CIP-2021 : H01L 21/8239 : Estructuras de memorias.
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H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas.
H01L 21/8239 · · · · · · · · Estructuras de memorias.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
ELECTRODOS, PROCEDIMIENTO Y APARATO PARA UNA ESTRUCTURA DE MEMORIA.
(16/11/2005). Solicitante/s: THIN FILM ELCTRONICS ASA. Inventor/es: GUDESEN, HANS, GUDE, LEISTAD, GEIRR, I..
Un medio (EM) de electrodos que comprende una primera y una segunda capas (L1, L2) de electrodos de película delgada con electrodos (s) en la forma de conductores eléctricos en forma de banda en cada capa, en el que los electrodos (s) de la segunda capa (L2) de electrodos están orientados longitudinalmente básicamente de forma ortogonal con respecto a los electrodos (e) de la primera capa (L1), en el que al menos una de las capas (L1, L2) de electrodos se dispone sobre una superficie aislante de un substrato o plano de apoyo (7, 7) y en el que las capas (L1, L2) de electrodos están dispuestas en planos separados paralelos que están en contacto con una capa globalmente dispuesta de un medio funcional.