CIP-2021 : C25F 3/12 : de materiales semiconductores.
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Notas[t] desde C21 hasta C30: METALURGIA
C QUIMICA; METALURGIA.
C25 PROCESOS ELECTROLITICOS O ELECTROFORETICOS; SUS APARATOS.
C25F PROCESOS PARA LA ELIMINACION ELECTROLITICA DE MATERIA EN OBJETOS; SUS APARATOS (tratamiento del agua, agua residual o de alcantarilla por procesos electroquímicos C02F 1/46; protección anódica o catódica C23F 13/00).
C25F 3/00 Grabado o pulido electrolítico.
C25F 3/12 · · de materiales semiconductores.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
PROCEDIMIENTO PARA LA PRODUCCIÓN DE UNA ESTRUCTURA COMPUESTA ESTRATIFICADA FOTOACTIVA.
(06/02/2012) Procedimiento para la producción de una estructura compuesta estratificada fotoactiva con un macroabsorbente en forma de un substrato de silicio dopado y con un gran número de nanoemisores rectificadores en forma de nanoporos provistos de un metal de revestimiento, los cuales se encuentran por lo menos en una capa de óxido, transparente y aislante de la electricidad, sobre el macroabsorbente, con las siguientes etapas del procedimiento, siendo aplicados todos los potenciales que aparecen frente a un electrodo saturado de calomelanos: I) Producción de nanoporos - Inmersión de un substrato de silicio dopado no tratado en un primer baño de…
PROCEDIMIENTO PARA FABRICAR UN DISPOSITIVO OPTICO.
(01/07/1984). Solicitante/s: WESTERN ELECTRIC COMPANY, INC..
PROCEDIMIENTO PARA FABRICAR UN DISPOSITIVO OPTICO.CONSISTE EN MORDENTAR UNA PARTE DEL SEMICONDUCTOR COMPUESTO ELEGIDO ENTRE HAP, GAAS, ALAS, ALP Y OTROS PARA PRODUCIR UNA SUPERFICIE DE CALIDAD OPTICA, LLEVADO A CABO MEDIANTE UN FOTOMORDENTADO ELECTROQUIMICO EN EL CUAL SE PASA CORRIENTE ELECTRICA A TRAVES DEL SEMICONDUCTOR COMPUESTO, SOLUCION ELECTROLITICA CON UNA CONDUCTIVIDAD SUPERIOR A 0,0001 MHOS/CM Y UN CATODO. LA SOLUCION ELECTROLITICA ESTA COMPUESTA POR ACIDO FLUORHIDRICO ACUOSO EN CONCENTRACION ENTRE 0,01 A 5 MOLAR REALIZANDOSE EL FOTOMORDENTADO ELECTROQUIMICO POR APLICACIONDE UN POTENCIAL AL COMPUESTO SEMICONDUCTOR EN LA SOLUCION ELECTROLITICA Y EL POTENCIAL MINIMO DE LA BANDA DE CONDUCCION DEL SEMICONDUCTOR EN LA SOLUCION ELECTROLITICA. POSTERIORMENTE SE ILUMINA LA PARTE DE LA SUPERFICIE DEL SEMICONDUCTOR COMPUESTO A MORDENTAR CON RADIACION DE SUFICIENTE ENERGIA PARA PRODUCIR HUECOS EN LA BANDA DE VALENCIA.
PROCEDIMIENTO PARA FABRICAR UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR.
(16/06/1984) PROCEDIMIENTO PARA FABRICAR UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR.CONSISTE EN FOTOMORDENTAR ELECTROQUIMICAMENTE AL MENOS UNA PARTE DE LA SUPERFICIE DE UN SEMICONDUCTOR COMPUESTO PARA PRODUCIR ESPECIES OXIDADAS MEDIANTE EL PASO DE CORRIENTE A TRAVES DE UN SEMICONDUCTOR COMPUESTO , UNA SOLUCION ELECTROLITICA CON UNA CONDUCTIVIDAD SUPERIOR A 0,001 Y CON UN ACIDO COMO CLORHIDRICO, BROMHIDRICO, PARA SEPARAR LAS ESPECIES OXIDADAS DEL SEMICONDUCTOR COMPUESTO Y UN CATODO , QUE COMPRENDE: A) APLICAR UN POTENCIAL AL SEMICONDUCTORCOMPUESTO COMPRENDIDO ENTRE EL POTENCIAL MAXIMO DE LA BANDA DE VALENCIA Y EL POTENCIAL MINIMO DE LA BANDA DE CONDUCCION DEL SEMICONDUCTOR COMPUESTO EN LA SOLUCION ELECTROLITICA ; B) ILUMINAR LA PARTE DE…