CIP-2021 : H01L 27/144 : Dispositivos controlados por radiación.

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H ELECTRICIDAD.

H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.

H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).

H01L 27/00 Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común (detalles H01L 23/00, H01L 29/00 - H01L 51/00; conjuntos que consisten en una pluralidad de dispositivos de estado sólido individuales H01L 25/00).

H01L 27/144 · · Dispositivos controlados por radiación.

CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.

Aparato de detección de luz de alta velocidad.

(30/10/2019) Aparato óptico que comprende: un sustrato semiconductor de silicio [reivindicación 14]; una capa de germanio-silicio acoplada al sustrato semiconductor, incluyendo la capa de germaniosilicio una región de sensor óptico [p. 8, 1. 28-29] [reivindicación 1] configurada para absorber fotones y para generar foto-portadores a partir de los fotones absorbidos, en el que una composición de la capa de germanio-silicio difiere de una composición del sustrato semiconductor; uno o más primeros conmutadores controlados por una primera señal de control, estando configurados los uno o más primeros conmutadores para recoger al menos una parte de los foto-portadores en base a la primera señal de control; y uno o más segundos conmutadores controlados por una segunda señal de control, estando configurados…

Implante de retina con fotodiodo alimentado por corriente continua rectificada.

(29/04/2015) Elemento microelectrónico para un dispositivo de implante médico destinado a ser implantado en el cuerpo humano o animal, comprendiendo el elemento microelectrónico : una unidad funcional que incluye una microelectrónica de aplicación específica para realizar una función en el dispositivo de implante médico, comprendiendo la unidad funcional un fotodetector para detectar la luz incidente; un medio rectificador adaptado para convertir una tensión de alimentación CA en una tensión CC, estando adaptada la tensión CC proporcionada por el medio rectificador , o una tensión de operación derivada de la tensión CC, para ser suministrada a la unidad funcional ; estando integrados la unidad funcional y el medio rectificador sobre un sustrato semiconductor común…

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