CIP-2021 : H01L 29/205 : en diferentes regiones semiconductoras.
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Notas[n] desde H01L 29/16 hasta H01L 29/26:
H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00).
H01L 29/205 · · · · · en diferentes regiones semiconductoras.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Capa tampón optimizada para transistor con efecto de campo de alta movilidad.
(15/10/2019) Apilamiento según un eje z para transistor con efecto de campo de alta movilidad electrónica, que comprende:
- una capa tampón que comprende un primer material semiconductor que comprende un compuesto binario o ternario o cuaternario de nitruro y que presenta una primera banda prohibida,
- una capa barrera que comprende un segundo material semiconductor que comprende un compuesto binario o ternario o cuaternario de nitruro y que presenta una segunda banda prohibida,
- siendo la segunda banda prohibida superior a la primera banda prohibida,
- una heterounión entre dicha capa tampón y dicha capa barrera y,
- un gas bidimensional de electrones localizado en un plano…
TRANSISTOR CON EFECTO DE CAMPO.
(01/04/2003). Ver ilustración. Solicitante/s: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.. Inventor/es: TANABE, MITSURU.
EN UN SUSTRATO INP SEMI - AISLANTE ADULTERADO CON HIERRO, UNA PRIMERA CAPA DE SEPARACION DE IN 0,52 AL 0,48 AS NO ADULTERADO, UNA SEGUNDA CAPA DE SEPARACION EN UNA ESTRUCTURA RETICULAR SUPERPUESTA DE IN 0,52 AL 0,48 AS NO ADULTERADO Y AL 0,25 GA 0,75 AS NO ADULTERADO, UNA TERCERA CA PA DE SEPARACION DE IN 0,52 AL 0,48 AS NO ADULTERADO, UNA CAPA DE CANAL DE IN 0,53 GA 0,47 AS, UNA CAPA DISTANCIADORA DE IN 0,52 AL 0,48 AS, NO ADULTERADO, UNA CA PA DE ADULTERACION DELTA DE SILICIO Y UNA CAPA SCHOTTKY DE IN SUB,0,52 AL 0,48 AS SON SATISFACTORIAMENTE SUPERPUESTAS. S OBRE LA CAPA SCHOTTKY, SE FORMA UNA CAPA DE RECUBRIMIENTO EN UNA ESTRUCTURA REBAJADA. SOBRE LA CAPA DE RECUBRIMIENTO, SE FORMAN UN ELECTRODO DE FUENTE Y UN ELECTRODO DE DRENAJE, CON UN ELECTRODO DE PUERTA EN UN AREA REBAJADA DE LA CAPA DE RECUBRIMIENTO.
PERFECCIONAMIENTOS EN DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES.
(01/10/1980). Solicitante/s: WESTERN ELECTRIC COMPANY, INC..
Perfeccionamientos en dispositivos semiconductores que comprenden una pluralidad de capas de material semiconductor unidas a tope de un tipo de conductividad opuesta alterna, cuyas capas se agrupan en una secuencia de pares de capas, caracterizados porque el espacio de banda de la primera capa y el espacio de banda de la segunda capa en cada par de dicha secuencia son virtualmente iguales, los espacios de banda de cada par de dicha secuencia se disponen en una secuencia de tamaños en reducción y la segunda capa de por lo menos un par de la secuencia se adultera ligeramente.
