CIP 2015 : H01L 43/00 : Dispositivos que utilizan efectos galvanomagnéticos o efectos magnéticos análogos;

Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formado en o sobre un sustrato común H01L 27/00).

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H01L 43/02 · Detalles.

H01L 43/04 · · de dispositivos con efecto Hall.

H01L 43/06 · Dispositivos con efecto Hall.

H01L 43/08 · Resistencias controladas por un campo magnético.

H01L 43/10 · Selección de materiales.

H01L 43/12 · Procesos o aparatos específicos para la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus elementos.

H01L 43/14 · · para dispositivos con efecto Hall.

CIP2015: Invenciones publicadas en esta sección.

Hilo magnetosensible, elemento de impedancia magnética y sensor de impedancia magnética.

(22/06/2016). Solicitante/s: Aichi Steel Corporation. Inventor/es: HONKURA,YOSHINOBU, YAMAMOTO,MICHIHARU, HAMADA,NORIHIKO, SHIMODE,AKIHIRO.

Método de fabricación de un hilo magnetosensible que comprende proporcionar un hilo amorfo que comprende una aleación magnética blanda de Co-Fe-Si-B que comprende del 60 al 80 % atómico de Co, del 3 al 7 % atómico de Fe, del 5 al 20 % atómico de Si y del 7 al 30 % atómico de B cuando toda la composición de aleación se considera como un 100 % atómico, y tratar térmicamente el hilo amorfo en un intervalo de temperaturas en el que el hilo amorfo no se cristaliza completamente mientras se aplica tensión mecánica en el intervalo de 30 a 2000 MPa al hilo amorfo, caracterizado porque el hilo amorfo se trata térmicamente en un intervalo de temperaturas de 500°C a 600°C y el tiempo de calentamiento para el tratamiento térmico está en el intervalo de 4 a 10 segundos.

PDF original: ES-2584513_T3.pdf

Dispositivo opto-espintrónico y método para su fabricación.

(19/08/2014) Dispositivo opto-espintrónico y método para su fabricación. El dispositivo comprende: - un sustrato transparente (S); - un primer (E1) y un segundo (E2) electrodos con propiedades ferromagnéticas; - una capa de material semiconductor orgánico electroluminiscente (SO), dispuesta entre los electrodos (E1, E2); - una primera capa de barrera (B1), dispuesta entre dicho primer electrodo (E1) y una cara de dicha capa de material semiconductor orgánico electroluminiscente (SO);y - una segunda capa de barrera (B2), dispuesta entre dicho segundo electrodo (E2) y otra cara de dicha capa de material semiconductor orgánico electroluminiscente…

DISPOSITIVO OPTO-ESPINTRÓNICO Y MÉTODO PARA SU FABRICACIÓN.

(24/07/2014). Ver ilustración. Solicitante/s: UNIVERSITAT DE VALENCIA. Inventor/es: CORONADO MIRALLES,EUGENIO, PRIMA GARCIA,Helena, PRIETO RUIZ,Juan Pablo.

El dispositivo comprende: - un sustrato transparente (S); - un primer (E1) y un segundo (E2) electrodos con propiedades ferromagnéticas; - una capa de material semiconductor orgánico electroluminiscente (SO), dispuesta entre los electrodos (E1, E2); - una primera capa de barrera (B1), dispuesta entre dicho primer electrodo (E1) y una cara de dicha capa de material semiconductor orgánico electroluminiscente (SO); y - una segunda capa de barrera (B2), dispuesta entre dicho segundo electrodo (E2) y otra cara de dicha capa de material semiconductor orgánico electroluminiscente (SO); estando dichas capas de barrera (B1, B2) compuestas, dimensionadas, dispuestas y configuradas para - favorecer la inyección de carga polarizada en espín tanto de electrones, como de huecos; y - favorecer la inyección de carga tanto de electrones como de huecos, y con ello la recombinación de pares electrón-hueco y la consiguiente generación de luz. El método está adaptado para fabricar el dispositivo de la invención.

TRANSISTOR DE ESPIN.

(16/01/2003). Ver ilustración. Solicitante/s: ISIS INNOVATION LIMITED. Inventor/es: GREGG, JOHN, FRANCIS, SPARKS, PATRICIA, DRESEL.

EL TRANSISTOR DE ESPIN ES UN TRANSISTOR HIBRIDO DE SEMICONDUCTORES/MAGNETICO , EN EL QUE SE DISPONE UNA BARRERA MAGNETICAMENTE CONTROLABLE. ENTRE UNA BASE DE SEMICONDUCTORES Y EL COLECTOR PARA CONTROLAR LA DIFUSION DE LOS VEHICULOS DE CARGA AL COLECTOR . CON EL TRANSISTOR DE ESPIN, LAS POBLACIONES DE PORTADORES DE CARGA SE DISTINGUEN POR LA DIRECCION DEL ESPIN O MOMENTO MAGNETICO DE LOS PORTADORES, EN LUGAR DE LA CARGA ELECTRONICA. SE UTILIZA UN INYECTOR DE ESPIN PARA POLARIZAR EN ESPIN LA POBLACION DE PORTADORES DE CARGA, DE MANERA QUE LA POBLACION TENGA UN MOMENTO MAGNETICO SELECCIONADO EN EL QUE LA POBLACION PUEDA TENER O NO LA CAPACIDAD DEFINIDA HASTA EL COLECTOR A TRAVES DE LA BARRERA MAGNETICA. EL TRANSISTOR DE ESPIN UTILIZAR LAS CARACTERISTICAS ELECTRONICAS DE UN TRANSISTOR CLASICO DE SEMICONDUCTORES, JUNTO CON UN FLUJO DE PORTADORES CONTROLADO POR EL MOMENTO MAGNETICO, A FIN DE AUMENTAR EN LO POSIBLE LA GANANCIA.