CIP 2015 : C30B 13/00 : Crecimiento de monocristales por fusión de zona; Afinado por fusión de zona (C30B 17/00 tiene prioridad;

por cambio de la sección transversal del sólido tratado C30B 15/00; bajo un fluido protector C30B 27/00; crecimiento de materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada C30B 28/00; afinado por fusión de zona de materiales específicos, ver las subclases apropiadas para estos materiales).

CIP2015CC30C30BC30B 13/00[m] › Crecimiento de monocristales por fusión de zona; Afinado por fusión de zona (C30B 17/00 tiene prioridad; por cambio de la sección transversal del sólido tratado C30B 15/00; bajo un fluido protector C30B 27/00; crecimiento de materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada C30B 28/00; afinado por fusión de zona de materiales específicos, ver las subclases apropiadas para estos materiales).

Notas[g] desde C30B 7/00 hasta C30B 21/00: Crecimiento de monocristales a partir de líquidos; Solidificación unidireccional de materiales eutécticos

C30B 13/02 · Fusión de zona con ayuda de un solvente, p. ej. proceso por desplazamiento del solvente.

C30B 13/04 · Homogeneización por nivelado de zona.

C30B 13/06 · no extendiéndose la zona fundida a toda la sección transversal.

C30B 13/08 · introduciendo en la zona fundida el material a cristalizar o los reactivos que lo forman in situ .

C30B 13/10 · · añadiendo un material de dopado.

C30B 13/12 · · · en estado gas o vapor.

C30B 13/14 · Crisoles o recipientes.

C30B 13/16 · Calentamiento de la zona fundida.

C30B 13/18 · · estando el elemento calefactor en contacto con, o sumergido en, la zona fundida.

C30B 13/20 · · por inducción, p. ej. técnica del alambre caliente (C30B 13/18  tiene prioridad).

C30B 13/22 · · por irradiación o por descarga eléctrica.

C30B 13/24 · · · utilizando radiaciones electromagnéticas.

C30B 13/26 · Agitación de la zona fundida.

C30B 13/28 · Control o regulación.

C30B 13/30 · · Estabilización, o control de la forma, de la zona de fusión, p. ej. por concentradores, por campos electromagnéticos; Control de la sección de cristal.

C30B 13/32 · Mecanismos para desplazar o bien la carga, o bien el dispositivo de calefacción.

C30B 13/34 · caracterizado por el germen, p. ej. por su orientación cristalográfica.

CIP2015: Invenciones publicadas en esta sección.

Procedimiento para la determinación de una impureza de superficie de silicio policristalino.

(23/02/2016) Procedimiento para la determinación de una impureza en superficie de silicio policristalino, que comprende las etapas a) proporcionar dos varillas de silicio policristalino mediante separación en un reactor Siemens; b) impurezas con carbono y sustancias de dopaje en la primera de las dos varillas se determinan inmediatamente después de la separación, en donde de esta varilla se separa un disco y se utiliza para la determinación de la concentración de carbono mediante FTIR, en donde una varilla que permanece después de la separación del disco de esta varilla se transforma, mediante FZ, en una varilla monocristalina, en donde en un disco…

Fragmento de silicio policristalino y procedimiento para la limpieza de fragmentos de silicio policristalino.

(26/11/2014) Fragmento de silicio policristalino con una concentración de carbono en la superficie de 0,5-35 ppbw.

Método para obtener materia prima de silicio para células solares.

(01/01/2014) Un método para la producción de una materia prima de silicio, siendo la materia prima de silicio para laproducción de lingotes de silicio solidificados direccionalmente por el método de Czochalski, por zona de flotación omulti-cristalino, láminas de silicio delgadas o cintas para la producción de obleas de silicio para células solaresfotovoltaicas, caracterizado porque el silicio de grado metalúrgico producido en un horno de arco eléctrico medianteun horno de reducción carbotérmica y que contiene hasta 300 ppm (átomos) de boro y hasta 100 ppm (átomos) defósforo se somete a las siguientes etapas de refino: a) tratamiento del silicio de grado metalúrgico con una escoria de calcio-silicato para reducir el contenido de boro delsilicio a entre 0,3 ppm (átomos) y 5,0 ppm (átomos); b) solidificar el silicio tratado con escoria de la etapa a); c)…

Procedimiento y dispositivo para la producción de varillas finas de silicio.

(14/10/2013) Procedimiento para la producción de varillas finas de silicio, que comprende las siguientes etapas: a) habilitaciónde una varilla de silicio; b) corte secuencial de tablas de un grosor determinado a partir de la varilla por medio de undispositivo de aserrado, en donde la varilla es girada axialmente entre dos cortes consecutivos en cada caso en 90º oen 180º de manera que de cuatro cortes consecutivos tienen lugar por pares en cada caso dos de los cuatro cortes encaras radialmente enfrentadas de la varilla o en donde el corte de las tablas tiene lugar simultáneamente al mismotiempo en caras radialmente enfrentadas de la varilla; c) aserrado de las tablas cortadas para formar varillas finas conuna sección transversal rectangular

Procedimiento para la producción de un silicio policristalino.

(27/06/2013) Procedimiento para la producción de un silicio policristalino, que comprende introducir un gas de reacción, quecontiene un componente con un contenido de silicio e hidrógeno, mediante una o varias toberas en un reactor conun volumen de espacios vacíos, limitado por medio de unas paredes con una determinada temperatura Tpared, quecontiene por lo menos una barra filamentosa calentada a una temperatura Tbarra, sobre la que se deposita silicio,caracterizado por que un número de Arquímedes Ar, que describe las condiciones de circulación en el reactor y quese calcula de la siguiente manera: Ar ≥ n * π * g * L3 * Ad * (Tbarra - Tpared) / (2 * Q2 * (Tbarra + Tpared)), representando n el número…

BARRA DE SILICIO POLICRISTALINO PARA TRACCIÓN POR ZONAS Y UN PROCEDIMIENTO PARA SU PRODUCCIÓN.

(10/02/2011) Barra de polisilicio que se puede obtener a través de separación de silicio de alta pureza a partir de un gas de reacción que contiene silicio, que se ha descompuesto térmicamente o se ha reducido a través de hidrógeno, en una barra de filamentos, caracterizada porque la barra de polisilicio posee en la sección transversal radial de la barra al menos 4 zonas distintas con diferentes microestructuras, de manera que a) en la zona más interior A, del centro de la barra policristalina, se encuentra la barra fina policristalina, b) alrededor de esta barra fina se encuentra una zona B del silicio policristalino separado, en la que la porción de la superficie de los cristales de agujas es…

METODO DE FABRICACION ACELERADA DE HILOS O CINTAS DE CERAMICA SUPRACONDUCTORA.

(16/06/1996) LA INVENCION SE REFIERE A UN METODO DE FABRICACION DE HILOS, CINTAS U OTROS ELEMENTOS ANALOGOS HECHOS DE CERAMICA SUPROCONDUCTORES A TEMPERATURA DE TRANSICION ELEVADA, COMO, POR EJEMPLO, EN Y BA SUB 2CU SUB 3O SUB 7(DELTA), A PARTIR DE UNA TECNICA DE SOLIDIFICACION DIRECCIONAL. SEGUN ESTE METODO QUE ES MUCHO MAS RAPIDO Y EFICAZ QUE LOS METODOS ACTUALMENTE CONOCIDOS, UN HILO O CINTA HECHO DE GRAMOS DE UN PRECURSOR DE CERAMICA SUPROCONDUCTORA SE SOMETE A UNA SOLIDIFICACION DIRECCIONAL EN UN NUMERO DADO DE LUGARES TAMBIEN SEPARADOS EN SU LONGITUD. ESTA SOLIDIFICACION DIRECCIONAL SE EFECTUA EN DISTINTOS LUGARES AL MISMO TIEMPO, A LA MISMA TEMPERATURA, A LA MISMA VELOCIDAD, Y EN LA MISMA DIRECCION DE MANERA A FORMAR UN NUMERO IDENTICO DE ZONAS DE MICROESTRUCTURA ORIENTADA A LO LARGO DEL HILO O DE LA CINTA, LAS CUALES CRECEN…

COMPUESTOS DE MATRIZ DE POLIMERO DE CRISTAL.

(16/06/1995). Solicitante/s: BRITISH TECHNOLOGY GROUP LIMITED. Inventor/es: AZOZ, NAZAR EESA NAOM, THE UNIVERSITY OF SUSSEX, KADIM, MUNTESER MUSHIN, THE UNIVERSITY OF SUSSEX.

ESTA INVENCION SE REFIERE A UN METODO DE PRODUCIR COMPUESTO DE POLIMERO COMPRENDIENDO UNA MATRIZ POLIMERICA (RECEPTOR) EN LA CUAL SON CULTIVADOS IN SITU CRISTALES DE COMPUESTOS ORGANICOS Y/O INORGANICOS. EL CULTIVO DE LOS CRISTALES ES LLEVADO A CABO MEDIANTE UNA TECNICA DE FUNDIDO EN UNA ZONA DE TEMPERATURA GRADUAL. LOS CRISTALES RESULTANTES TIENEN UN ALTO ALINEAMIENTO CRISTALINO, BUENA TRANSPARENCIA Y UNA GRAN ACTIVIDAD SECUNDARIA DE GENERACION ARMONICA.

PROCEDIMIENTO PARA LA OBTENCION DE CRISTALES DE SILICIO PARA APLICACIONES FOTOVOLTAICAS.

(01/06/1990). Solicitante/s: PHOTOWATT INTERNATIONAL S.A. Inventor/es: SLOOTMAN, FRANK, AMOUROUX, JACQUES, MORVAN, DANIEL, APOSTOLIDOU, HELENE.

Procedimiento para la obtención de cristales de silicio para aplicaciones fotovoltaicas y que presenta un rendimiento de conversión fotovoltaica al menos igual al 10 % según el cual se realiza una purificación del silicio por paso a través de un chorro de plasma, a partir de desechos de silicio reciclables del tipo P o del tipo N, mono o policristalinos que presentan un grado de impurezas y un estado de cristalización tales que su resistividad sea al menos igual a 0,05 ohm.cm.

UN PROCEDIMIENTO DE FABRICACION DE UNA CAPA MONOCRISTALINA O MACROCRISTALINA A PARTIR DE UNA CAPA INICIAL DE UN MATERIAL EN ESTADO POLICRISTALINO O AMORFO.

(01/02/1985). Solicitante/s: RAYMOND, MARC, XAVIER GLEIZES RYFFEL LIMITED.

PROCEDIMIENTO DE FABRICACION DE UNA CAPA MONOCRISTALINA O MACROCRISTALINA A PARTIR DE UNA CAPA INICIAL DE UN MATERIAL EN ESTADO POLICRISTALINO O AMORFO.COMPRENDE: LA FORMACION DE CAPA INICIAL SOBRE SUSTRATO DE CONDUCTIVIDAD TERMICA DETERMINADA Y LA IRRADIACION DE SUPERFICIE EXTERIOR DE LA CAPA Y EN PEQUEÑA REGION ALARGADA DE ESA CAPA, CON LA ENERGIA SUFICIENTE PARA QUE LA CAPA FUNDA AL MENOS EN PARTE DE SU ESPESOR Y SE DESPLACE EN DIRECCION DISTINTA A LA DE LA PEQUEÑA REGION SOBRE LA CAPA. LA DENSIDAD DE ENERGIA SERA AL MENOS DE 100 W/CM, IRRADIANDOSE EL MENOR TIEMPO POSIBLE PARA QUE LAS PERDIDAS EN LA UNION NO SUPEREN LA ENERGIA IRRADIADA. SE REFIERE TAMBIEN A UN APARATO CON DISPOSITIVO DE FORMACION DE CAPA DE POLVO SOBRE UN SUSTRATO Y A UN APARATO DE IRRADIACION QUE FORMA UNA LINEA DE DENSIDAD CONSTANTE DE ENERGIA CON LUZ NO COHERENTE, LUZ COHERENTE Y UN HAZ DE ELECTRONES LOCALIZADOS LOS TRES SEGUN UNA LINEA; Y UN DISPOSITIVO DE DESPLAZAMIENTO RELATIVO DE LA CAPA.

PROCEDIMIENTO PARA LA PURIFICACION DE MATERIA PRIMA DE YODURO MERCURICO.

(01/07/1977). Solicitante/s: UNITED STATES ENERGY RESEARCH AND DEV. ADM.

Resumen no disponible.