CIP-2021 : C30B 11/10 : Constituyentes sólidos o líquidos, p. ej. método de Verneuil.
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Notas[g] desde C30B 7/00 hasta C30B 21/00: Crecimiento de monocristales a partir de líquidos; Solidificación unidireccional de materiales eutécticos
C QUIMICA; METALURGIA.
C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES.
C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS.
C30B 11/00 Crecimiento de monocristales por simple solidificación o en un gradiente de temperatura, p. ej. método de Bridgman-Stockbarger (C30B 13/00, C30B 15/00, C30B 17/00, C30B 19/00 tienen prioridad; bajo un fluido protector C30B 27/00).
C30B 11/10 · · · Constituyentes sólidos o líquidos, p. ej. método de Verneuil.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
UN PROCEDIMIENTO PARA LA FORMACIÓN Y TRATAMIENTO DE CRISTALES.
(16/08/1960). Ver ilustración. Solicitante/s: STANDARD ELECTRICA, SOCIEDAD ANONIMA.
Un procedimiento para la formación y tratamiento de cristales de un material dado que es conductivo a una temperatura inferior a su punto de fusión, caracterizado por las operaciones que comprenden someter un germen de dicho material a caldeo por inducción de alta frecuencia para hacer que se funda una parte de dicho germen mientras que el resto está en estado sólido, interactuando las corrientes de Foucault inducidas en la parte fundida con el campo de alta frecuencia para mover la parte fundida, disolver material adicional en dicha parte fundida y retirar dicho germen de la zona de caldeo por inducción, para controlar la formación de la parte sólida del mismo.
