CIP 2015 : C30B : CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 );

SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS.

CIP2015CC30C30B[u] › CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS.

Notas[n] de C30B:
  • En la presente subclase, las expresiones siguientes tiene el significado abajo indicado:
    • "monocristal" comprende tambien las maclas y los productos de predominancia monocristalina;  
    • "material policristalino homogéneo" designa un material de partículas cristalinas todas las cuales tienen la misma composición química;  
    • "estructura determinada" designa la estructura de un material con partículas orientadas de forma preferencial o que tienen dimensiones superiores a las normalmente obtenidas.  
  • En esta subclase, se aplica la clasificación múltiple, de forma que si el objeto de la invención se caracteriza por aspectos cubiertos por más de uno de estos grupos, debe clasificarse en cada uno de esos grupos.
  • En la presente subclase:
    • las invenciones relativas a la preparación de monocristales o de materias policristalinos homogéneos de estructura determinada, de composición o de formas particulares están clasificadas en el grupo relativo al proceso así como en el grupo C30B 29/00;  
    • un aparato especialmente adaptado a un proceso especifico está clasificado en el grupo apropiado para el proceso. Un aparato que puede ser utilizado para varios procesos está clasificado en el grupo C30B 35/00 .  

C30B 1/00 Crecimiento de monocristales a partir del estado sólido (separación unidireccional de materiales eutectoides C30B 3/00; bajo un fluido protector C30B 27/00).

Notas[g] desde C30B 1/00 hasta C30B 5/00: Crecimiento de monocristales a partir de sólidos o de geles
  • C30B 1/02 por tratamiento térmico, p. ej. recocido bajo contracción (C30B 1/12 tiene prioridad). [+7 invenciones en esta categoría]
  • C30B 1/04 Recristalización isotérmica.
  • C30B 1/06 Recristalización en un gradiente de temperatura. [+1 invenciones en esta categoría]
  • [+3 subclases].

C30B 3/00 Separación unidireccional de materiales eutectoides.

C30B 5/00 Crecimiento de monocristales a partir de geles (bajo un fluido protector C30B 27/00).

  • C30B 5/02 con adición de un material de dopado.

C30B 7/00 Crecimiento de monocristales a partir de soluciones utilizando solventes líquidos a temperatura ordinaria, p. ej. a partir de soluciones acuosas (a partir de solventes fundidos C30B 9/00; por simple solidificación o en un gradiente de temperatura C30B 11/00; bajo un fluido protector C30B 27/00).

Notas[g] desde C30B 7/00 hasta C30B 21/00: Crecimiento de monocristales a partir de líquidos; Solidificación unidireccional de materiales eutécticos
  • C30B 7/02 por evaporación del solvente.
  • C30B 7/04 utilizando solventes acuosos. [+4 invenciones en esta categoría]
  • C30B 7/06 utilizando solventes no acuosos.
  • [+4 subclases].

C30B 9/00 Crecimiento de monocristales a partir de baños fundidos utilizando solventes fundidos (por simple solidificación o en un gradiente de temperatura C30B 11/00; por fusión de zona C30B 13/00; por estirado del cristal C30B 15/00; sobre un germen cristalino sumergido C30B 17/00; por crecimiento epitaxial a partir de la fase líquida C30B 19/00; bajo un fluido protector C30B 27/00).

  • C30B 9/02 por evaporación del solvente fundido.
  • C30B 9/04 por enfriamiento del baño.
  • C30B 9/06 utilizando uno de los constituyentes del cristal solvente.
  • [+4 subclases].

C30B 11/00 Crecimiento de monocristales por simple solidificación o en un gradiente de temperatura, p. ej. método de Bridgman-Stockbarger (C30B 13/00, C30B 15/00, C30B 17/00, C30B 19/00 tienen prioridad; bajo un fluido protector C30B 27/00).

  • C30B 11/02 sin solvente (C30B 11/06 tiene prioridad).
  • C30B 11/04 introduciendo en el baño fundido el material a cristalizar o los reactivos que lo forman in situ . [+4 invenciones en esta categoría]
  • C30B 11/06 añadiendo al menos un constituyente del cristal, pero no todos.
  • [+4 subclases].

C30B 13/00 Crecimiento de monocristales por fusión de zona; Afinado por fusión de zona (C30B 17/00 tiene prioridad; por cambio de la sección transversal del sólido tratado C30B 15/00; bajo un fluido protector C30B 27/00; crecimiento de materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada C30B 28/00; afinado por fusión de zona de materiales específicos, ver las subclases apropiadas para estos materiales).

  • C30B 13/02 Fusión de zona con ayuda de un solvente, p. ej. proceso por desplazamiento del solvente. [+1 invenciones en esta categoría]
  • C30B 13/04 Homogeneización por nivelado de zona.
  • C30B 13/06 no extendiéndose la zona fundida a toda la sección transversal. [+1 invenciones en esta categoría]
  • [+14 subclases].

C30B 15/00 Crecimiento de monocristales por estirado fuera de un baño fundido, p. ej. método de Czochralski (bajo un fluido protector C30B 27/00).

  • C30B 15/02 introduciendo en el material fundido el material a cristalizar o los reactivos que lo forman in situ . [+8 invenciones en esta categoría]
  • C30B 15/04 añadiendo un material de dopado, p. ej. para una unión n – p. [+3 invenciones en esta categoría]
  • C30B 15/06 Estirado no vertical. [+1 invenciones en esta categoría]
  • [+15 subclases].

C30B 17/00 Crecimiento de monocristales sobre un germen que queda en el baño fundido durante el crecimiento, p. ej. método de Nacken-Kyropoulos (C30B 15/00 tiene prioridad).

C30B 19/00 Crecimiento de un lecho epitaxial a partir de la fase líquida.

  • C30B 19/02 utilizando solventes fundidos, p. ej. fundentes. [+1 invenciones en esta categoría]
  • C30B 19/04 siendo el solvente un constituyente del cristal.
  • C30B 19/06 Cámaras de reacción; navecillas para baño fundido; Portasustrato.
  • [+3 subclases].

C30B 21/00 Solidificación unidireccional de materiales eutécticos.

  • C30B 21/02 por simple colada o por solidificación en un gradiente de temperatura. [+1 invenciones en esta categoría]
  • C30B 21/04 por fusión de zona. [+1 invenciones en esta categoría]
  • C30B 21/06 por estirado a partir de un baño fundido.

C30B 23/00 Crecimiento de monocristales por condensación de un material evaporado o sublimado.

Notas[g] desde C30B 23/00 hasta C30B 25/00: Crecimiento de monocristales a partir de vapores
  • C30B 23/02 Crecimiento de un lecho epitaxial. [+8 invenciones en esta categoría]
  • C30B 23/04 Depósito según una configuración determinada, p. ej. utilizando mascarillas.
  • C30B 23/06 Calentamiento del recinto de depósito, del sustrato o del material a evaporar. [+4 invenciones en esta categoría]
  • [+1 subclases].

C30B 25/00 Crecimiento de monocristales por reacción química de gases reactivos, p. ej. crecimiento por depósito químico en fase vapor.

  • C30B 25/02 Crecimiento de un lecho epitaxial. [+16 invenciones en esta categoría]
  • C30B 25/04 Depósito según una configuración determinada, p. ej. utilizando mascarillas. [+2 invenciones en esta categoría]
  • C30B 25/06 por pulverización reactiva. [+1 invenciones en esta categoría]
  • [+8 subclases].

C30B 27/00 Crecimiento de monocristales bajo un fluido protector.

  • C30B 27/02 por estirado a partir de un baño fundido.

C30B 28/00 Producción de materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada.

  • C30B 28/02 directamente a partir del estado sólido. [+2 invenciones en esta categoría]
  • C30B 28/04 a partir de líquidos.
  • C30B 28/06 por solidificación simple o en un gradiente de temperatura. [+6 invenciones en esta categoría]
  • [+4 subclases].

C30B 29/00 Monocristales o materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada caracterizados por los materiales o por su forma.

C30B 30/00 Producción de monocristales o materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada, caracterizado por la acción de campos eléctricos o magnéticos, de energía ondulatoria o de otras condiciones físicas específicas.

Notas[n] de C30B 30/00:
  • Cuando se clasifique en este grupo, se clasifica también de acuerdo con el procedimiento de crecimiento cristalino en los grupos apropiados C30B 1/00 - C30B 28/00  
  • C30B 30/02 mediante utilización de campos eléctricos, p. ej. electrólisis.
  • C30B 30/04 mediante utilización de campos magnéticos.
  • C30B 30/06 mediante utilización de vibraciones mecánicas.
  • [+1 subclases].

C30B 31/00 Procesos de difusión o de dopado de monocristales o de materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada; Aparatos para estos efectos.

Notas[g] desde C30B 31/00 hasta C30B 33/00: Tratamiento posterior de monocristales o de materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada
  • C30B 31/02 por contacto con la sustancia de difusión en estado sólido. [+2 invenciones en esta categoría]
  • C30B 31/04 por contacto con la sustancia de difusión en estado líquido. [+3 invenciones en esta categoría]
  • C30B 31/06 por contacto con la sustancia de difusión en estado gaseoso (C30B 31/18 tiene prioridad). [+2 invenciones en esta categoría]
  • [+8 subclases].

C30B 33/00 Tratamiento posterior de monocristales o de materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada (C30B 31/00  tiene prioridad).

  • C30B 33/02 Tratamiento térmico (C30B 33/04, C30B 33/06 tienen prioridad). [+3 invenciones en esta categoría]
  • C30B 33/04 mediante utilización de campos eléctricos o magnéticos o de radiaciones corpusculares. [+1 invenciones en esta categoría]
  • C30B 33/06 Ensamblaje de cristales.
  • [+3 subclases].

C30B 35/00 Aparatos no previstos en otro lugar, especialmente adaptados para la ejecución de los procesos de crecimiento, producción o tratamiento posterior de monocristales o de materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada.