CIP 2015 : H01L 29/40 : Electrodos.

CIP2015HH01H01LH01L 29/00H01L 29/40[1] › Electrodos.

H SECCION H — ELECTRICIDAD.

H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.

H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).

H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00).

H01L 29/40 · Electrodos.

CIP2015: Invenciones publicadas en esta sección.

BATERÍAS RECARGABLES CON ENERGÍA SOLAR, BASADAS EN POLÍMEROS NANO-ESTRUCTURADOS.

(04/06/2020). Solicitante/s: PONTIFICIA UNIVERSIDAD CATÓLICA DE CHILE. Inventor/es: DEL VALLE DE LA CORTINA,María Angélica, RAMÍREZ RAMÍREZ,Andrés Mauricio, HERNÁNDEZ DÍAZ,Loreto Andrea, GACITÚA SANTALICES,Manuel Alejandro.

La presente invención se enmarca en el campo técnico de síntesis de nanomateriales, específicamente en la elaboración de baterías recargables con energía solar basadas en nanomateriales, donde la batería que puede ser cargada con energía solar está constituida por un ánodo y un cátodo con polímeros conductores en forma de nanohilos depositados sobre su superficie.

Dispositivo semiconductor con estructura de terminación mejorada para aplicaciones de alto voltaje y su procedimiento de fabricación.

(03/06/2020) Un dispositivo semiconductor que comprende una estructura de terminación, con dicho dispositivo semiconductor que comprende: - un sustrato semiconductor que tiene una región activa y una región de terminación; - un canal de terminación ubicado en la región de terminación y que se extiende desde un límite de la región activa hacia un borde del sustrato semiconductor ; - una puerta MOS formada en una pared lateral del canal de terminación adyacente a dicho límite ; - una capa de óxido de estructura de terminación formada en el canal de terminación y que cubre parcialmente la puerta MOS ; …

Sistemas y métodos microelectromecánicos para encapsular y fabricar los mismos.

(04/12/2019) Un método para fabricar un dispositivo electromecánico que tiene estructuras (20a, 20b, 20c, 20d) mecánicas, un contacto eléctrico y regiones (22a, 22b) de campo, todas superpuestas a un sustrato , en donde las estructuras (20a, 20b, 20c, 20d) mecánicas y el contacto eléctrico están dispuestos entre las regiones (22a, 22b) de campo, en donde las regiones (22a, 22b) de campo están compuestas de silicio, germanio, silicio/germanio, carburo de silicio o arseniuro de galio, y en donde las estructuras (20a, 20b, 20c, 20d) mecánicas residen en una cámara sellada, comprendiendo el método: proporcionar un sustrato con una primera capa de sacrificio, un contacto eléctrico y estructuras (20a, 20b, 20c, 20d) mecánicas, en donde el contacto eléctrico y las estructuras (20a, 20b, 20c, 20d) mecánicas están dispuestas entre…

DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR METALIZADO QUE INCLUYE UNA CAPA INTERFACIAL.

(16/08/1993). Solicitante/s: AMERICAN TELEPHONE AND TELEGRAPH COMPANY. Inventor/es: BRASEN, DANIEL, WILLENS, RONALD HOWARD.

ESTRUCTURAS DE CAPAS AMORFAS ALTERNATIVAS DE TITANIO Y UN MATERIAL SEMICONDUCTOR SIRVEN COMO CAPAS INTERFACIALES EFECTIVAS ENTRE UN MATERIAL AISLANTE O SEMICONDUCTOR Y UN MATERIAL DE METALIZACION DE ALUMINIO EN DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES. TALES ESTRUCTURAS SIRVEN EFICAZMENTE PARA MINIMIZAR LA INTERDIFUSION DURANTE LA FABRICACION DEL DISPOSITIVO SIN AUMENTO INDEBIDO DE LA RESISTENCIA DE CONTACTO ELECTRICO DURANTE LA OPERACION DEL DISPOSITIVO.

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