CIP 2015 : H01L 23/38 : Dispositivos de refrigeración que utilizan el efecto Peltier.

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H SECCION H — ELECTRICIDAD.

H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.

H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).

H01L 23/00 Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (H01L 25/00 tiene prioridad).

H01L 23/38 · · Dispositivos de refrigeración que utilizan el efecto Peltier.

CIP2015: Invenciones publicadas en esta sección.

Control térmico activo para dispositivos de IC apilados.

(11/03/2020). Solicitante/s: QUALCOMM INCORPORATED. Inventor/es: GU,SHIQUN, NOWAK,MATTHEW, TOMS,THOMAS R.

Un dispositivo de IC apilado que comprende: un nivel superior y un nivel inferior , teniendo cada nivel una capa de sustrato y una capa activa en la que están dispuestos unos circuitos activos, en el que el nivel superior y el nivel inferior están apilados de modo que la capa activa del nivel superior está enfrente de la capa activa del nivel inferior; y un dispositivo termoeléctrico (TE) que comprende al menos una unión P-N y un conductor inferior , en el que el material de la unión P-N está dispuesto dentro de la capa de sustrato del nivel superior, en el que el dispositivo TE está adaptado para facilitar un flujo térmico entre el conductor inferior de dicho dispositivo TE y un área localizada del dispositivo de IC apilado , y en el que el flujo térmico pasa a través de las capas activas de los niveles superior e inferior.

PDF original: ES-2796653_T3.pdf

Dispositivo electrónico portátil con duración y refrigeración de batería mejoradas.

(16/04/2014) Un dispositivo electrónico incluyendo un circuito electrónico ; un módulo termoeléctrico ; y un material de cambio de fase acoplado al módulo termoeléctrico, caracterizándose el dispositivo electrónico porque: el material de cambio de fase se coloca junto al circuito electrónico para absorber y almacenar calor del circuito electrónico , y el módulo termoeléctrico tiene una superficie adyacente a un lado del material de cambio de fase de tal manera que la temperatura de una superficie sea aproximadamente la temperatura del lado del material de cambio de fase, y una superficie opuesta cerca de una superficie externa del dispositivo electrónico .

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