CIP-2021 : C23C 16/20 : Deposición solamente de aluminio.

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Notas^[t] desde C21 hasta C30: METALURGIA

Notas^[g] desde C23C 16/00 hasta C23C 20/00: Deposición química o revestimiento por descomposición; Deposición por contacto

C QUIMICA; METALURGIA.

C23 REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO QUIMICO DE LA SUPERFICIE; TRATAMIENTO DE DIFUSION DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL; MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS, LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL.

C23C REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO DE MATERIALES METALICOS POR DIFUSION EN LA SUPERFICIE, POR CONVERSION QUIMICA O SUSTITUCION; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL (fabricación de productos revestidos de metal por extrusión B21C 23/22; revestimiento metálico por unión de objetos con capas preexistentes, ver las clases apropiadas, p. ej. B21D 39/00, B23K; metalización del vidrio C03C; metalización de piedras artificiales, cerámicas o piedras naturales C04B 41/00; esmaltado o vidriado de metales C23D; tratamiento de superficies metálicas o revestimiento de metales mediante electrolisis o electroforesis C25D; crecimiento de monocristales C30B; mediante metalización de textiles D06M 11/83; decoración de textiles por metalización localizada D06Q 1/04).

C23C 16/00 Revestimiento químico por descomposición de compuestos gaseosos, no quedando productos de reacción del material de la superficie en el revestimiento, es decir, procesos de deposición química en fase vapor (pulverización catódica reactiva o evaporación reactiva en vacío C23C 14/00).

C23C 16/20 · · · Deposición solamente de aluminio.

CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.

Composición de catalizador metálico.

(01/01/2020) Un procedimiento de formación de una composición de catalizador metálico, que comprende: realizar una pluralidad de ciclos de deposición de capas atómicas para formar un revestimiento de óxido metálico sobre un catalizador metálico soportado, donde uno o más de los ciclos de deposición de capas atómicas incluyen etapas secuenciales: (a) poner en contacto una superficie del catalizador metálico soportado con un precursor de óxido metálico que contiene un ligando durante un tiempo de contacto predeterminado para formar una capa intermedia que tiene una pluralidad de restos metálicos que se unen químicamente a la superficie catalizadora metálica soportado; (b) poner en contacto la capa intermedia con un gas inerte seleccionado del grupo que consiste en helio, nitrógeno,…

METALIZACION DE SUSTRATO(S) MEDIANTE UN PROCEDIMIENTO DE DEPOSICION LIQUIDO/VAPOR.

(15/09/2010) Un método para el control de la metalización sobre un sustrato mediante un proceso de deposición, que comprende: transportar un precursor que contiene al metal en un medio de transporte a través de una cámara hacia el sustrato, siendo la temperatura en el espacio de transporte menor que la temperatura de descomposición del precursor que contiene al metal, y depositar sobre el sustrato una capa metálica mediante la descomposición en el sustrato del precursor que contiene al metal, siendo la temperatura del sustrato mayor que la temperatura de descomposición del precursor que contiene al metal, en el que la temperatura del sustrato y la temperatura del precursor que contiene al metal en el espacio de transporte…

PROCESO PARA CREAR PELICULAS DEPOSITADAS USANDO DE HIDRURO DE ALQUIL ALUMINIO.

(16/03/1996). Solicitante/s: CANON KABUSHIKI KAISHA. Inventor/es: MIKOSHIBA, NOBUO, TSUBOUCHI, KAZUO, MASU, KAZUYA.

UN PROCESO PARA CREAR UNA PELICULA DE AL DE BUENA CALIDAD SEGUN EL METODO CVD QUE UTILIZA LA REACCION ENTRE HIDRURO DE ALUMINIO DE ALQUILO E HIDROGENO, QUE ES UN EXCELENTE PROCESO DE FORMACION DE PELICULA DEPOSITADA TAMBIEN CAPAZ DE UNA DEPOSICION SELECTIVA DE AL.