CIP-2021 › H › H01 › H01L › H01L 21/00 › H01L 21/283[5] › Depósito de materiales conductores o aislantes para los electrodos.
Notas[n] desde H01L 21/02 hasta H01L 21/67:
- Los grupos H01L 21/70 tienen prioridad sobre los grupos H01L 21/02 - H01L 21/67 .
H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas.
H01L 21/283 · · · · · Depósito de materiales conductores o aislantes para los electrodos.
(16/11/2001). Ver ilustración. Solicitante/s: TELEFONAKTIEBOLAGET LM ERICSSON. Inventor/es: KRONLUND, BERTIL, KARL.
EN UN METODO PARA LA PRODUCCION DE UN CONTACTO OHMICO A UNA CAPA DE {AL} -SIC TIPO P (3B) EN UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR , LAS CAPAS DE ALUMINIO, TITANIO Y SILICIO SE DEPOSITAN SOBRE DICHA CAPA DE {AL} ANTEDICHAS SE RECUECEN PARA CONVERTIR AL MENOS PARTE DE DICHAS CAPAS DEPOSITADAS EN ALUMINIO.
