CIP 2015 : H01L 33/00 : Dispositivos semiconductores que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie especialmente adaptados para la emisión de luz;

Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Detalles (H01L 51/50  tiene prioridad; dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores formados en o sobre un sustrato común y que incluyen componentes semiconductores con al menos una barrera de potencial o de superficie, especialmente adaptados para la emisión de luz H01L 27/15; láseres de semiconductor H01S 5/00).

CIP2015HH01H01LH01L 33/00[m] › Dispositivos semiconductores que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie especialmente adaptados para la emisión de luz; Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Detalles (H01L 51/50  tiene prioridad; dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores formados en o sobre un sustrato común y que incluyen componentes semiconductores con al menos una barrera de potencial o de superficie, especialmente adaptados para la emisión de luz H01L 27/15; láseres de semiconductor H01S 5/00).

Notas[n] de H01L 33/00:
  • Este grupo cubre los diodos de emisión de luz [LEDs] o diodos superluminiscentes [SLDs], incluyendo LEDs o SLDs que emiten luz infrarroja [IR] o luz ultravioleta [UV]. 
  • En este grupo, se aplica la regla del primer lugar, es decir en cada nivel jerárquico, salvo que se indique lo contrario, la clasificación se realiza en el primer lugar apropiado

H01L 33/02 · caracterizados por los cuerpos de semiconductores.

H01L 33/04 · · con una estructura de efecto cuántico o super-red, p. ej. unión túnel.

H01L 33/06 · · · dentro de la región electroluminiscente, p. ej. estructura de confinamiento o barrera túnel.

H01L 33/08 · · con una pluralidad de regiones electroluminiscentes, p. ej. capa de emisión de luz lateralmente discontinua o región fotoluminiscente integrada en el cuerpo de semiconductores (H01L 27/15  tiene prioridad).

H01L 33/10 · · con una estructura reflectante, p. ej. reflector de Bragg de semiconductor.

H01L 33/12 · · con una estructura de relajación de esfuerzo, p. ej. capa tope.

H01L 33/14 · · con una estructura de control de transporte de carga, p. ej. capa semiconductora altamente dopada o estructura de bloqueo de corriente.

H01L 33/16 · · con una estructura cristalina o una orientación particular, p. ej. policristalina, amorfa o porosa.

H01L 33/18 · · · dentro de la región electroluminiscente.

Notas[n] de H01L 33/18:
  • Cuando se clasifica en este grupo, se clasifica también en el grupo H01L 33/26  o en alguno de sus subgrupos con el objeto de identificar la composición química de la región electroluminiscente. 

H01L 33/20 · · con una forma particular, p. ej. sustrato curvado o truncado.

H01L 33/22 · · · Superficies irregulares o rugosas, p. ej. en la interfaz entre capas epitaxiales.

H01L 33/24 · · · de la región electroluminiscente, p. ej. unión de tipo no plana.

H01L 33/26 · · Materiales de la región electroluminiscente.

H01L 33/28 · · · que contienen únicamente elementos del grupo II y del grupo VI del sistema periódico.

H01L 33/30 · · · que contienen únicamente elementos del grupo III y del grupo V del sistema periódico.

H01L 33/32 · · · · que contienen nitrógeno.

H01L 33/34 · · · que contienen únicamente elementos del grupo IV del sistema periódico.

H01L 33/36 · caracterizados por los electrodos.

H01L 33/38 · · con una forma particular.

H01L 33/40 · · Materiales.

H01L 33/42 · · · Materiales transparentes.

H01L 33/44 · caracterizados por los revestimientos, p. ej. capa de pasivación o revestimiento anti-reflectante.

H01L 33/46 · · Revestimiento reflectante, p. ej. reflector de Bragg de dieléctricos.

H01L 33/48 · caracterizados por el empaquetamiento del cuerpo de semiconductores.

Notas[n] de H01L 33/48:
  • Este grupo cubre elementos en contacto directo con el cuerpo de semiconductores o integrados con el empaquetamiento.

H01L 33/50 · · Elementos de conversión de longitud de onda.

H01L 33/52 · · Encapsulados.

H01L 33/54 · · · que tienen una forma particular.

H01L 33/56 · · · Materiales, p. ej. epoxy o resina de silicona.

H01L 33/58 · · Elementos ópticos para modificación del campo.

H01L 33/60 · · · Elementos reflectantes.

H01L 33/62 · · Disposiciones para llevar la corriente eléctrica a o desde el cuerpo de semiconductores, p. ej. leadframes, hilos de conexión o bolas de soldadura.

H01L 33/64 · · Elementos de extracción de calor o refrigerantes.

CIP2015: Invenciones publicadas en esta sección.

Un procedimiento para producir estructuras de columna UV que emiten luz y las estructuras producidas usando este procedimiento.

(29/04/2020) Un procedimiento para producir estructuras de columna UV emisoras de luz usando la epitaxia de los compuestos organometálicos de la fase gaseosa en una placa de Sustrato de Zafiro con Patrón (PSS) que tiene una superficie para epitaxia provista con salientes con una forma regular, que tiene una punta y una superficie lateral, en particular salientes con una forma cónica, caracterizado porque comprende las etapas de: A. depositar una capa de nucleación de AIN de baja temperatura (también llamada nucleica) en los salientes del sustrato PSS, en particular sobre la superficie lateral de un saliente y sobre la punta de un saliente en la que en una temperatura de 600 °C a 750 °C, preferiblemente 680 °C, con una presión dentro de un intervalo de 0 a 20 kPa, preferiblemente 5 kPa, se…

Dispositivo monolítico fuente de luz cuántica ajustable y circuito óptico cuántico del mismo.

(18/12/2019) Un dispositivo para emitir fotones individuales o pares de fotones entrelazados, donde el dispositivo es monolítico y comprende, sobre un sustrato de material semiconductor seleccionado de entre: material semiconductor tipo p, material semiconductor tipo n y material semiconductor intrínseco: • un diodo inferior localizado encima del sustrato y que comprende: • un bloque de material semiconductor seleccionado entre: material semiconductor tipo p y material semiconductor tipo n; teniendo el bloque el mismo tipo de dopado que el sustrato cuando el sustrato está dopado, • una primera capa de material semiconductor dispuesta en el bloque y que tiene el mismo tipo de dopado que el bloque • una segunda capa de material semiconductor localizada sobre el primer material…

Cuerpo multicapa y procedimiento para su fabricación.

(04/09/2019) Un procedimiento de fabricación de un cuerpo multicapa, que comprende los pasos de a) Disposición de una capa portadora sobre la que se disponga al menos un LED; b) Disposición de una capa decorativa; c) Inyección de una capa de plástico en la capa portadora y/o la capa decorativa en un molde de inyección; y donde en la capa portadora se aplica una capa conductora para contactar al menos un elemento de iluminación, donde la capa conductora se produce por deposición de vapor, pulverización, electrodeposición o laminación de un metal y/o por la aplicación de pigmentos conductores, nanopartículas, ITO, ATO, polímeros orgánicos conductores,…

JUEGO DE TINTAS PARA OBTENER DISPOSITIVOS HÍBRIDOS ELECTROLUMINISCENTES.

(15/08/2019). Solicitante/s: TORRECID, S.A.. Inventor/es: CORTS RIPOLL,JUAN VICENTE, CONCEPCION HEYDORN,CARLOS, RUIZ VEGA,OSCAR, BRUGADA SECO,Laura.

Juego de tintas aplicables mediante tecnología de inyección de tinta que, una vez impresas, permiten obtener dispositivos electroluminiscentes. El set de tintas consiste en una tinta que comprende al menos Zn O para generar una capa de material capaz de transportar e inyectar electrones, una tinta que comprende al menos Mo O 3 para generar una capa de material capaz de transportar e inyectar huecos, una tinta que comprende al menos Ag para generar una capa conductora, una tinta que comprende al menos un óxido mixto de indio y estaño para generar una capa de cátodo y una tinta que comprende al menos un material electroluminiscente para generar una capa electroluminiscente.

JUEGO DE TINTAS PARA OBTENER DISPOSITIVOS HÍBRIDOS ELECTROLUMINISCENTES.

(12/08/2019). Solicitante/s: TORRECID, S.A.. Inventor/es: CORTS RIPOLL,JUAN VICENTE, CONCEPCION HEYDORN,CARLOS, RUIZ VEGA,OSCAR, BRUGADA SECO,Laura.

Juego de tintas aplicables mediante tecnología de inyección de tinta que, una vez impresas, permiten obtener dispositivos electroluminiscentes. El set de tintas consiste en una tinta que comprende al menos ZnO para generar una capa de material capaz de transportar e inyectar electrones, una tinta que comprende al menos MoO3 para generar una capa de material capaz de transportar e inyectar huecos, una tinta que comprende al menos Ag para generar una capa conductora, una tinta que comprende al menos un óxido mixto de indio y estaño para generar una capa de cátodo y una tinta que comprende al menos un material electroluminiscente para generar una capa electroluminiscente.

PDF original: ES-2722475_B2.pdf

PDF original: ES-2722475_A1.pdf

Fuente luminosa con un elemento emisor de luz.

(07/08/2019) Fuente luminosa para generar luz blanca, que comprende un diodo emisor de luz (LED) para emitir una radiación azul y/o ultravioleta y al menos un luminóforo, que absorbe una porción de la radiación azul y/o ultravioleta y él mismo emite radiación en otra región espectral, caracterizado porque: • el luminóforo es un ortosilicato alcalinotérreo activado con europio bivalente de uno de los siguientes compuestos o de una mezcla de dichos compuestos:

Imagen de detalle
Imagen de detalle
• el luminóforo emite radiación en la región espectral de color amarillo-verde,…

Procedimiento de fabricación de circuitos integrados de diodos electroluminiscentes y circuitos integrados obtenidos por este procedimiento.

(03/07/2019) Procedimiento de fabricación de circuitos integrados de diodos electroluminiscentes , que comprende las etapas siguientes: - se proporciona de forma continua un sustrato dieléctrico flexible que tiene una primera y una segunda caras principales, opuestas entre sí con respecto al grosor del sustrato , incluyendo este sustrato una primera lámina de material eléctricamente conductor sobre la primera cara principal, - se realizan al menos dos pozos de conexión que se extienden entre la primera y la segunda caras principales, por perforación a través del sustrato y de la primera lámina de material eléctricamente conductor, - se deposita una segunda lámina…

Preparación de material semiconductor de cristal individual usando una plantilla nanoestructural.

(03/07/2019). Solicitante/s: Nanogan Limited. Inventor/es: WANG,WANG NANG.

Un procedimiento para crear nanoestructuras de semiconductor, el cual comprende los pasos de: (a) proporcionar un material de plantilla que comprende una capa de material semiconductor y un sustrato; (b) crear una máscara encima del material de plantilla; y (c) usar la máscara para formar al menos una nanoestructura en el material de plantilla; las nanoestructuras se forman mediante decapado del material de plantilla, donde el paso (b) incluye depositar una capa de material dieléctrico sobre el material de plantilla, y donde una capa de metal se aplica sobre la capa de material dieléctrico.

PDF original: ES-2744818_T3.pdf

CASTAÑUELAS.

(27/05/2019) 1. Castañuela caracterizada porque comprende - un cuerpo de castañuela ; y - unos medios de iluminación sujetos al cuerpo de castañuela ; - unos medios de alimentación eléctrica que alimentan a los medios de iluminación . 2. Castañuela según la reivindicación 1, en la que los medios de iluminación comprenden una tira de emisores semiconductores , tales como diodos de emisión de luz o LED. 3. Castañuela según la reivindicación 2, en la que la tira de emisores semiconductores se encuentra alojada en una cavidad del cuerpo de la castañuela , comprendiendo el cuerpo de castañuela un elemento de relleno que rellena la cavidad hasta enrasar la cavidad con el cuerpo…

Sistema de iluminación que incluye colimadores alineados con segmentos de emisión de luz.

(13/03/2019). Ver ilustración. Solicitante/s: Lumileds Holding B.V. Inventor/es: BIERHUIZEN,SERGE J.

Una estructura que comprende: una fuente de luz que comprende un dispositivo emisor de luz conectado a un soporte , comprendiendo el dispositivo emisor de luz una pluralidad de segmentos en la que los segmentos vecinos están espaciados a menos de 200 micrómetros, comprendiendo cada segmento una capa emisora de luz dispuesta entre una región de tipo n y una región de tipo p; un espaciador posicionado sobre una superficie superior del soporte, en la que el dispositivo emisor de luz se posiciona en una abertura en el espaciador; y una pluralidad de colimadores unidos al espaciador, en la que cada colimador está alineado con un único segmento.

PDF original: ES-2718324_T3.pdf

Lámpara de dispositivo semiconductor emisor de luz que emite luz en ángulos grandes.

(01/02/2019) Una lámpara LED para usar como alternativa a las bombillas de luz incandescente convencionales, incorporando dicha lámpara LED una estructura que comprende: una pluralidad de diodos (15a-j) semiconductores emisores de luz unidos a una montura ; y una pluralidad de lentes (18a-j) dispuestas sobre la pluralidad de diodos (15a-j) semiconductores emisores de luz, en la que una lente (18e) dispuesta sobre un diodo (15e) semiconductor emisor de luz próximo a un centro de la montura es rotacionalmente simétrica y está conformada de tal manera que la luz emitida a una intensidad que es la mitad de la intensidad máxima se emite a un ángulo de menos…

Nanopartículas fluorescentes a base de sílice.

(09/01/2019). Solicitante/s: CORNELL RESEARCH FOUNDATION, INC.. Inventor/es: WEBB,WATT W., WIESNER,ULRICH, OW,HOOISWENG, LARSON,DANIEL R.

Un procedimiento de síntesis de una nanopartícula de núcleo-cubierta monodispersa fluorescente que comprende conjugar covalentemente isotiocianato de tetrametil rodamina con 3-aminopropiltrietoxisilano en una relación molar de 1:50 y condensar la mezcla para formar un núcleo rico en colorante, seguido de la adición de ortosilicato de tetraetilo para formar una red de sílice alrededor del material de núcleo, teniendo la nanopartícula un diámetro de menos de aproximadamente 30 nm.

PDF original: ES-2709398_T3.pdf

Elemento de control de campo eléctrico para fonones.

(04/10/2018) Un transistor fonónico que comprende: contactos eléctricos (216A, 216B ; 312, 314; 308); dos puntos cuánticos (210A, 210B; 302A, 302B) incrustados en un semiconductor de modo que cuando se aplica un desvío eléctrico a los contactos eléctricos, un campo eléctrico que se produce por el desvío eléctrico es sustancialmente paralelo a un eje a través de los dos puntos cuánticos, en donde los dos puntos cuánticos incluyen un primero y un segundo punto cuántico, en donde el primer punto cuántico y el semiconductor proporcionan un estado continuo, en donde el segundo punto cuántico proporciona un estado discreto, en donde el estado continuo y el estado discreto se acoplan cuando el desvío eléctrico se aplica a los contactos eléctricos, y en donde el desvío eléctrico proporciona un mecanismo…

Pantalla electrónica con sistema anticopia.

(13/07/2018). Solicitante/s: VELAZ LOMBIDE, Iñigo. Inventor/es: GOMEZ LIMA,Santos.

1. Pantalla electrónica con sistema anticopia; caracterizada por disponer de emisores infrarrojos cuya luz puede ser captada por las cámaras pero es imperceptible para el ojo humano.

PDF original: ES-1215410_U.pdf

Pantalla de cine con sistema anticopia.

(29/05/2018). Solicitante/s: VELAZ LOMBIDE, Iñigo. Inventor/es: VELAZ LOMBIDE,Iñigo, GOMEZ LIMA,Santos.

1. Pantalla de cine con sistema anticopia; caracterizado por que contiene una pantalla de proyección, una serie de focos de emisión infrarroja que puede ser captada por las cámaras pero es imperceptible para el ojo humano. 2. Pantalla de cine con sistema anticopia; caracterizado por que dispone de una serie de matrices de LEDs infrarrojos colocados por la parte trasera de la pantalla cerca de la superficie de proyección.

PDF original: ES-1213244_U.pdf

Control de la detectabilidad de un artículo y procedimiento para autenticar el artículo.

(14/02/2018). Solicitante/s: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Inventor/es: KANE, JAMES, LAU,CARSTEN, RAPOPORT,WILLIAM R.

Un luminóforo en cascada, que comprende: a) un material hospedante; y b) al menos tres iones activos de tierras raras sustituidos en el material hospedante para formar el luminóforo en cascada, donde cada uno de los al menos tres iones activos se selecciona del grupo que consiste en erbio, holmio, neodimio, tulio e iterbio, donde, cuando el luminóforo en cascada es irradiado con una radiación incidente actúa como un convertidor descendente, y dicho primer ion activo transfiere energía a dicho segundo ion activo, y dicho segundo ion activo transfiere energía a dicho tercer ion activo, y al menos uno de los iones activos produce una emisión luminiscente que tiene una longitud de onda de al menos 1700 nm aproximadamente; donde el luminóforo en cascada tiene al menos una emisión a una longitud de onda superior a la longitud de onda de la energía de excitación.

PDF original: ES-2667846_T3.pdf

Elemento emisor de luz semiconductor.

(20/12/2017) Un elemento emisor de luz semiconductor que comprende; una parte de pila de semiconductores que incluye una capa emisora de luz; una cara de difracción (2a) en un lado de superficie principal al que incide la luz emitida desde la capa emisora de luz, en el que en dicha cara de difracción (2a) las porciones convexas (2c) se forman en un período que es más largo que una longitud de onda óptica de la luz y es más corto que una longitud coherente de la luz, en el que la cara de difracción refleja la luz incidente en multimodo de acuerdo con la condición de difracción de Bragg y transmite la luz incidente en multimodo de acuerdo con la condición de difracción de Bragg; y una cara de reflexión que refleja la luz multimodo difractada en la cara de difracción (2a) y deja que esta luz…

Fuente de luz que comprende agrupamientos emisores de luz.

(06/09/2017) Una fuente de luz para producir una salida espectral a una intensidad de salida, comprendiendo la fuente de luz: uno o más agrupamientos emisores de luz de un primer tipo, cada uno de los cuales comprende una primera combinación de uno o más elementos emisores de luz en cada uno de al menos un primer, un segundo y un tercer color; uno o más agrupamientos emisores de luz de un segundo tipo, cada uno de los cuales comprende una segunda combinación de uno o más elementos emisores de luz en uno o más de dichos primero, dicho segundo y dicho tercer color; y un elemento de accionamiento para activar dichos agrupamientos emisores de luz; en la que, cuando se acciona a la intensidad de salida, la salida espectral es proporcionada por una salida espectral combinada de dichos uno o más agrupamientos emisores de luz de dicho…

Materiales luminiscentes que emiten luz en el rango visible o en un rango cercano al de infrarrojos y métodos de formación de los mismos.

(05/07/2017). Solicitante/s: Omnipv, Inc. Inventor/es: VOCKIC,NEMANJA, KENNEY,JOHN, WANG,JIAN JIM, PFENNINGER,WILLIAM MATTHEW.

Un material luminiscente con la fórmula: [AaSnbXxX'xX"x"] [dopante], donde el material luminiscente es policristalino e incluye cristalitos que tienen tamaños en el rango de las sub-micras. A está incluido en el material luminiscente como un catión monovalente; X, X', y X" se seleccionan a partir de flúor, cloro, bromo y yodo; α es 2; b es 1; una suma de x, x' y x" es α + 2b; y al menos X' es yodo, de modo que x'/(α + 2b) ≥ 1/5.

PDF original: ES-2648256_T3.pdf

Fuente de fotones individuales apropiada para la producción a gran escala y procedimiento de producción.

(11/01/2017). Solicitante/s: FORSCHUNGSZENTRUM JULICH GMBH. Inventor/es: MIKULICS,MARTIN, HARDTDEGEN,HILDE.

Fuente de fotones individuales, que comprende al menos un cuerpo sólido activo , que en el caso de excitación con luz, cuyos fotones presentan en cada caso una energía de excitación, emite en un intervalo de tiempo predeterminado un fotón individual con una energía de emisión menor, estando dispuesto el cuerpo sólido activo sobre una superficie o superficie límite de una fuente de luz primaria que se hace funcionar eléctricamente para fotones con la energía de excitación, de modo que puede excitarse a través de esta superficie o superficie límite, caracterizada porque en el cuerpo sólido activo sólo hay un único nivel de energía que puede excitarse mediante la fuente de luz primaria.

PDF original: ES-2618286_T3.pdf

Oligopéptidos de metaloproteinasas y su uso terapéutico.

(07/12/2016). Solicitante/s: RATH, MATTHIAS. Inventor/es: RATH, MATTHIAS.

Un método que comprende: identificar una secuencia oligopeptídica para una metaloproteinasa de la matriz expresada en una enfermedad específica, sintetizar la secuencia oligopeptídica para la metaloproteinasa de la matriz, formular una cantidad terapéuticamente eficaz de una composición de tratamiento usando la secuencia oligopeptídica de la metaloproteinasa de la matriz, preparar una composición farmacéutica usando la composición de tratamiento para tratar a un mamífero que tiene la enfermedad específica que muestra una sobreexpresión de la metaloproteinasa de la matriz, en el que la secuencia oligopeptídica de la metaloproteinasa de la matriz es al menos una de las SEQ ID NO: 2 a 21 o una combinación de las mismas.

PDF original: ES-2618605_T3.pdf

Diodos emisores de luz basados en nitruro de galio altamente eficientes por medio de una superficie convertida en rugosa.

(16/11/2016) Un diodo emisor de luz de (Al, Ga, In)N compuesto de: al menos una capa de tipo n , una capa de emision y una 5 capa de tipo p ; en el que la luz desde la capa de emision se extrae a traves de una superficie de cara de nitrogeno, denominada en lo que sigue "superficie de cara N", del diodo emisor de luz y la superficie de cara N del diodo emisor de luz esta compuesta de una rugosidad superficial con forma de cono que incrementa la eficiencia de extraccion de la luz desde la capa de emision fuera de la superficie de cara N del diodo emisor de luz; y en el que las formas de cono de la rugosidad superficial de la superficie de cara N tienen un tamano proximo…

Luminaria basada en unos LED integrados para iluminación general.

(03/08/2016). Solicitante/s: Philips Lighting North America Corporation. Inventor/es: LYS, IHOR A., MORGAN, FREDERICK M., DOWLING, KEVIN J., WILLIAMSON,Ryan C, ROBERGE,BRIAN, ROBERTS,RON, DATTA,MIKE, MOLLNOW,THOMAS.

Un aparato de iluminación , que comprende: una fuente de luz basada en LED montada sobre un sustrato térmicamente conductor , teniendo el sustrato térmicamente conductor un rebaje formado en el mismo, cerca de la fuente de luz basada en LED; una tarjeta de circuito impreso que tiene una pestaña para insertarla en el rebaje formado en el sustrato térmicamente conductor; y un sensor de temperatura dispuesto sobre la pestaña de la tarjeta de circuito impreso , de modo que cuando la tarjeta de circuito impreso se inserta en el rebaje , el sensor de temperatura se integra en el sustrato térmicamente conductor cerca de la fuente de luz basada en LED.

PDF original: ES-2663839_T3.pdf

Arquitectura de bastidor de conductores estirado con lente de dispersión sobremoldeada.

(27/07/2016) Un procedimiento de fabricación de un aparato de iluminación de dispositivo emisor de luz de estado sólido (LED), que comprende: formar un conjunto de bastidor de conductores, que comprende: formar un grupo de bastidores de conductores sobre un sustrato de bastidor de conductores, estando los bastidores de conductores separados con un primer paso, comprendiendo cada bastidor de conductores una o más almohadillas; formar interconexiones en el sustrato del bastidor de conductores, estando las interconexiones en un estado plegado inicial, enlazando cada interconexión dos bastidores de conductores adyacentes; montar los LEDs en los bastidores de conductores; disponer unos elementos…

Cuerpo transparente con fuente de luz de LED invisible.

(01/06/2016). Solicitante/s: D. Swarovski KG. Inventor/es: TEISSL,CHRISTIAN.

Cuerpo de vidrio transparente, biselado al menos por secciones, con al menos un dispositivo fotógeno dispuesto en el cuerpo , que presenta al menos un chip semiconductor inorgánico , practicándose en el cuerpo un microagujero para la recepción al menos parcial del chip semiconductor y realizándose al menos el chip semiconductor de forma transparente.

PDF original: ES-2589009_T3.pdf

Módulo soporte de Led.

(15/03/2016). Solicitante/s: GIMENO GIRÓ, Jaume. Inventor/es: GIMENO GIRÓ,Jaume, GIMENO GIRO,Marc.

Módulo soporte de led diseñado para poder insertar en su interior, sin herramientas especiales ni operaciones de soldadura, varios tipos de diodos led de alta eficiencia lumínica, caracterizado porque se compone de tapa de cierre inferior, cápsula externa, placa soporte, cápsula interna, disipador, tapa de cierre superior y tarjeta de control tipo SD. La cápsula externa tiene rosca hembra ventana circular y patillas de anclaje; la placa soporte tiene posicionador, ventana troncocónica y pletinas; la cápsula interna tiene rosca macho y oquedad cilíndrica; el disipador es de aluminio y la tarjeta de control queda colocada dentro o fuera del módulo. Diseñado para varios tamaños de leds industriales tiene, al menos, dos modelos de tapa de cierre inferior y dos modelos de placa soporte siendo idéntica siempre la forma y dimensiones de la cápsula externa e interna. La tarjeta de control admite la conexión con las de otros módulos.

PDF original: ES-2563651_B1.pdf

PDF original: ES-2563651_A1.pdf

Diodo con resistencia externa incorporada.

(22/02/2016). Solicitante/s: UNIVERSIDAD REY JUAN CARLOS. Inventor/es: MIRAUT ANDRES,David.

El diodo con resistencia externa incorporada combina en un único componente electrónico discreto la funcionalidad de un diodo LED y el mecanismo que limita la corriente que lo atraviesa, para una diferencia de potencial eléctrico aplicable entre sus terminales previamente fijada en las especificaciones del dispositivo por parte del fabricante. Ahorra espacio en los circuitos, elimina la necesidad de tener una amplia variedad de resistencias con las que combinar los diodos LED para asegurar su eficiencia lumínica, y evita posibles errores en la colocación de dichas resistencias que pueden reducir el tiempo de vida del LED.

PDF original: ES-2560752_A1.pdf

PDF original: ES-2560752_B1.pdf

Dispositivo óptico para lámpara basada en LED.

(10/06/2015) Un dispositivo óptico para distribuir emisiones radiantes de un emisor de luz, comprendiendo el dispositivo óptico: una sección de transferencia ; y una sección de eyección situada sobre la sección de transferencia , pudiendo dicha sección de transferencia accionarse para su colocación sobre un emisor de luz y accionarse para transferir una emisión radiante desde dicho emisor de luz a dicha sección de eyección , estando dicha sección de eyección conformada de tal modo que la emisión se redistribuye externamente en un ángulo sólido, caracterizado porque dicha sección de eyección tiene una superficie…

Dispositivo de iluminación.

(27/05/2015) Un dispositivo de iluminación cromáticamente no uniforme, que comprende: - una fuente de luz artificial de banda ancha que comprende una fuente de luz blanca o una fuente de luz con un ancho de banda espectral superior a 100 nanómetros en el rango de longitudes de onda entre 400 nanómetros y 700 nanómetros, comprendiendo la fuente de luz artificial uno o más elementos activos que emiten fotones o que absorben fotones y luego los vuelven a emitir en una longitud de onda superior; - un difusor cromático situado aguas abajo de la fuente de luz artificial; el difusor cromática está configurado para no emitir luz y cambiar la dirección de propagación…

Composición refrigerante, y dispositivo de iluminación de tipo LED que comprende dicha composición refrigerante.

(16/04/2015) Composición refrigerante, y dispositivo de iluminación de tipo LED que comprende dicha composición refrigerante. La composición comprende: al menos un bifenilo policlorado; agua; glicerina; y al menos uno seleccionado de entre al menos un aceite mineral y al menos un éster. El dispositivo de iluminación comprende: al menos un LED, que comprende un chip semiconductor, capaz de emitir luz cuando se le aplica una corriente eléctrica; y unos medios de refrigeración, configurados y localizados para reducir la temperatura del chip , disipando calor del chip ; y una cápsula que encierra el chip , y los medios…

Fotobiorreactor en medio cerrado para el cultivo de microorganismos fotosintéticos.

(18/03/2015) Fotobiorreactor destinado al cultivo de microorganismos fotosintéticos, preferentemente de microalgas, que comprende: (a) por lo menos un recinto de cultivo destinado a contener el medio de cultivo de los microorganismos, (b) unas células fotovoltaicas aisladas del medio de cultivo que emiten la luz hacia el medio de cultivo (c) unos medios de alimentación eléctrica de las células fotovoltaicas con el fin de hacer funcionar las células fotovoltaicas en modo de emisión de luz.

Material con persistencia luminosa de luz amarilla, procedimiento de fabricación del mismo y dispositivo de luminiscencia led que usa el mismo.

(29/10/2014) Un material con persistencia luminosa de luz amarilla, que comprende la siguiente fórmula química: aY2O3*bAl2O3*cSiO2.mCe*nB*xNa*yP, en la que a, b, c, m, n, x e y son coeficientes, y a no es inferior a 1 pero no es superior a 2, b no es inferior a 2 pero no es superior a 3, c no es inferior a 0,001 pero no es superior a 1, m no es inferior a 0,0001 pero no es superior a 0,6, n no es inferior a 0,0001 pero no es superior a 0,5, x no es inferior a 0,0001 pero no es superior a 0,2, e y no es inferior a 0,0001 pero no es superior a 0,5.

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