Diodos PIN vertical y método para fabricarlos.

(06/04/2016) Método para fabricar un diodo Positivo Intrínseco Negativo (PIN) vertical, que comprende: · proporcionar una oblea epitaxial comprendiendo una capa de tipo N verticalmente apilada, una capa intrínseca y una capa de tipo P; · formar un contacto anódico del diodo Positivo Intrínseco Negativo (PIN) vertical, formando una metalización anódica en una primera porción (34a) de la capa de tipo P que define una región anódica; · formar una capa de aislamiento eléctrica alrededor de la región (34a) anódica tal que una primera porción de la capa intrínseca se extienda verticalmente entre la capa de tipo N y la región (34a) anódica y unas segundas…