI, KOBE CORPORATE RESEARCH LAB., HANAGURI, KOJI, TAKASAGO WORKS IN, TAKAHARA, KAZUKI, TAKASAGO WORKS IN.

Una película dura para herramientas de corte que se compone de (Ti1-a-b-c-d, Ala, Crb, Sic, Bd)(C1-eNe) 0, 5 = a = 0, 8, 0, 06 = b, 0 = c = 0, 1, 0 = d = 0, 1, 0, 01 = c+d = 0, 1, a+b+c+d < 1, 0, 5 = e = 1 (donde a, b, c, y d denotan respectivamente las relacio- nes atómicas de Al, Cr, Si, y B, y e denota la relación atómica de N).

HERRAMIENTA DE ALEACION DE CARBURO RECUBIERTO EN SUPERFICIE.

(16/05/2006) Herramienta para cortar hecha de una aleación de carburo recubierto en superficie, teniendo una capa de recubrimiento resistente al desgaste una excelente adhesión, que comprende: un sustrato de aleación de carburo basado en carburo de tungsteno que tiene una capa amorfa formada por un tratamiento de superficie de recubrimiento iónico por arco en una profundidad promedio de 1 a 50 nm como capa más exterior de la superficie del sustrato; y una capa de recubrimiento resistente al desgaste depositada químicamente y/o físicamente en la superficie del sustrato de aleación de carburo basado en carburo de tungsteno, en la que la capa de recubrimiento resistente al desgaste comprende una capa o una pluralidad de dos o más capas, seleccionadas del grupo que consiste en una capa de carburo…

PROCEDIMIENTO PARA EL TRATAMIENTO DE UN SUSTRATO.

(01/07/2005). Ver ilustración. Solicitante/s: SWISS-PLAS.COM AG GABRIEL, HERBERT M. Inventor/es: CURTINS, HERMANN.

Procedimiento para atacar un substrato en un dispositivo de evaporación por arco voltaico , en el que fluye una corriente de arco voltaico de fuerza I dentro de un espacio en el que se ha hecho el vacío entre un ánodo y un blanco compuesto de metal que actúa como cátodo para evaporar material del blanco y generar una densidad iónica metálica, caracterizado porque la densidad iónica metálica por blanco eficaz para el tratamiento del substrato se regula por medio de la cobertura al menos parcial del blanco, teniendo lugar un cambio de la densidad iónica metálica por blanco de tal forma que tiene lugar una reducción aparente de la intensidad de corriente de arco voltaico en un valor bajo el cual fluye una corriente de arco voltaico inestable entre el ánodo y el cátodo.

DISPOSICION DE ELECTRODOS.

(16/06/2004). Solicitante/s: APPLIED FILMS GMBH & CO. KG. Inventor/es: GEBELE, THOMAS, HENRICH, JURGEN, BANGERT, STEFAN, BUDKE, ELISABETH, DR., GRIMM, HELMUT, DR., HONEKAMP, JURGEN, ULRICH, JURGEN.

Disposición de electrodos para el recubrimiento con un plasma de un substrato con una capa de material, que comprende al menos un primer y un segundo componente del material, al mismo tiempo, que para generar una descarga de plasma, en especial una descarga de arco, se prevén una disposición de ánodo, que suministra el primer componente del material en un superficie de material de ánodo para su vaporización y una disposición de cátodo, que suministra el segundo componente de material en una superficie del material de cátodo, caracterizada porque la superficie del material de cátodo está formada por una parte con actividad de vaporización, que sustenta la descarga de plasma, y por una parte sin actividad de vaporización, que no sustenta la descarga de plasma.

RECIPIENTES CON SUPERFICIE INTERIOR INERTE O IMPERMEABLE POR DEPOSITO, ASISTIDO CON PLASMA, DE UNA SUSTANCIA PRINCIPALMENTE INORGANICA.

(16/12/2001) LA DEPOSICION AYUDADA CON PLASMA DE UN REVESTIMIENTO SUPERFICIAL INTERIOR MUY FINO DENTRO DE UN ENVASE DE PLASTICO O DE METAL SE CONSIGUE UTILIZANDO SUBSTANCIAS INORGANICAS, INERTES, INSOLUBLES, TALES COMO SILICE, U OXIDOS DE METAL INSOLUBLES, O UTILIZANDO MEZCLAS DE SUBSTANCIAS, POR EJEMPLO DE METALES, OXIDOS DE METAL, SALES DE METAL Y RADICALES DE CARBONO Y/O ORGANICOS. DE MANERA QUE SE FORMA UNA CELOSIA O ESTRUCTURA FLEXIBLE, UTILIZANDO DIFERENTES CAPAS DE TALES ESTRUCTURAS. ESTO COMPRENDE LA COLOCACION DEL ENVASE EN UN CERRAMIENTO EN EL QUE SE HA OBTENIDO EL VACIO, LA COLOCACION DE UN VAPORIZADOR QUE CONTENGA EL MATERIAL INORGANICO, INERTE DE UNA CONSTITUCION PREDETERMINADA DENTRO DEL ENVASE, LA GENERACION DE UN VAPOR DE DICHO MATERIAL, LA FORMACION DE UN PLASMA DE DICHO VAPOR, LA DEPOSICION…

REVESTIMIENTO DE MATERIAL DURO CON ITRIO Y METODO PARA SU DEPOSICION.

(01/04/2001). Solicitante/s: HAUZER INDUSTRIES B.V. Inventor/es: MUNZ, WOLF-DIETER, SMITH, IAN, DONOHUE, LEE, ADRIAN, BROOKS, JOHN, STUART.

SE PROPONEN CAPAS DE MATERIAL DURO TERNARIO A LAS QUE SE AÑADE UNA PEQUEÑA PROPORCION DE ITRIO CON EL PROPOSITO DE AUMENTAR LA RESISTENCIA AL DESGASTE A ALTAS TEMPERATURAS.

DEPOSITO DE DIOXIDO DE SILICIO POR UN PROCEDIMIENTO DE EVAPORACION ACTIVADA CON PLASMA.

(01/11/2000). Ver ilustración. Solicitante/s: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Inventor/es: IACOVANGELO, CHARLES DOMINIC.

LA INVENCION SE REFIERE A UN PROCESO DE DEPOSICION REACTIVA ACTIVADO POR PLASMA, UTILIZADO PARA DEPOSITAR REVESTIMIENTOS DE DIOXIDO DE SILICIO RESISTENTES A LA RAYADURA, SOBRE DIVERSOS SUSTRATOS. DICHO PROCEDIMIENTO CONSISTE EN EVAPORAR SILICIO U OXIDO DE SILICIO HACIA EL INTERIOR DE UN PLASMA DE OXIDO NITROSO Y ARGON, EL CUAL SE DIRIGE HACIA LA SUPERFICIE A REVESTIR.

INSTALACION DE RECUBRIMIENTO EN VACIO CON UNA CAMARA DE RECUBRIMIENTO Y AL MENOS UNA CAMARA DE ALIMENTACION.

(16/05/2000) LA INVENCION TRATA DE UN DISPOSITIVO EN PARTICULAR PARA UN EVAPORADOR DE DESCARGA EN ARCO DE VACIO INDUCIDO POR LASER PARA DEPOSITAR MULTIPLES CAPAS CON ELEVADA PUREZA Y ELEVADAS TASAS DE DEPOSICION SOBRE PIEZAS DE GRAN TAMAÑO. DE ACUERDO CON LA INVENCION SE ENCUENTRA LA ALIMENTACION DEL MATERIAL PARA EL MATERIAL DE RECUBRIMIENTO EN UNA CAMARA DE ALIMENTACION, QUE SE PUEDE SEPARAR Y SE PUEDE DEJAR AL VACIO DE MANERA ESTANCA CON RESPECTO A LA CAMARA DE RECUBRIMIENTO, EN LA CUAL SE ENCUENTRA SITUADO EL SUSTRATO QUE SE VA A RECUBRIR. EL EVAPORADOR PUEDE, EN PARTICULAR, UTILIZARSE PARA LA DEPOSICION DE CAPAS DE CARBONO AMORFO QUE NO LLEVAN HIDROGENO Y…

PROCEDIMIENTO PVD PARA LA DEPOSICION DE CAPAS DE MATERIAL DURO DE VARIOS COMPONENTES.

(01/03/2000). Solicitante/s: HAUZER HOLDING B.V. Inventor/es: MUNZ, WOLF-DIETER, TRINH, THUAN-THON, HURKMANS, ANTONIUS PETRUS ARNOLDUS.

SE DESCRIBE UN PROCESO DE RECUBRIMIENTO PVD, DONDE SE ELABORAN CAPAS DE SUSTANCIAS ENDURECIDAS, COMPUESTAS DE NITRUROS O CARBONITRUROS DE LOS METALES TI, ZR, HF O DE ALEACIONES DE TIAL, ZRAL, HFAL, TIZR, TIZRAL, CON UN MAGNETRON (UBM) NO EQUILIBRADO. DURANTE UN ESPACIO DE TIEMPO DETERMINADO DEL PROCESO DE RECUBRIMIENTO SE SEPARA EL MATERIAL DE RECUBRIMIENTO ADICIONAL A PARTIR DE UNA EVAPORACION (KBE) DE DESCARGA DE ARCO CATODICO SOBRE LOS SUBSTRATOS A SER RECUBIERTOS.

INSTALACION DE RECUBRIMIENTO POR VACIO CON UN CRISOL SITUADO EN LA CAMARA DE VACIO PARA EL ALOJAMIENTO DE MATERIAL A VAPORIZAR.

(01/08/1999). Solicitante/s: BALZERS UND LEYBOLD DEUTSCHLAND HOLDING AG. Inventor/es: SZCZYRBOWSKI, JOACHIM, DR., TESCHNER, GOTZ, ZOLLER, ALFONS.

EN UNA INSTALACION DE RECUBRIMIENTO POR VACIO CON UN CRISOL COLOCADO EN LA CAMARA DE VACIO PARA EL MATERIAL QUE SE EVAPORA, POR EJEMPLO SIO{SUB,2}, Y CON UNA FUENTE DE RADIACION ELECTRONICA QUE EVAPORA EL MATERIAL Y CON UNOS SUSTRATOS (7, 7{SUP,'}, ...) MANTENIDOS A DISTANCIA DEL CRISOL , POR EJEMPLO LENTES OPTICAS, SE DISPONE A AMBOS LADOS DE UNA LINEA DE UNION (L) ENTRE EL CRISOL Y EL SOPORTE DE SUSTRATO UNA UNIDAD , EN LAS QUE SE DISPONE EN CADA UNO UN CATODO MAGNETRONICO UNIDO CON UNA FUENTE DE FRECUENCIA MEDIA , ESTANDO UNIDA CADA UNA DE LAS UNIDADES MEDIANTE UNA HENDIDURA, ORIFICIO O CANAL (21, 22 O 27, 28) CON LA ZONA O LUGAR DEL PROCESO QUE ESTA ENTRE EL SUSTRATO (7, 7{SUP,'}, ...) Y EL CRISOL, ESTANDO AMBAS PIEZAS UNIDAS ENTRE SI , MEDIANTE CONDUCCIONES DE PRESION A UNA FUENTE DEL GAS DEL PROCESO.

HOJA DE AFEITAR Y PROCEDIMIENTO PARA FABRICAR UNA HOJA DE AFEITAR.

(01/10/1998). Solicitante/s: THE GILLETTE COMPANY. Inventor/es: PARENT, C. ROBERT, HAHN, STEVE, SYNG-HI, MADEIRA, JOHN, CHOU, CHONG-PING, PETER, BROOKS, LAMAR, EUGENE.

UNA CUCHILLA DE AFEITAR QUE INCLUYE UN SUSTRATO CON UN FILO EN FORMA DE CUÑA A UNA DISTANCIA DE CUARENTA MICROMETROS DESDE LA PUNTA AFILADA Y UNA CAPA DE DIAMANTE O DE UN MATERIAL PARECIDO AL DIAMANTE DEFINIDA POR UNAS FACETAS QUE TIENEN UN ANGULO COMPRENDIDO MENOR DE DIECISIETE GRADOS QUE TIENE UN GROSOR DE LA MENOS MIL DOSCIENTOS ANGSTROMS DESDE LA PUNTA AFILADA DE DICHO SUSTRATO A UNA DISTANCIA DE CUARENTA MICROMETROS DESDE LA PUNTA AFILADA Y UNA PUNTA COMPRENDIDA DEFINIDA POR LAS FACETAS QUE TIENEN UNAS LONGITUDES DE AL MENOS 0,1 MICROMETROS APROXIMADAMENTE Y QUE DEFINEN UN ANGULO COMPRENDIDO DE AL MENOS SESENTA GRADOS Y QUE DEFINE UN RADIO DE LA PUNTA MENOR DE 400 ANGSTROMS APROXIMADAMENTE, UN PROPORCION DIMENSIONAL SEGUN UNA RELACION DE 1:1 A 3:1, UNA DUREZA DE AL MENOS TRECE GIGAPASCALES Y UNA FUERZA CORTADORA DEL FIELTRO DE LANA HUMEDO L5 MENOR DE 0,8 KILOGRAMOS.

PROCEDIMIENTO PARA RECUBRIR EN VARIAS ETAPAS SUBSTRATOS.

(16/03/1998). Solicitante/s: HAUZER TECHNO COATING EUROPE BV. Inventor/es: MUNZ, WOLF-DIETER.

SE DESCRIBE UN PROCEDIMIENTO PARA RECUBRIR EN VARIAS ETAPA A SUBSTRATOS, PARA EL PRETRATAMIENTO DEL SUBSTRATO SE EMPLEA UNA TARJETA EN VAPOR METALICO DE PLASMA DE DESCARGA POR ARCO QUE CONSISTE COMPLETAMENTE EN UN COMPONENTE DE PUNTO DE FUSION ELEVADO DE UN MATERIAL DE LA TARJETA EN DOS FASES, MIENTRAS EL RECUBRIMIENTO POSTERIOR SE EFECTUA MEDIANTE PULVERIZACION DEL CATODO CON EL MATERIAL DE LA TARJETA DE DOS FASES.

REVESTIMIENTO DE LA SUPERFICIE DE UN SUBSTRATO CON UNA BARRERA IMPERMEABLE.

(16/06/1997). Solicitante/s: ALUSUISSE TECHNOLOGY & MANAGEMENT AG. Inventor/es: LOHWASSER, WOLFGANG.

UNA SUPERFICIE DE UN SUBSTRATO , ES RECUBIERTA CON UNA BARRERA IMPERMEABLE, A PARTIR DE UN MATERIAL ORGANICO , EL CUAL EN UNA CAMARA AL VACIO , CON UN VACIO AL MENOS DE 10-3 MBAR, ES EVAPORADO EN UN CRISOL Y ES PRECIPITADO SOBRE LA SUPERFICIE DEL SUBSTRATO. AL MISMO TIEMPO ES CONDUCIDO UN HAZ DE ELECTRONES IONIZADORES DE BAJA ENERGIA, CON FORMACION DE UN PLASMA, POR MEDIO DE LA FASE GASEOSA DE UN MATERIAL INORGANICO , PREFERENTEMENTE EN DIRECCION CASI PARALELA RESPECTO A LA SUPERFICIE DEL SUBSTRATO . ENTRE EL CRISOL Y EL SOPORTE DEL SUBSTRATO , SE HA DISPUESTO AL MENOS UN CAÑON DE HACES ELECTRONICOS DE BAJA TENSION , CON EL ANODO CORRESPONDIENTE EN LA CAMARA DE VACIO . LA UTILIZACION PRINCIPAL SE ENCUENTRA EN EL RECUBRIMIENTO DE LAMINAS SINTETICAS PARA LA INDUSTRIA DE EMBALAJES.

DISPOSITIVO Y PROCESO PARA LA EVAPORACION DE MATERIAL EN VACIO, DISPOSICION DE ARCO DE PLASMA ASI COMO UTILIZACION DEL PROCESO.

(01/03/1997). Solicitante/s: BALZERS AKTIENGESELLSCHAFT. Inventor/es: BERGMANN, ERICH, DR., RUDIGIER, HELMUT, DR.

EL OBJETIVO DE ESTA INVENCION ES LLEGAR A PRODUCIR LA INFLAMACION EN UN ARCO DE EVAPORACION, DE AL MENOS MATERIAL FUNDIDO EN SU SUPERFICIE COMO CONSECUENCIA DE LA EVAPORACION, ASI COMO SU ESTABILIZACION Y SU CONTROL. PARA ELLO SE PREVEE DE UN CAÑON DE RADIACION ELECTRONICA O DE UN LASER, PARA LA GENERACION DE UNA NUBE DE VAPOR LOCAL O UNAS MANCHAS DE MATERIAL PREFUNDIDO SOBRE LA SUPERFICIE OBJETO, Y CON ELLO PRODUCIR LA INFLAMACION DE MANCHA DE ARCO O RESPECTIVAMENTE SU CONTROL.

EQUIPO DE REVESTIMIENTO POR ARCO VOLTAICO CON ANODO DE IONIZACION ADICIONAL.

(01/12/1995). Solicitante/s: METAPLAS OBERFLACHENVEREDELUNGSTECHNIK GMBH. Inventor/es: VETTER, JORG, DR., SCHMIDT-MAUER, MANFRED, MATENTZOGLU NIKOLAUS.

LOS EQUIPOS DE REVESTIMIENTO DE PVD CONOCIDOS, QUE TRABAJAN CON UNO O VARIOS ARCOS VOLTAICOS, SE HAN MODIFICADO EN EL SENTIDO DE QUE SE DISPONE EN LA CAMARA DE REVESTIMIENTO UN ANODO ADICIONAL, QUE ES MANTENIDO A UNA TENSION DE UNA FUENTE DE ALIMENTACION ESPECIAL, SIENDO MAS ALTA QUE CON LA QUE TRABAJAN LOS EVAPORADORES . DURANTE LA FASE DEL PROCESO QUE SIRVE PARA EL CALENTAMIENTO Y LIMPIEZA DE LAS PARTES A REVESTIR , ANTERIOR AL PROPIO REVESTIMIENTO, SE APANTALLAN ADEMAS LOS EVAPORADORES MEDIANTE PANTALLAS MOVILES DE TAL MODO, QUE SE IMPIDE EL CRECIMIENTO DE CAPAS PARASITARIAS DE UNA COMPOSICION CONOCIDA INEXACTA SOBRE LAS PARTES Y EL PERJUICIO DE LA CALIDAD DEL REVESTIMIENTO, ES EVITADO POR MEDIO DE LAS GOTITAS PRECIPITADAS POR LOS CATODOS . LA LIMPIEZA Y CALENTAMIENTO DE LAS PARTES SE REALIZA POR BOMBARDEO DE IONES DE GAS, LOS CUALES SON GENERADOS MEDIANTE EL SEGUNDO ANODO POR LA SUCCION DE ELECTRODOS DEL PLASMA DE LA DESCARGA DEL ARCO VOLTAICO.

PROCEDIMIENTO PARA EL RECUBRIMIENTO DE SUBSTRATOS.

(01/02/1995) DISPOSITIVO (FIGURA 2) PARA EL RECUBRIMIENTO DE SUBSTRATOS (31, 31', ...) EN UNA CAMARA DE VACIO CON UN PORTASUBSTRATOS ALOJADO EN ELLA, CON UN DISPOSITIVO PARA GENERAR UNA NUBE DE PLASMA Y CON IMANES , QUE DESVIAN LA NUBE DE PLASMA HACIA LA SUPERFICIE DE LOS SUBSTRATOS (31, 31', ...). EL DISPOSITIVO PARA GENERAR LA NUBE DE PLASMA POSEE UN EMISOR DE ELECTRONES CON UN ANODO TUBULAR SITUADO DETRAS PROVISTO DE UNA ENTRADA PARA EL GAS DE PROCESO PARA LA IGNICION DEL PLASMA. PARA LA ORIENTACION Y LA CONDUCCION DEL PLASMA A TRAVES DEL ANODO TUBULAR HACIA LA CAMARA DE PROCESO SE PREVEN IMANES . EN LA…

PROCEDIMIENTO PARA LA FABRICACION DE CAPAS DE OXIDO FISIOLOGICO TOLERANTE SOBRE ESTRUCTURA IMPLANTADA.

(16/10/1994). Solicitante/s: O.M.T. OBERFLACHEN UND MATERIALTECHNOLOGIE GMBH. Inventor/es: REPENNING, DETLEV, DR., THULL, ROGER, PROF. DR. ING.

SE PRESENTA UN PROCEDIMIENTO PARA LA FABRICACION DE CAPAS DE OXIDO FISIOLOGICO TOLERANTE A PARTIR DE ESTRUCTURA IMPLANTADA (SUSTRATO) DE METAL O ALEACIONES METALICAS. LAS CAPAS DE OXIDO SON DISPUESTAS MEDIANTE UN RECUBRIMIENTO DE PLACAS CON SISTEMA DE ALTO VACIO DE PLASMA SOBRE UN SUSTRATO, DONDE EL OXIDO SIRVE COMO OXIDO DE POBRE REFRACCION PARA LA FABRICACION DE CAPAS DE OXIDO.

DISPOSITIVO Y PROCEDIMIENTO PARA RECUBRIR PIEZAS HERRAMIENTAS MEDIANTE DESCARGAS POR ARCO VOLTAICO.

(01/08/1994). Solicitante/s: NISHIBORI, MINEO, DR. Inventor/es: NISHIBORI, MINEO, DR.

EL INVENTO SE REFIERE A UN DISPOSITIVO DE CALENTAMIENTO, QUE SE LOCALIZA EN UNA CAMARA DE VACIO Y CALIENTA LA PIEZA HERRAMIENTA A UNA TEMPERATURA ENTRE 0,3 Y 0,5% INFERIOR A LA TEMPERATURA DE FUSION DEL MATERIAL CATODICO, PARA MEJORAR EL RECUBRIMIENTO DE PIEZAS HERRAMIENTAS MEDIANTE PULVERIZACION CATODICA EN VACIO QUE CONSISTE EN DEPOSITAR GOTAS DE MATERIAL CATODICO EN UNA PIEZA HERRAMIENTA.

PROCEDIMIENTO PARA LA GENERACION DE CAPAS DE MODIFICACIONES DE CARBONO DURO Y DISPOSITIVO PARA LA REALIZACION DEL PROCEDIMIENTO.

(16/05/1994). Solicitante/s: FRIED. KRUPP AG HOESCH-KRUPP. Inventor/es: SCHLUMP, WOLFGANG, DR.RER.NAT., BUCK, VOLKER, PROF. DR., WILLBRAND, JURGEN, DIPL.-CHEM.

PROCEDIMIENTO PARA LA GENERACION DE CAPAS DE MODIFICACIONES DE CARBONO DURO Y DISPOSITIVO PARA LA REALIZACION DEL PROCEDIMIENTO. LA INVENCION SE REFIERE A UN PROCEDIMIENTO Y A UN DISPOSITIVO PARA LA GENERACION ESPECIALMENTE TAMBIEN DE CAPAS DE DIAMANTE EMPLEANDO UN MEDIO QUE CONTIENE CARBONO POR MEDIO DE UN ARCO DE LUZ DE CORRIENTE CONTINUA, ENCENDIDO BAJO VACIO ENTRE DOS ELECTRODOS, AL QUE SE CONDUCE HIDROGENO. PARA LA MEJORA DE LA RENTABILIDAD DE UN PROCEDIMIENTO DE ESTE TIPO O BIEN DE UN DISPOSITIVO DE ESTE TIPO SE PRESENTA LA PROPUESTA DE INTRODUCIR EL HIDROGENO DIRECTAMENTE A TRAVES DE AL MENOS UNO DE LOS DOS ELECTRODOS (7 U 8) Y HACER ALIMENTAR EL ARCO DE LUZ, A DISTANCIA ENTRE ELECTRODOS REGULABLE POSTERIORMENTE, POR EL ANODO QUE ACTUA COMO FUENTE DE CARBONO.

RECUBRIMIENTO PVD. PROCEDIMIENTO PARA SU APLICACION.

(16/01/1994). Solicitante/s: LEYENDECKER, TONI, DR.-ING. Inventor/es: ESSER, STEFAN, LEYENDECKER, TONI, DR. ING., LEMMER, OLIVER.

EL INVENTO SE REFIERE A UN RECUBRIMIENTO PVBD O RECUBRIMIENTO -CVD-PLASMA ASI COMO UN PROCEDIMIENTO EN SU APLICACION EN UNA HERRAMIENTA. EN UN SISTEMA DE SUSTANCIAS ENDURECEDORAS CON DOS COMPONENTES METALICOS SE ORIGINA EN LA ZONA DE LOS CANTOS DE LAS HERRAMIENTAS UNA DIFERENCIA DE HOMOGENEIDAD DE LA COMPOSICION PARA MEJORAR LA ADHERENCIA QUE REPERCUTE VENTAJOSAMENTE SOBRE EL TIEMPO DE PARADA DE UNA HERRAMIENTA, AUNQUE NO SE PRESENTE LA COMPOSICION IDEAL EN LA ZONA DEL CANTO.

APARATO Y PROCESO PARA LA DEPOSICION DE UN LECHO FINO SOBRE UN SUSTRATO TRANSPARENTE, EN PARTICULAR, PARA LA MANUFACTURA DE HOJAS DE VIDRIO.

(01/11/1993). Solicitante/s: SOCIETA' ITALIANA VETRO- SIV-SPA. Inventor/es: MASSARELLI, LIBERTO, SEBASTIANO, FRANCESCO.

UN APARATO QUE COMPRENDE PLATOS CATODICOS ASI SITUADOS COMO PARA FORMAR LAS PAREDES DE UN PARALELEPIPEDO RECTANGULAR, CAPAZ DE PRODUCIR UN DESTELLANTE ATOMO PARA LA FORMACION DE UN LECHO FINO DEPOSITADO SOBRE UN SUSTRATO Y SIMULTANEAMENTE UN ION DESTELLANTE PARA EL BOMBEO DEL LECHO DURANTE SU FORMACION. EL PROCESO PARA LA DEPOSICION TAMBIEN SE DESCRIBE. LOS LECHOS FINOS PUEDEN FORMARSE SOBRE SUSTRATOS TRANSPARENTES DE GRAN TAMAÑO, PARA UTILIZARSE COMO HOJAS DE VIDRIO PARA EDIFICIOS Y VEHICULOS.

PROCEDIMIENTO Y DISPOSITIVO PARA LA METALIZACION DE REFLECTORES Y REFLECTORES OBTENIDOS POR ESTE PROCEDIMIENTO.

(16/02/1990). Ver ilustración. Solicitante/s: CIBIE PROJECTEURS. Inventor/es: BOSMANS, RICHARD, REMOND, CHRISTIAN.

PROCEDIMIENTO Y DISPOSITIVO PARA LA METALIZACION DE REFLECTORES, Y REFLECTORES OBTENIDOS POR ESTE PROCEDIMIENTO. EL DISPOSITIVO DE METALIZACION DE REFLECTORES ESTA CONSTITUIDO POR UN TUBO CUYA ENTRADA RECIBE UNA MEZCLA GASEOSA PROCEDENTE DE BOTELLAS QUE ES EXCITADA DENTRO DEL TUBO EN UN PLASMA, POR INTERMEDIO DE UN EXCITADOR DE MICROONDAS . LAS ESPECIES GASEOSAS ASI GENERADAS SON VEHICULADAS AL RECINTO GRACIAS A UN BOMBEADO PRIMARIO DESPUES DEL CUAL SE REALIZA UN BOMBEADO SECUNDARIO PARA METALIZAR LA SUPERFICIE DE LOS REFLECTORES TRATADOS, POR VAPORIZACION DE ALUMINIO MEDIANTE UN FILAMENTO DE TUNGSTENO ALIMENTADO POR UNA FUENTE ELECTRICA . SE EVITA LA DEGRADACION DE LOS MATERIALES PLASTICOS DEBIDO A RADIACIONES ULTRAVIOLETAS PRESENTES EN LOS PROCEDIMIENTOS CONOCIDOS.

UN PROCEDIMIENTO DE DEPOSICION DE VAPOR POR UN ARCO ELECTRICO.

(01/03/1988). Solicitante/s: ANDAL CORPORATION.

PROCEDIMIENTO DE DEPOSICION DE VAPOR POR UN ARCO ELECTRICO PARA REALIZAR LA DEPOSICION EN VAPOR SOBRE SUSTRATOS DENTRO DE UNA CAMARA DE DEPOSICION. SE DEBE EVACUAR LA CAMARA Y ESTABLECER UNA PRIMERA DIFERENCIA DE TENSION, UNA TRAYECTORIA DE RETORNO ELECTRICO Y UN ARCO ELECTRICO ENTRE EL ANODO Y EL CATODO FUENTE DE MATERIAL DE REVESTIMIENTO SACRIFICATORIO DENTRO DE LA CAMARA. UNA SEGUNDA DIFERENCIA DE TENSION, MANTENIDA POR UNA TRAYECTORIA RESISTIVA VARIABLE ENTRE 1 Y 300 OHMIOS, ENTRE AL MENOS UNA SUPERFICIE CONDUCTORA, DERIVADA ELECTRICAMENTE A UN POTENCIAL DE TIERRA, DENTRO DE DICHA CAMARA EVACUADA Y DICHO CATODO CON UN VALOR LIGERAMENTE MENOR QUE EL DE LA TENSION PRIMERA, EN DONDE EL ANODO ESTA POLARIZADO MAS POSITIVAMENTE CON RELACION A DICHO CATODO QUE LO ESTA LA SUPERFICIE CONDUCTORA.

METODO DE APLICAR UN REVESTIMIENTO DE METAL SOBRE UNA SUPERFICIE DE UN SUBSTRATO EN UNA CAMARA DE DEPOSICION FISICA DE VAPOR POR ARCO ELECTRICO.

(16/02/1987). Solicitante/s: MULTI-ARC VACUUM SYSTEMS INC.

METODO DE APLICAR UN REVESTIMIENTO DE METAL SOBRE UNA SUPERFICIE DE UN SUSTRATO. CONSISTE EN COLOCAR UN CATODO DE MATERIAL DE REVESTIMIENTO EN UNA CAMARA DE VACIO ; FORMAR UN ANODO , DISPONIENDOLO CON RELACION AL CATODO DE MANERA QUE SE DEFINA UNA ENVOLVENTE ENTRE UNA SUPERFICIE DE EVAPORACION DEL CATODO Y EL ANODO; SITUAR UNA SUPERFICIE DEL SUSTRATO A REVESTIR DENTRO DE LA ENVOLVENTE ; HACER EL VACIO EN LA CAMARA ; CREAR UN ARCO ELECTRICO ENTRE EL ANDO Y LA SUPERFICIE ; CREAR UN PLASMA DEL MATERIAL DE REVESTIMIENTO EVAPORADO DENTRO DE LA CAMARA ; Y DEPOSITAR MATERIAL DE REVESTIMIENTO DESDE EL PLASMA SOBRE LA SUPERFICIE DEL SUSTRATO. TIENE UTILIDAD PARA OBTENER REVESTIMIENTOS UNIFORMES SOBRE ARTICULOS PLANOS.

UN PROCEDIMIENTO Y SU APARATO CORRESPONDIENTE PARA LA METALIZACION IONICA DE UN SUSTRATO.

(01/02/1983). Solicitante/s: ILLINOIS TOOL WORKS INC..

_(UN PROCEDIMIENTO Y SU APARATO CORRESPONDIENTE PARA LA METALIZACION IONICA DE UN SUSTRATO . CONSISTE EN COLOCAR DENTRO DE LA CAMARA UNO O MAS SUSTRATOS JUNTO CON UNA FUENTE DE METALIZACION. SE HACE EL VACIO EN LA CAMARA Y SE CALIENTA EL MATERIAL METALIZADOR PARA VAPORIZARLO. SE APLICA ENERGIA DE RADIO FRECUENCIA A LA FUENTE DE METALIZACION PARA FORMAR UN PLASMA DE IONES METALIZADORES DE CARGA POSITIVA A PARTIR DEL METALIZADOR VAPORIZADO. SE ESTABLECE UNA POLARIZACION POSITIVA EN RELACION DE CORRIENTE CONTINUA EN LA FUENTE DE METALIZACION CON RELACION A LOS SUSTRATOS APLICANDO UN VOLTAJE POSITIVO CONTINUO A LA FUENTE DE METALIZACION PARA CREAR UN CAMINO ELECTRICO ENTRE LA FUENTE Y LOS SUSTRATOS PARA ACELERAR LOS IONES METALIZADORES HACIA LOS SUSTRATOS.

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