CIP-2021 : H03H 9/24 : Detalles de construcción de resonadores de material que no es ni piezoeléctrico,
ni electroestrictivo, ni magnetoestrictivo.
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H ELECTRICIDAD.
H03 CIRCUITOS ELECTRONICOS BASICOS.
H03H REDES DE IMPEDANCIA, p. ej. CIRCUITOS RESONANTES; RESONADORES (medidas, ensayos G01R; disposiciones para producir una reverberación sonora o un eco G10K 15/08; redes de impedancia o resonadores que se componen de impedancias distribuidas, p. ej. del tipo guía de ondas, H01P; control de la amplificación, p. ej. control del ancho de banda de los amplificadores, H03G; sintonización de circuitos resonantes, p. ej. sintonización de circuitos resonantes acoplados, H03J; redes para modificar las características de frecuencia de sistemas de comunicación H04B).
H03H 9/00 Redes que comprenden dispositivos electromecánicos o electroacústicos; Resonadores electromecánicos (fabricación de elementos piezoeléctricos o magnetoestrictivos H01L 41/00; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos y similares H04R).
H03H 9/24 · Detalles de construcción de resonadores de material que no es ni piezoeléctrico, ni electroestrictivo, ni magnetoestrictivo.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Dispositivo micromecánico.
(13/04/2016). Solicitante/s: Teknologian tutkimuskeskus VTT Oy. Inventor/es: PRUNNILA,MIKA, JAAKKOLA,ANTTI, PENSALA,TUOMAS.
Un dispositivo micromecánico que comprende
- un elemento semiconductor que puede desviarse o resonar y que comprende al menos dos regiones que tienen diferentes propiedades de material, y
- medios de impulso o detección acoplados funcionalmente a dicho elemento semiconductor,
- al menos una de dichas regiones comprende uno o más agentes de dopaje tipo-n,
- en volúmenes relativos, concentraciones de dopaje, agentes de dopaje y/u orientaciones de cristal de las regiones se configuran de modo que
• las sensibilidades a temperatura de la rigidez generalizada son de signo opuesto al menos a una temperatura para las regiones, y
• la deriva de temperatura total de la rigidez generalizada del elemento semiconductor es 50 ppm o menos en un intervalo de temperaturas de 100 °C,
caracterizado por que la al menos una primera región y al menos una segunda región son regiones distintas que comprenden diferentes concentraciones de dopaje del uno o más agentes de dopaje tipo-n.
PDF original: ES-2582328_T3.pdf
Compensación de temperatura para resonador MEMS de silicio.
(13/05/2015) Método de compensación de variaciones de frecuencia inducidas térmicamente en un resonador microelectromecánico que tiene una frecuencia de resonancia deseada, en el que el resonador microelectromecánico comprende una viga oscilante y un contraelectrodo , y en el que la viga oscilante está separada del contraelectrodo por una distancia de trabajo (d), comprendiendo el método: determinar la frecuencia de funcionamiento real del resonador micromecánico; y aplicar una rigidez compensatoria a la viga oscilante en relación con la frecuencia de funcionamiento real y la frecuencia de resonancia deseada de modo que el resonador proporciona la frecuencia de resonancia deseada a lo largo…