CIP 2015 : H01L 27/00 : Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común (detalles H01L 23/00,

H01L 29/00 - H01L 51/00; conjuntos que consisten en una pluralidad de dispositivos de estado sólido individuales H01L 25/00).

CIP2015HH01H01LH01L 27/00[m] › Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común (detalles H01L 23/00, H01L 29/00 - H01L 51/00; conjuntos que consisten en una pluralidad de dispositivos de estado sólido individuales H01L 25/00).

H01L 27/01 · que comprenden solamente elementos pasivos de película delgada o gruesa formados sobre un sustrato aislante común.

Notas[n] desde H01L 27/01 hasta H01L 27/28:
  • En los grupos H01L 27/01 - H01L 27/28, se aplica la regla del último lugar, es decir en cada nivel jerárquico, salvo que se indique lo contrario, la clasificación se realiza en el último lugar apropiado.

H01L 27/02 · incluyendo componentes semiconductores especialmente adaptados para rectificación, amplificación, generación de oscilaciones, conmutación y teniendo al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie.; incluyendo elementos de circuito pasivos integrados con al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie.

H01L 27/04 · · el sustrato común es un cuerpo semiconductor.

H01L 27/06 · · · con una pluralidad de componentes individuales en una configuración no repetitiva.

H01L 27/07 · · · · teniendo los componentes una región activa en común.

H01L 27/08 · · · únicamente con componentes semiconductores de un solo tipo.

H01L 27/082 · · · · comprendiendo únicamente componentes bipolares.

H01L 27/085 · · · · comprendiendo únicamente componentes de efecto de campo.

H01L 27/088 · · · · · siendo los componentes transistores de efecto de campo de puerta aislada.

H01L 27/092 · · · · · · transistores de efecto de campo metal-aislante-semiconductor complementario.

H01L 27/095 · · · · · siendo los componentes transistores de efecto de campo con puerta de barrera Schottky.

H01L 27/098 · · · · · siendo los componentes transistores de efecto de campo con puerta de unión PN.

H01L 27/10 · · · con una pluralidad de componentes individuales en una configuración repetitiva.

H01L 27/102 · · · · comprendiendo componentes bipolares.

H01L 27/105 · · · · comprendiendo componentes de efecto de campo.

H01L 27/108 · · · · · Estructuras de memorias dinámicas de acceso aleatorio.

H01L 27/11 · · · · · Estructuras de memorias estáticas de acceso aleatorio.

H01L 27/112 · · · · · Estructuras de memorias de solo lectura.

H01L 27/115 · · · · · · Memorias de solo lectura programables eléctricamente (EPROM).

H01L 27/118 · · · · Circuitos integrados de capa matriz.

H01L 27/12 · · el sustrato es diferente de un cuerpo semiconductor, p. ej. un cuerpo aislante.

H01L 27/13 · · · combinado con componentes pasivos de película delgada o gruesa.

H01L 27/14 · con componentes semiconductores sensibles a los rayos infrarrojos, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas o a la radiación corpuscular, y adaptados para convertir la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien como dispositivos de control de la energía eléctrica por tales radiaciones (componentes sensibles a las radiaciones asociados estructuralmente a una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 31/14; dispositivos de acoplamiento de guías de luz con elementos opto-electrónicos G02B 6/42).

H01L 27/142 · · Dispositivos de conversión de energía (módulos fotovoltaicos o conjuntos de células fotovoltaicas individuales que comprende diodos de derivación integrados o directamente asociado con las células fotovoltaicas sólo H01L 31/0443; módulos fotovoltaicos compuestas de una pluralidad de células solares de película delgada depositados en el mismo sustrato H01L 31/046).

H01L 27/144 · · Dispositivos controlados por radiación.

H01L 27/146 · · · Estructuras de captadores de imágenes.

H01L 27/148 · · · · Captadores de imágenes por acoplamiento de carga.

H01L 27/15 · con componentes semiconductores con al menos una barrera de potencial o de superficie, adaptados para la emisión de luz.

H01L 27/16 · con componentes termoeléctricos con o sin unión de materiales diferentes; con componentes termomagnéticos (que utilizan el efecto Peltier únicamente para la refrigeración de dispositivos de semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido H01L 23/38).

H01L 27/18 · con componentes que presentan un efecto de superconductividad.

H01L 27/20 · con componentes piezoeléctricos; con componentes electroestrictivos; con componentes magnetoestrictivos.

H01L 27/22 · con componentes que utilizan los efectos galvanomagnéticos, p. ej. efecto Hall; que utilizan los efectos de campos magnéticos análogos.

H01L 27/24 · con componentes de estado sólido para la rectificación, amplificación o conmutación, sin barrera de potencial ni de superficie.

H01L 27/26 · con componentes de resistencia negativa con efecto de volumen.

H01L 27/28 · con componentes que utilizan materiales orgánicos como la parte activa o que utilizan una combinación de materiales orgánicos con otros materiales como la parte activa.

H01L 27/30 · · con componentes especialmente adaptados para detectar radiación infrarroja, luz, radiación electromagnética de menor longitud de onda o radiación corpuscular; con componentes especialmente adaptados bien para la conversión en energía eléctrica de la energía de dicha radiación o bien para el control de energía eléctrica mediante dicha radiación.

H01L 27/32 · · con componentes especialmente adaptados para la emisión de luz, p. ej. monitores de pantalla plana que utilizan diodos emisores de luz orgánicos.

CIP2015: Invenciones publicadas en esta sección.

Establecimiento de llamada de telecomunicación de medios mixtos.

(18/03/2016). Ver ilustración. Solicitante/s: 3G Licensing S.A. Inventor/es: CROOK,MICHAEL DAVID STANMORE.

Estación móvil apta para videotelefonía en respuesta a una interrupción de una llamada en curso de telecomunicaciones de medios mixtos, comprendiendo la estación móvil: - una interfaz de radiofrecuencia configurada para comunicar por medio de una red de telecomunicaciones de radio; - un transmisor configurado para transmitir datos que llevan por lo menos un primer y un segundo medios a una estación móvil remota durante una primera llamada de telecomunicaciones de medios mixtos; - un procesador en comunicación con la interfaz de radiofrecuencia configurado para recibir una indicación de que la transmisión de datos a la estación móvil remota en la primera llamada de telecomunicaciones de medios mixtos está siendo interrumpida; - estando el procesador además configurado, en respuesta a la indicación, para iniciar una segunda llamada a la estación móvil remota, no soportando la segunda llamada los segundos medios.

PDF original: ES-2564177_T3.pdf

Hardware para cómputo de la imagen integral.

(20/10/2015) La presente invención, según se expresa en el enunciado de esta memoria descriptiva, consiste en hardware de señal mixta para cómputo de la imagen integral en el plano focal mediante una agrupación de celdas básicas de sensado-procesamiento cuya interconexión puede ser reconfigurada mediante circuitería periférica que hace posible una implementación muy eficiente de una tarea de procesamiento muy útil en visión artificial como es el cálculo de la imagen integral en escenarios tales como monitorización de espacios naturales, robótica, ayuda a la navegación aérea no tripulada, etc. El área científico-técnica de la invención es la de tecnologías físicas, concretamente microelectrónica. Su marco de aplicación general sería el de sistemas electrónicos…

HARDWARE PARA CÓMPUTO DE LA IMAGEN INTEGRAL.

(24/09/2015). Ver ilustración. Solicitante/s: UNIVERSIDAD DE SEVILLA. Inventor/es: RODRIGUEZ VAZQUEZ,ANGEL, CARMONA GALÁN,Ricardo, FERNÁNDEZ BERNI,Jorge, DEL RÍO FERNÁNDEZ,Rocío.

La presente invención, consiste en hardware de señal mixta para cómputo de la imagen integral en el plano focal mediante una agrupación de celdas básicas de sensado-procesamiento cuya interconexión puede ser reconfigurada mediante circuitería periférica que hace posible una implementación muy eficiente de una tarea de procesamiento muy útil en visión artificial como es el cálculo de la imagen integral en escenarios tales como monitorización de espacios naturales, robótica, ayuda a la navegación aérea no tripulada etc. El área científico-técnica de la invención es la de tecnologías físicas, concretamente microelectrónica. Su marco de aplicación general sería el de sistemas electrónicos de muy bajo consumo de potencia diseñados para llevar a cabo tareas de visión artificial, es decir, captura de imágenes, análisis de las mismas y actuación en caso de que los resultados de dicho análisis así lo requieran.

Una estructura de píxel que tiene un absorbente de tipo paraguas con uno o más rebajes o canales calibrados para aumentar la absorción de radiación.

(14/08/2013) Una estructura de píxel para usar en un generador de imágenes infrarrojo, que comprende: - un sustrato , y - un bolómetro que comprende: un transductor que tiene una relación de separación con respecto a dicho sustrato, teniendo el transductor unaresistencia eléctrica que varía en respuesta a cambios en la temperatura del transductor, y un absorbente que tiene una conexión térmica con el transductor que permite que la radiación absorbida por elabsorbente caliente el transductor; en la que el absorbente tiene un lado superior que define un rebaje (112a, 112b) en el absorbente, estando elrebaje adaptado para afectar a la trayectoria de propagación de una porción de radiación recibida por el absorbentede tal manera que…

PROCESADOR DE IMÁGENES PARA EXTRACCIÓN DE CARACTERÍSTICAS.

(08/08/2013). Ver ilustración. Solicitante/s: UNIVERSIDAD DE SANTIAGO DE COMPOSTELA. Inventor/es: RODRIGUEZ VAZQUEZ,ANGEL, BREA SÁNCHEZ,Victor Manuel, SUÁREZ CAMBRE,Manuel, PARDO SECO,Fernando Rafael, CARMONA GALÁN,Ricardo.

La presente invención se refiere a un procesador de imágenes para la extracción de características que comprende un único chip no planar que contiene una pluralidad de sensores integrados y recursos de procesamiento distribuidos en dos o más capas adaptado a capturar cuadros de imágenes y extraer características de las imágenes. En una realización particular, el chip no planar es un circuito integrado CMOS-3D (CI CMOS- 3D) con una distribución vertical de los recursos de sensado y de procesado distribuidos en dos o más capas verticales de circuito integrado. El CI CMOS-3D implementa dos o más detectores de características en un único chip reutilizando una pluralidad de circuitos empleados para la obtención del gradiente y de puntos clave. Los detectores de características incluyen un detector invariante a transformaciones (SIFT), un detector de Harris y un detector basado en la matriz Hessiana.

METODO PARA PRODUCIR SUBSTRATOS SEMICONDUCTORES CRISTALINOS DE CALIDAD VLSI.

(16/02/2000). Solicitante/s: AUGUSTO, CARLOS JORGE RAMIRO PROENCA. Inventor/es: AUGUSTO, CARLOS JORGE RAMIRO PROENCA.

ES DESCRITO UN METODO QUE HACE POSIBLE USAR LOS SUBSTRATOS SEMICONDUCTORES CRISTALINOS DE CALIDAD VLSI PARA LA FABRICACION DE LOS DISPOSITIVOS ACTIVOS DE PANELES PLANOS DE MATRIZ ACTIVA (AMFPD). LOS SUBSTRATOS VLSI SE PROPORCIONAN DISPONIENDO UNA CAPA DE MATERIAL TRANSPARENTE A LA LUZ EN ESAS AREAS DE UNA OBRA SEMICONDUCTORA EN LOS CUALES NO SE DISPONDRAN DISPOSITIVOS ACTIVOS, ELIMINANDO LA OBRA SEMICONDUCTORA CON LO CUAL SE OBTIENE UNA OBRA TRANSPARENTE CON REGIONES SEMICONDUCTORAS CRISTALINAS Y LUEGO CONFORMANDO LA OBRA TRANSPARENTE EN UNA UNIDAD MODULAR DEL TAMAÑO ADECUADO. VARIAS UNIDADES MODULARES PUEDEN SER UNIDAS A UN SUSTRATO DE VIDRIO Y UN MATERIAL CONDUCTOR ES LUEGO DEPOSITADO PARA HACER INTERCONEXIONES ELECTRICAS ENTRE LAS UNIDADES MODULARES. LA OPERACION DE ENLACE PUEDE SER DESARROLLADA A TEMPERATURA AMBIENTE USANDO UN PEGAMENTO TRANSPARENTE A LA LUZ O A TEMPERATURA MAS ALTA USANDO UNA TECNICA DE UNION DE OBLEAS CONOCIDA EN TECNOLOGIA DE LA SILICE SOBRE AISLANTE.

PROCEDIMIENTO DE FABRICACION DE INTERCONEXIONES ELECTRONICAS EN TECNOLOGIA DE CAPA FINA.

(16/02/1992) PROCEDIMIENTO DE FABRICACION DE INTERCONEXIONES ELECTRONICAS EN TECNOLOGIA DE CAPA FINA. TIENE POR OBJETO CONSEGUIR LA CONSTRUCCION SOBRE UN SUSTRATO DE UN INTERCONEXIONADO DE MUY ALTA DENSIDAD Y RESOLUCION, CON UNA RESISTIVIDAD BAJA EN EL QUE INTEGRAN RESISTENCIAS DE ELEVADA ESTABILIDAD Y REDUCIDAS DIMENSIONES. INCLUYE UNA PRIMERA FASE DE LIMPIEZA DEL SUSTRATO MEDIANTE ATAQUE A BAJA PRESION; UNA SEGUNDA FASE DE METALIZACION MEDIANTE PULVERIZACION CATODICA REACTIVA; UNA TERCERA FASE DE METALIZACION (16 Y 17 O 16') MEDIANTE PULVERIZACION CATODICA REALIZADA SECUENCIALMENTE CON LA FASE ANTERIOR; UNA CUARTA FASE DE ENMASCARAMIENTO NEGATIVO PARA PROTEGER LAS ZONAS NO CONDUCTORAS; UNA QUINTA FASE DE CRECIMIENTO EN LA QUE SE DEPOSITA UN METAL…

MEJORAS INTRODUCIDAS EN LOS ELEMENTOS DE CIRCUITO.

(01/05/1959). Solicitante/s: PHILIPS'GLOEILAMPENFABRIEKEN , N. V..

Mejoras introducidas en los elementos de circuito que comprenden un cuerpo en el cual una zona que consiste de un semiconductor es adyacente a una zona que consiste de un electreto, estando provistos medios usualmente contactos sobre el cuerpo para aplicar una diferencia de potencial eléctrico a la juntura entre el electro y el semiconductor.