CIP-2021 : G02F 3/02 : Dispositivos biestables ópticos.

CIP-2021GG02G02FG02F 3/00G02F 3/02[1] › Dispositivos biestables ópticos.

G FISICA.

G02 OPTICA.

G02F DISPOSITIVOS O SISTEMAS CUYO FUNCIONAMIENTO OPTICO SE MODIFICA POR EL CAMBIO DE LAS PROPIEDADES OPTICAS DEL MEDIO QUE CONSTITUYE A ESTOS DISPOSITIVOS O SISTEMAS Y DESTINADOS AL CONTROL DE LA INTENSIDAD, COLOR, FASE, POLARIZACION O DE LA DIRECCION DE LA LUZ, p. ej. CONMUTACION, APERTURA DE PUERTA, MODULACION O DEMODULACION; TECNICAS NECESARIAS PARA EL FUNCIONAMIENTO DE ESTOS DISPOSITIVOS O SISTEMAS; CAMBIO DE FRECUENCIA; OPTICA NO LINEAL; ELEMENTOS OPTICOS LOGICOS; CONVERTIDORES OPTICOS ANALOGICO/DIGITALES.

G02F 3/00 Elementos ópticos lógicos; Dispositivos biestables ópticos.

G02F 3/02 · Dispositivos biestables ópticos.

CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.

DISPOSITIVO OPTICO DE CONMUTACION.

(01/10/2004). Solicitante/s: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. PHILIPS NORDEN AB. Inventor/es: VAN DER SLUIS, PAUL, OUWERKERK, MARTIN, DUINE, PETER, ALEXANDER.

LA INVENCION SE REFIERE A UN DISPOSITIVO DE CONMUTACION QUE COMPRENDE UN SUSTRATO TRANSPARENTE , UNA PELICULA DE CONMUTACION QUE INCLUYE HIDRUROS DE GADOLINIO U OTRO METAL TRIVALENTE Y MAGNESIO, CUBIERTA CON UNA CAPA DE PALADIO . MEDIANTE EL INTERCAMBIO DE HIDROGENO, LA PELICULA DE CONMUTACION PODRA SER CONMUTADA DE FORMA REVERSIBLE ENTRE UN ESTADO TRANSPARENTE Y UN ESTADO ESPECULAR CON TRANSMISION NULA VIA UN ESTADO INTERMEDIO DE ABSORCION DEL NEGRO. LA CONVERSION ENTRE LOS DOS ESTADOS ES REVERSIBLE Y ESE FENOMENO SE PODRA UTILIZAR POR EJEMPLO EN UN ELEMENTO DE CONMUTACION OPTICA O EN UN TECHO SOLAR.

DISPOSITIVO DE CONMUTACION Y EL USO DEL MISMO.

(16/09/2004). Solicitante/s: PHILIPS ELECTRONICS N.V. PHILIPS NORDEN AB. Inventor/es: GRIESSEN, RONALD, PIERRE, HUIBERTS, JOHANNES, NICOLAAS, RECTOR, JAN, HENDRIK.

SE DESCRIBE UN DISPOSITIVO DE CONMUTACION QUE COMPRENDE UN SUBSTRATO TRANSPARENTE , UNA PELICULA DE CONMUTACION REFLECTORA DE ITRIO QUE TIENE UN GROSOR DE 500 NM Y UNA CAPA DE PALADIO QUE TIENE UN GROSOR DE 5 NM. POR MEDIO DE LA UTILIZACION DE GAS A PRESION ATMOSFERICA Y A TEMPERATURA AMBIENTE, SE FORMA UNA PELICULA SEMICONDUCTORA Y TRANSPARENTE DE YH{SUB,3}, QUE ES CONVERTIDA EN UNA PELICULA METALICA SIMILAR A UN ESPEJO DE YH{SUB,2} MEDIANTE LA EXPOSICION AL CALOR. LA CONVERSION DE YH{SUB,2} EN YH{SUB,3} ES REVERSIBLE Y SE PUEDE UTILIZAR, POR EJEMPLO, EN UN ELEMENTO DE CONMUTACION OPTICO Y EN APARATOS DE EXPOSICION FINOS.

MODULADOR FABRY-PEROT.

(16/10/1997). Solicitante/s: BRITISH TELECOMMUNICATIONS PUBLIC LIMITED COMPANY. Inventor/es: WHITEHEAD, MARK.

UN MODULADOR FABRY-PEROT (FP) ASIMETRICO INCLUYE UNA ESTRUCTURA DE CAVIDAD CUANTICA CON CAVIDADES MAS ANCHAS (APROXIMADAMENTE 150ARMSTRONGS) DE LO NORMAL (UNOS 100 ARMSTRONGS). LA CAVIDAD FP TIENE UNA RESONANCIA A UNA LONGITUD DE ONDA DE ABSORCION MAXIMA EXCITONICA DE LA ESTRUCTURA DE LA CC. AUNQUE EL CAMBIO MAXIMO EN LA ABSORCION POLARIZADA ES INFERIOR CON CAVIDADES DE 150 ARMSTRONGS QUE CON CAVIDADES DE 100 ARMSTRONGS, LAS CARACTERISTICAS DE LA ELECTROABSORCION TAMBIEN SE ALTERAN, CON EL RESULTADO DE QUE SE PRODUCEN LOS CAMBIOS MAYORES A LA LONGITUD DE ONDA DEL EXCITON DE BORDE DE BANDA EL-HHL A POLARIZACION NULA. LA ABSORCION SE PUEDE REDUCIR POLARIZANDO LA CC Y, POR LO TANTO, EL MFPA PUEDE TENER UNA CARACTERISTICA QUE ES NORMALMENTE OFF (POLARIZACION NULA, REFLECTIVIDAD NULA). UN DISPOSITIVO TAL PERMITE UNA MODULACION MAS ALTA DEL CONTRASTE Y/O TENSIONES DE FUNCIONAMIENTO INFERIORES. EL MODULADOR FP SE PUEDEN UTILIZAR EN SEEDS.

MATERIAL DE POLIMERO DE EFECTO TERMOOPTICO PARA UN DISPOSITIVO OPTICO BIESTABLE.

(16/03/1997). Solicitante/s: ENICHEM S.P.A.. Inventor/es: COSTA, LORENZO, BLAU, WERNER, WESTLAND, DUNCAN JAMES, SKARDA, VLADIMIR.

LA PRESENTE INVENCION PROPORCIONA UN DISPOSITIVO OPTICO BIESTABLE EN QUE EL MEDIO ACTIVO ES UN MATERIAL DE POLIMERO DE EFECTO TERMOOPTICO INSERTADO EN UN RESONADOR DE CAVIDAD, PREFERIBLEMENTE UNA CAVIDAD DE RESONANCIA FABRY-PEROT, TRANSMITIENDO Y REFLEJANDO EN DICHA CAVIDAD EL MATERIAL UNA ONDA DE LUZ INCIDENTAL CON VALORES BIESTABLES Y VALORES QUE VARIAN CONFORME A SU ESTADO TERMICO. ESTA ULTIMA VARIA MEDIANTE LA ABSORCION DE UNA FRACCION DE LA ONDA DE LUZ INCIDENTAL, QUE TRANSFIERE CALOR AL MATERIAL DE POLIMERO PARA GENERAR AHI UN AUMENTO EN LA TRANSMISION DE LA LUZ INCIDENTAL Y UN INDICE DE REFRACCION VARIABLE EN RESPUESTA AL AUMENTO DE LA TEMPERATURA, PARA PROPORCIONAR ASI UN EFECTO DE RESPUESTA POSITIVO QUE PERMITE QUE EL DISPOSITIVO DE LA PRESENTE INVENCION VARIE ENTRE DOS ESTADOS BIESTABLES.

LASER SEMICONDUCTOR CON UNA ENTRADA OPTICA DE CONTROL.

(16/02/1996). Solicitante/s: ALCATEL CIT. Inventor/es: GABRIAGUES, JEAN-MICHEL, LE ROY, GUY.

EL PRESENTE DISPOSITIVO COMPRENDE UNA CAVIDAD LASER QUE TIENE UNA ZONA DE AMPLIFICACION LASER Y UNA ZONA DE ABSORCION SATURABLE . UN DISPOSITIVO DE ACOPLAMIENTO ASIMETRICO QUE COMPRENDE UNA PRIMERA Y UNA SEGUNDA GUIA DE LUZ QUE TIENE, PARA LA LONGITUD DE ONDA DE EMISION LASER DE LA CAVIDAD, INDICES DE REFRACCION EFECTIVOS DIFERENTES, ESTANDO EL INDICE EFECTIVO DE DICHA PRIMERA GUIA AL MENOS CERCA DEL INDICE EFECTIVO DEL MODO LASER QUE SE PROPAGA EN DICHAS ZONAS DE AMPLIFICACION Y DE ABSORCION, ESTANDO DISPUESTA DICHA SEGUNDA GUIA PARA PODER SER ACOPLADA CON UNA FUENTE DE SEÑALES OPTICAS DE CONTROL. LA INVENCION SE APLICA A LOS DISPOSITIVOS DE LASER QUE SE PUEDEN PONER EN MARCHA OPTICAMENTE Y QUE PUEDEN SERVIR, POR EJEMPLO DE OPERADOR FOTONICO BIESTABLE, DE ELEMENTO REGENERADOR OPTICO Y DE ELEMENTO DE UN REGISTRO DE DECALAJE O DE LINEA DE RETARDO OPTICO DE SALIDAS MULTIPLES.

PROCEDIMIENTO PARA LA UTILIZACION DE UN LASER DE SEMICONDUCTORES COMO COMPONENTE OPTOELECTRONICO BIESTABLE.

(16/06/1995). Solicitante/s: ALCATEL N.V.. Inventor/es: SCHILLING, MICHAEL, WUNSTEL, KLAUS, DR., IDLER, WILFRIED, BAUMS, DIETER, LAUBE, GERT, HILDEBRAND, OLAF.

A CAUSA DE LA INVENCION, SE OBTIENE UN PROCEDIMIENTO PARA LA UTILIZACION DE UN LASER DE SEMICONDUCTORES, QUE TIENE UNA CAVIDAD QUE SE EXTIENDE POR ENCIMA DE UN PLANO COPLANAR RESPECTO A LA SUPERFICIE BASICA DE UN SUBSTRATO , CON UNA ESTRUCTURA INTERRELACIONADA SENCILLA Y VARIAS ZONAS Y QUE SE UTILIZA COMO COMPONENTE OPTOELECTRONICO BIESTABLE DE LONGITUD DE ONDA, QUE EMITE LUZ EN FUNCION DE LA VARIACION DE LA DENSIDAD DE SOPORTE DE CARGA, EN AL MENOS UNA DE LAS ZONAS CON UNA LONGITUD DE ONDA (LAMBDA 1) O UNA SEGUNDA LONGITUD DE ONDA (LAMBDA 2).

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