CIP-2021 : H01L 21/56 : Encapsulación, p. ej. capas de encapsulado, revestimientos.
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Notas[n] desde H01L 21/02 hasta H01L 21/67:
H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas.
H01L 21/56 · · · · Encapsulación, p. ej. capas de encapsulado, revestimientos.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Procedimiento de fabricación de un dispositivo semiconductor con una capa de pasivación y dispositivo semiconductor correspondiente.
(15/07/2020). Solicitante/s: Hanwha Q.CELLS GmbH. Inventor/es: ENGELHART,PETER, SCHERFF,MAXIMILIAN, BORDIHN,STEFAN, KLÖTER,BERNHARD.
Procedimiento de fabricación de un dispositivo semiconductor, comprendiendo las siguientes etapas de procedimiento:
- puesta a disposición de un sustrato semiconductor ;
- formación de una capa funcional en una superficie semiconductora del sustrato semiconductor ; y
- generación de al menos una zona dopada en la superficie semiconductora mediante introducción de una sustancia dopante de la capa funcional en el interior del sustrato semiconductor , formándose la capa funcional de tal modo que, al acabar el dispositivo semiconductor, pasiviza como capa de pasivación la superficie semiconductora , caracterizado por que la capa funcional está formada por óxido de aluminio (AlOx), óxido de titanio (TiOx), óxido de magnesio (MgOx) u óxido de cinc (ZnOx), actuando correspondientemente como sustancia dopante el titanio, magnesio o cinc del compuesto.
PDF original: ES-2819173_T3.pdf
Uso de una composición de resina termoendurecible de tipo vitrímero para la fabricación de piezas de aislamiento eléctrico.
(26/06/2019) Uso de una composición que contiene, además de una resina termoendurecible de tipo epoxídico y un endurecedor seleccionado entre los anhídridos de ácido carboxílico que constan de al menos una función -C(O)-OC( O)-, al menos un catalizador orgánico no metálico de efecto vitrímero con un contenido que va de 0,1 a 10% en moles, con respecto a la cantidad molar de funciones epóxido contenidas en la resina termoendurecible, seleccionándose dicho catalizador entre los compuestos de tipo guanidina que responden a la fórmula (I):**Fórmula**
en la que:
X indica un átomo de nitrógeno,
R1 indica un átomo de hidrógeno, un grupo alquilo C1-C6 o un grupo fenilo que pueden estar sustituidos con un grupo alquilo C1-C4,
R2, R3 y R4…
Proceso hiperbárico para la aplicación y curado de un tratamiento orgánico polimerizable.
(19/06/2019) Un método para aplicar y curar un recubrimiento de polímero orgánico sobre un sustrato, que comprende los pasos de:
1) bajo condiciones de no polimerización, aplicación de una composición de recubrimiento curable que a 22°C y a presión atmosférica es un líquido o una suspensión de uno o más sólidos en una fase líquida, a por lo menos una superficie del sustrato, en la que la composición de recubrimiento curable contiene i) por lo menos un monómero polimerizable que polimeriza en la presencia de radicales libres, tiene exactamente un grupo polimerizable por radical libre por molécula y tiene una temperatura de ebullición…
Un núcleo de prelaminación y un método para fabricar un núcleo de prelaminación para tarjetas y etiquetas electrónicas.
(17/06/2019) Un método para fabricar un núcleo de prelaminación, que comprende:
proporcionar una placa de circuito que tiene una superficie superior y una superficie inferior;
fijar una pluralidad de componentes de circuito (20a-20b) sobre la superficie superior de la placa de circuito;
fijar la superficie inferior de la placa de circuito a una lámina de cubierta inferior usando un adhesivo, en donde la lámina de cubierta inferior comprende un material de termosellado sujeto a una lámina portadora ;
cargar la placa de circuito y la lámina de cubierta inferior dentro de un aparato de moldeo por inyección;
cargar…
(17/04/2019) Módulo electrónico que comprende:
- un primer soporte de circuito con una primera superficie lateral interna (13a), en la cual están dispuestos componentes electrónicos, y una primera superficie lateral externa (13b);
- un segundo soporte de circuito con una segunda superficie lateral interna (14a), en la cual están dispuestos componentes electrónicos, y una segunda superficie lateral externa (14b); y
- en donde la primera y la segunda superficie lateral externa (13b, 14b) son paralelas entre sí;
- el primer y el segundo soporte de circuito y un dispositivo de resorte integrado conforman un componente integral ; en donde el componente integral es un marco de plomo (del inglés: Leadframe); en donde el marco de plomo está doblado de tal modo que los dos…
Procedimiento de conexión de un chip a una antena de un dispositivo de identificación por radiofrecuencia del tipo de tarjeta con chip sin contacto.
(05/03/2019) Procedimiento de conexión de un chip sobre una antena de un dispositivo de identificación por radiofrecuencia del tipo tarjeta con chip sin contacto que comprende un chip y una antena dispuestos sobre un soporte de material deformable no elástico, comprendiendo dicha antena unos bornes de conexión también deformables y no elásticos y siendo obtenida por impresión de una tinta conductora sobre dicho soporte, comprendiendo dicho procedimiento las etapas siguientes:
- posicionar el chip provisto de bornes de conexión de material no deformable sobre dicho soporte de manera que dichos bornes de conexión del chip estén frente a los bornes de conexión de la antena, y
- ejercer una presión sobre dicho chip de manera que dichos bornes de conexión deformen dicho soporte…
Procedimiento para fabricar un módulo electrónico con cuerpo de moldeo.
(20/02/2019) Procedimiento para fabricar un módulo electrónico , que está completamente rodeado de al menos dos materiales de moldeo y en el que elementos de contacto eléctricos están guiados hasta un lado externo de un cuerpo de moldeo configurado a partir de los materiales de moldeo, con al menos un componente electrónico , que comprende las etapas de:
- insertar al menos un componente electrónico en una herramienta de moldeo abierta , en el que el al menos un componente electrónico es una placa de circuito impreso, una rejilla estampada o un sustrato de cerámica con un lado superior y un lado inferior,
- disponer un elemento de separación en la herramienta de moldeo , estando instalado…
Capa dieléctrica de aerogel.
(30/11/2016). Solicitante/s: RAYTHEON COMPANY. Inventor/es: HAUHE,MARK,S, CISCO,TERRY C, MILNE,JASON G, GOULD,GEORGE, NAHASS,PAUL, ZAFIROPOULOUS,NICK.
Un ensamblaje de la placa de circuito , que comprende:
Una placa de circuito ;
Un chip de inversión de circuito integrado monolítico de microondas unido a la placa de circuito , teniendo el chip integrado una pluralidad de componentes sensibles mirando a la placa de circuito y en el que el chip invertido está separado de la placa de circuito en una configuración de chip invertido;
una pluralidad de zonas de la capa dieléctrica entre la pluralidad de componentes sensibles y la placa de circuitos , en la que las zonas de la capa dieléctrica están separadas y comprenden un aerogel; y
un relleno inferior entre el chip invertido y la placa de circuito, estando el relleno inferior conectado a la placa de circuito y el chip invertido, en el que las zonas de la capa dieléctrica impiden que el relleno inferior se ponga en contacto con los componentes sensibles.
PDF original: ES-2615522_T3.pdf
Un método de impregnación de un componente.
(02/11/2016). Solicitante/s: BAE SYSTEMS PLC. Inventor/es: GARNER,P.A.J, MOORE,I.A.
Un método de impregnación de un componente que comprende los pasos de:
(a) introducir un gas inerte en un primer recipiente a presión que contiene el componente que se va a impregnar para crear así un ambiente inerte;
(b) reducir la presión en el primer recipiente a presión para crear un vacío inerte;
(c), mientras se mantiene el vacío inerte, introducir un compuesto de impregnación en el primer recipiente a presión ;
(d) aplicar una presión elevada en el primer recipiente a presión , siendo la presión elevada superior a la presión atmosférica, para aplicar así presión sobre el compuesto de impregnación; y
(e) mantener la presión elevada durante prácticamente todo el tiempo necesario para que el compuesto de impregnación se endurezca en el ambiente inerte.
PDF original: ES-2606164_T3.pdf
Procedimiento e instalación de puesta al desnudo de la superficie de un circuito integrado.
(03/06/2013) Procedimiento de puesta al desnudo de un circuito integrado por ablación de una envoltura de polímero querecubre inicialmente el circuito integrado, caracterizado por el hecho de que comprende una aplicacióncombinada de una radiación láser y de un plasma sobre la envoltura que recubre inicialmente el circuitointegrado, realizándose la aplicación co 5 mbinada en un mismo recinto .
MODULO FOTOVOLTAICO REFRIGERADOR PASIVO Y AUTOPORTANTE.
(16/06/2008). Ver ilustración. Solicitante/s: UNIVERSIDAD DE SEVILLA. Inventor/es: LILLO BRAVO,ISIDORO, RUIZ HERNANDEZ,VALERIANO.
Módulo fotovoltaico refrigerador pasivo y autoportante.#La presente invención tiene por objeto un módulo fotovoltaico constituido por un encapsulante que se sitúa en la parte posterior de las células que es refrigerador pasivo y autoportante. El material utilizado como encapsulante posterior del módulo fotovoltaico es aluminio sometido a un proceso de oxidación electrolítica, consiguiendo que el aluminio no sea conductor eléctrico manteniendo la suficiente transmitancia térmica. La presente invención se aplica a la mejora de la eficiencia de los dispositivos de producción de energía eléctrica mediante células fotovoltaicas, permitiendo ampliar el uso de las células comerciales de silicio monocristalino y policristalino a dispositivos que realizan concentración de la radiación solar, así como a la integración arquitectónica.
INSTALACION DE CONTROL PARA CAMPOS SOLARES.
(16/06/2007) Circuito de protección para la protección frente a sobretensiones para un transceptor CAN-bus (TC)diseñado en cuanto a tensión para una primera red de a bordo (Vbat1), que funciona en una segunda red de a bordo (Vbat2) con una tensión de la red de a bordo que es varias veces superior a la primera red de a bordo (Vbat1), en solitario o en una red de a bordo de dos tensiones con la primera (Vbat1) y la segunda (Vbat2) red de a bordo, caracterizado porque entre ambas conexiones de bus (TCHI, TCLO) del transceptor (TC) están dispuestos dos diodos (D3, D3), cuyos cátodos están unidos entre sí y conectados a un potencial (P) predeterminado, entre cada conexión de bus (TCHI, TCLO) del transceptor (TC) y de la línea de bus (HI, LO) a él asociada, está dispuesta una resistencia limitadora (R3, R4), y para restablecer…
PROCESO PARA ENCAPSULAR UN COMPONENTE ELECTRONICO Y COMPONENTE ELECTRONICO ASI ENCAPSULADO.
(16/09/1999). Solicitante/s: 3P LICENSING B.V. Inventor/es: PAS, IRENEUS J.T.M., NELISSEN, JOHANNES G.L.
PROCESO PARA ENCAPSULAR UN COMPONENTE ELECTRONICO, EN PARTICULAR UN CIRCUITO INTEGRADO, CON UN MATERIAL DE ENCAPSULACION, QUE CONSISTE EN AL MENOS LOS PASOS SIGUIENTES: - SE COLOCA EL COMPONENTE A ENCAPSULAR EN LA CAVIDAD DE UN MOLDE; - SE INTRODUCE EL MATERIAL DE ENCAPSULACION A UNA TEMPERATURA ELEVADA EN LA CAVIDAD QUE HAY ENTRE EL MOLDE Y EL COMPONENTE A ENCAPSULAR; - SE ENDURECE EL MATERIAL DE ENCAPSULACION; Y - SE RETIRA EL COMPONENTE ENCAPSULADO DE LA CAVIDAD, EN DONDE EL MATERIAL DE ENCAPSULACION UTILIZADO CONTIENE DE UN 40 A UN 65 % EN PESO DE UN TERMOPLASTICO DE INGENIERIA Y DE UN 60 A UN 35 % EN PESO DE UN SOLVENTE REACTIVO.
METODO PARA ENCAPSULAR UN COMPONENTE ELECTRONICO CON UN PLASTICO ENDURECIBLE.
(01/07/1999). Solicitante/s: 3P LICENSING B.V. Inventor/es: PAS, IRENEUS JOHANNES THEODORUS MARIA.
EN LA INVENCION SE PRESENTA UN METODO PARA ENCAPSULAR UN COMPONENTE ELECTRONICO , EN PARTICULAR UN CIRCUITO INTEGRADO, CON UN PLASTICO DE ENDURECIMIENTO , SEGUN EL CUAL EL COMPONENTE SE COLOCA EN LA CAVIDAD DE UN MOLDE SEPARABLE Y ANTES DE LA INYECCION DE UN MATERIAL EN DICHA CAVIDAD SE COLOCA UNA PELICULA QUE SE PUEDA RETIRAR DE LAS PAREDES DE LA CAVIDAD ENTRE EL COMPONENTE Y DICHAS PAREDES, Y EL PLASTICO SE INYECTA EN EL ESPACIO QUE QUEDA ENTRE EL COMPONENTE Y LA PELICULA , EN DONDE SE UTILIZA UNA PELICULA QUE TIENE EN EL LADO QUE MIRA HACIA EL COMPONENTE UN MATERIAL QUE SE ADHIERE MEJOR AL PLASTICO INYECTADO TODAVIA CALIENTE QUE RODEA AL COMPONENTE QUE A LA PELICULA , Y POR TANTO PERMANECE ADHERIDA A LA CUBIERTA DE PLASTICO CUANDO ESTA SE RETIRA DEL MOLDE TRAS LA REFRIGERACION.
PROCEDIMIENTO PARA REVESTIMIENTO DE UN CIRCUITO INTEGRADO SOBRE UN SOPORTE, DISPOSITIVO PARA HACERLO Y EQUIPO ELECTRONICO OBTENIDO REALIZANDO EL PROCEDIMIENTO.
(01/08/1998). Solicitante/s: CP8 TRANSAC. Inventor/es: DUFOUR, MICHEL, CARPIER, ROLAND, LALLEMAND, YVES.
LA INVENCION SE REFIERE A UN PROCEDIMIENTO PARA REVESTIMIENTO DE UN CIRCUITO INTEGRADO SOBRE UN SOPORTE, UN DISPOSITIVO PARA LLEVAR A CABO ESTE PROCEDIMIENTO, Y UN EQUIPO ELECTRONICO OBTENIDO MEDIANTE LA EJECUCION DEL PROCEDIMIENTO. SEGUN LA INVENCION, SE DELIMITA SOBRE EL SOPORTE UN MARCO RODEANDO EL CIRCUITO INTEGRADO Y SUS HILOS DE CONTACTO (213, 214 Y 215) CON EL EXTERIOR, SE COLOCA EN ESTE MARCO, CUYA ALTURA (E) CORRESPONDE AL ESPESOR DESEADO DEL REVESTIMIENTO, UN VOLUMEN DE MATERIAL DE REVESTIMIENTO CORRESPONDIENTE AL VOLUMEN FINAL. EL MATERIAL DE REVESTIMIENTO SE ELIGE ENTRE LOS QUE TIENEN UNA FASE LIQUIDA ANTES DE POLIMERIZACION, Y SE COLOCA EL SOPORTE SOBRE EL PLANO HORIZONTAL, DE FORMA QUE EL MATERIAL DE REVESTIMIENTO OCUPE TODO EL VOLUMEN DEL MARCO EN EL MOMENTO DE SU PASO A LA FASE LIQUIDA, Y DESPUES SE PROCEDE A LA POLIMERIZACION ANTES DE RETIRAR EL MARCO.
DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR EMBALADO EN PLASTICO Y METODO PARA FORMARLO.
(01/02/1998). Solicitante/s: LSI LOGIC CORPORATION. Inventor/es: SCHNEIDER, MARK R., STEIDL, MICHAEL J.
SE EXPONE UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR EMBALADO EN PLASTICO Y UN METODO PARA FABRICARLO, PARA MONTARLO SOBRE UN CUADRO DE CIRCUITOS IMPRESOS QUE COMPRENDE UN CUERPO DE PLASTICO Y UNA PLURALIDAD DE CONDUCTORES QUE SE EXTIENDEN POR EL CUERPO DONDE SE FORMAN TRAMAS DE PLASTICO ENTRE LOS CONDUCTORES ADYACENTES PARA SOPORTAR LOS MISMOS . ADEMAS, SE FORMAN PROTUBERANCIAS DE PLASTICO EN LOS EXTREMOS DE LAS TRAMAS Y ALINEADAS CON LOS RECESOS ENTRE LOS CONDUCTORES DE MODELOS DE CABLES SOBRE CUADROS DE CIRCUITOS IMPRESOS PARA AYUDAR EN LA ALINEACION DE LOS CONDUCTORES CON EL CUADRO DE CIRCUITOS.
PROCEDIMIENTO DE REALIZACION DE UN MODULO ELECTRONICO Y MODULO ELECTRONICO QUE SE OBTIENE POR DICHO PROCEDIMIENTO.
(01/10/1997). Solicitante/s: SCHLUMBERGER INDUSTRIES. Inventor/es: ROSE, RENE.
EL INVENTO SE REFIERE A LA REALIZACION DE UN MODULO ELECTRONICO PARA TARJETA DE MEMORIA. EL INVENTO CONSISTE EN, A PARTIR DE UN ARMAZON-BASE QUE DEFINE LAS ZONAS DE CONTACTO EXTERNAS Y LAS ZONAS DE CONEXION ELECTRICA , MOLDEAR SOBRE EL ARMAZON-BASE POR INYECCION UNA PIEZA MOLDEADA (39 Y 40) QUE DEFINE UNA CAVIDAD PARA LA PASTILLA SEMI-CONDUCTORA DEL MODULO ELECTRONICO, EN FIJAR LA PASTILLA SEMI-CONDUCTORA EN ESTA CAVIDAD, EN ENLAZAR ELECTRICAMENTE LAS BORNAS DEL CHIP CON LAS ZONAS DE CONEXION ELECTRICA Y EN RECUBRIR EL CHIP LLENANDO LA CAVIDAD CON UN MATERIAL AISLANTE.
METODO PARA PROCESAMIENTO DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS EMBALADOS EN PLASTICO.
(01/06/1997). Solicitante/s: NCR INTERNATIONAL INC.. Inventor/es: ELLIOTT, BLAINE KEITH.
EL INVENTO SE REFIERE A UN METODO PARA PROCESAMIENTO DE UN DISPOSITIVO ELECTRONICO EMBALADO EN PLASTICO ANTES DE CONECTAR DICHO DISPOSITIVO MEDIANTE SOLDEO A UN TARJETA DE CIRCUITO IMPRESO. EL DISPOSITIVO TIENE CONDUCTORES SOLDADOS PARA CONEXION A LA TARJETA DE CIRCUITO IMPRESO, LA SUELDA DE LOS CONDUCTORES TIENE UN TEMPERATURA CRITICA DE APROXIMADAMENTE 60 GRADOS CENTIGRADOS QUE SI SE EXCEDE PRODUCE QUE LA SUELDA ESTE EXPUESTA A OXIDACION. EL METODO INCLUYE LAS FASES DE COLOCACION DEL DISPOSITIVO EN UN HORNO, REDUCIENDO LA TEMPERATURA EN EL HORNO A MENOS DQUE 35 TORR, Y CALENTANDO EL DISPOSITIVO A UNA TEMPERATURA ENTRE LOS 30 Y 35 GRADOS CENTIGRADOS PARA EXPELER LA HUMEDAD ABSORBIDA POR EL MATERIAL DE ENCAPSULAMIENTO DEL DISPOSITIVO. EL DISPOSITIVO SE TRANSPORTA MEDIANTE UNA PORTADORA PLASTICA CUANDO SE COLOCA EN EL HORNO, LA PORTADORA ES UN TUBO DE PLASTICO EN EL QUE SE INSTALA EL DISPOSITIVO, O UNA CINTA PLASTICA A LA QUE SE ADHIERE EL DISPOSITIVO.
METODO PARA FABRICACION DE DISPOSITIVOS QUE INCLUYEN MATERIALES POLIMERICOS, Y DISPOSITIVOS FORMADOS CON EL MISMO.
(16/08/1996). Solicitante/s: AT&T CORP.. Inventor/es: BAIR, HARVEY EDWARD, MATSUOKA, SHIRO.
SE DIFUNDE UN METODO DE FABRICACION DE DISPOSITIVOS EN EL CUAL UN MATERIAL POLIMERICO U OLIGOMERICO PRECURSOR CAPAZ DE SUFRIR UNA REACCION DE TRATAMIENTO QUE SUPONE ENLACE TRANSVERSAL Y/O IMIDIZACION, SE TRATA E INCORPORA AL MENOS PARCIALMENTE DENTRO DEL DISPOSITIVO QUE SE ESTA FABRICANDO. SIGNIFICATIVAMENTE, SE CONSIGUE EL TRATAMIENTO AL MENOS PARCIAL MEDIANTE CALENTAMIENTO DEL MATERIAL A TEMPERATURAS GENERALMENTE EN AUMENTO (AUNQUE NO NECESARIAMENTE EN AUMENTO CONTINUAMENTE). ADEMAS, EL CALOR SE SUMINISTRA A UN RITMO DE FORMA QUE LA TEMPERATURA DEL MATERIAL SE MANTIENE SIEMPRE A, O POR DEBAJO, DE LA TEMPERATURA DEL MATERIAL CORRESPONDIENTE A LA TRANSICION DEL CRISTAL, QUE AUMENTA DURANTE EL PROCESO DE CALENTAMIENTO.
REVESTIMIENTOS HERMETICOS DE UN SUSTRATO EN UNA ATMOSFERA DE GAS INERTE.
(16/08/1996) LA INVENCION ACTUAL SE REFIERE A UN METODO PARA FORMAR UNA CAPA CERAMICA O TIPO CERAMICA EN UN SUSTRATO CON AUSENCIA DE OXIGENO. EL METODO COMPRENDE EL RECUBRIMIENTO DEL SUSTRATO CON UNA SOLUCION QUE COMPRENDE UN DISOLVENTE Y UNO O MAS MATERIALES PRECERAMICOS SELECCIONADOS ENTRE EL GRUPO QUE CONSTA DE SILSESQUIOXANO DE HIDROGENO E HIDROLIZADO O PARCIALMENTE HIDROLIZADO RXSI(OR)4-X DONDE R SE SELECCIONA INDEPENDIENTEMENTE DEL GRUPO QUE CONSTA DE ALCALI, ARIL Y DE HIDROCARBUROS NO SATURADOS Y X ES 0-2. EL DISOLVENTE SE EVAPORA Y ENTONCES SE DEPOSITA UNA CAPA PRECERAMICA EN EL SUSTRATO. ESTA CAPA SE CERAMIFICA CALENTANDO EL SUSTRATO RECUBIERTO A UNA TEMPERATURA QUE OSCILA ENTRE 500 A 1000 C, BAJO UNA ATMOSFERA DE GAS INERTE PARA PRODUCIR UNA CAPA CERAMICA O DE TIPO CERAMICA SOBRE EL SUSTRATO. EL PROCEDIMIENTO…
UN PROCESO TERMICO RAPIDO PARA OBTENER REVESTIMIENTOS DE SILICE.
(01/07/1996). Solicitante/s: DOW CORNING CORPORATION. Inventor/es: GENTLE, THERESA EILEEN, CHANDRA, GRISH.
ESTA INVENCION ESTA BASADA EN EL DESCUBRIMIENTO DE QUE UN PROCESO TERMICO RAPIDO (RTP) PUEDE CONVERTIR REVESTIMIENTOS DE RESINA SILSESQUIOXANA DE HIDROGENO EN REVESTIMIENTOS DE SILICE CERAMICOS. ESTA TECNICA ES ESPECIALMENTE VALIDA PARA LA APLICACION DE CAPAS DIELECTRICAS Y PROTECTORAS EN DISPOSITIVOS ELECTRONICOS.
PROCEDIMIENTO Y DISPOSITIVO PARA LA FABRICACION DE PIEZAS MOLDEADAS DE MATERIAL PLASTICO CON ESPESOR DE PAREDES REDUCIDO POR ZONAS.
(16/03/1996). Solicitante/s: GAO GESELLSCHAFT FUR AUTOMATION UND ORGANISATION MBH. Inventor/es: HAGHIRI-TEHRANI, YAHYA, BARAK, RENEE-LUCIA, BAADER, HELMUT, DR.
EL PROCESO DE ACUERDO CON LA INVENCION PARA LA FABRICACION DE TARJETAS DE PLASTICO LIGERAS Y PIEZAS EN BRUTO PARA TARJETAS DE PLASTICO CON ZONAS DE PARED DE ESPESOR NOTABLEMENTE REDUCIDO, PREVE INYECTAR EL MATERIAL DE PLASTICO PRIMERAMENTE EN UNA CAVIDAD DE MOLDEO INICIAL QUE NO TIENE ZONAS DE PARED DE ESPESOR REDUCIDO. A CONTINUACION SE REDUCE LA DISTANCIA ENTRE CIERTAS REGIONES DE PARED DE LA CAVIDAD DE MOLDEO INICIAL HASTA LA DIMENSION EXIGIDA CON DESPLAZAMIENTO DEL MATERIAL PLASTICO A LAS ZONAS VECINAS DE LA CAVIDAD DE MOLDEO.
METODO PARA EMPAQUETAR UNA CANTIDAD MEDIDA DE RESINA TERMO ENDURECEDORA DESTINADO A LA ENCAPSULACION DE UN COMPONENTE, EMPAQUETADO UTILIZANDO ESTE METODO, METODO PARA TRABAJAR CON UN MOLDE Y MOLDE PARA LLEVAR A CABO ESTE METODO.
(16/02/1994). Solicitante/s: 3P LICENSING B.V. Inventor/es: PAS, IRENEUS JOHANNES THEODORES MARIA.
METODO PARA EMPAQUETAR UNA CANTIDAD MEDIDA DE RESINA TERMO ENDURECEDORA , IDEADO PARA ENCAPSULAR UN COMPONENTE TAL COMO UN CIRCUITO INTEGRADO, MEDIANTE LA INTRODUCCION DE ESTA CANTIDAD EN UNA ENVOLTURA DE PLASTICO FLEXIBLE (6A, 6B) QUE PUEDE CERRARSE HERMETICAMENTE, Y EMPAQUETAMIENTO DE UNA CANTIDAD MEDIDA DE PLASTICO TERMO ENDURECEDOR IDEADO PARA ENCAPSULAR UN COMPONENTE, OBTENIDO UTILIZANDO ESTE METODO.
PROCEDIMIENTO DE REALIZACION DE TARJETAS DE MEMORIA Y TARJETAS OBTENIDAS POR LA PUESTA EN MARCHA DE DICHO PROCEDIMIENTO.
(01/12/1992). Solicitante/s: SCHLUMBERGER INDUSTRIES. Inventor/es: BRIGNET, MARC, DROCHE, EMILE.
EL INVENTO TRATA DE LA REALIZACION DE TARJETAS DE MEMORIA ELECTRONICA. PARA REALIZAR EL CUERPO DE LA TARJETA EN MATERIAL PLASTICO SE PONE EN UN MOLDE EL MODULO ELECTRONICO CUYO RECUBRIMIENTO PRESENTA RESISTENCIA AL DESPULLADO . EL MODULO SE MANTIENE EN SU LUGAR POR ASPIRACION . SE INYECTA EL MATERIAL PLASTICO EN EL MOLDE, REALIZANDO ASI UN SOBREMOLDEADO DEL MODULO ELECTRONICO.
PROCESO DE FABRICACION DE TARJETAS DE MEMORIA ELECTRONICA Y TARJETAS OBTENIDAS MEDIANTE DICHO PROCESO.
(16/11/1992). Solicitante/s: SCHLUMBERGER INDUSTRIES. Inventor/es: BRIGNET, MARC, DROCHE, EMILE.
EL INVENTO SE REFIERE A LA FABRICACION DE TARJETAS DE MEMORIA Y EN ESPECIAL A LAS TARJETAS DE MEMORIA ELECTRONICA. SEGUN EL INVENTO, EL CUERPO DE LA TARJETA ESTA REALIZADO POR VACIADO DE UN MATERIAL PLASTICO, COMO EL ABS. EL MOLDE TIENE UN RESALTE QUE SIRVE PARA DEFINIR EN EL CUERPO DE LA TARJETA UNA CAVIDAD DESTINADA A RECIBIR EL MODULO ELECTRONICO DE LA MISMA.
METODO PARA ENCAPSULAR CIRCUITOS ELECTRONICOS.
(01/10/1984). Solicitante/s: WESTERN ELECTRIC COMPANY, INC..
METODO PARA ENCAPSULAR CIRCUITOS ELECTRONICOS, EN PARTICULAR PARA LA ENCAPSULACION SELECTIVA EMPLEANDO UNA FORMULACION DE RESINA APROPIADA.COMPRENDE LAS SIGUIENTES OPERACIONES: PRIMERA, SE ELIGE SELECTIVAMENTE LA ZONA DEL CIRCUITO ELECTRONICO A ENCAPSULAR Y SE LA PREPARA ADECUADAMENTE; SEGUNDA, SE PREPARA UNA COMPOSICION ENCAPSULANTE FORMADA A BASE DE RESINA DE SILICONA QUE COMPRENDE UNA CARGA Y UN AGENTE DE RETICULACION; Y POR ULTIMO, SE APLICA EL ENCAPSULANTE A LA ZONA ELEGIDA DEL CIRCUITO ELECTRONICO.
PROCEDIMIENTO PARA OBTENER UNA CAPA PROTECTORA DE LACA PARA SEMICONDUCTORES.
(16/12/1976). Solicitante/s: SEMIKRON, GESELLSCHAFT FUR GLEICHRICHTERBAU.
Resumen no disponible.
