CIP-2021 : C30B 11/12 : Constituyentes gaseosos, p. ej. crecimiento vapor-líquido-sólido.

CIP-2021CC30C30BC30B 11/00C30B 11/12[3] › Constituyentes gaseosos, p. ej. crecimiento vapor-líquido-sólido.

Notas[g] desde C30B 7/00 hasta C30B 21/00: Crecimiento de monocristales a partir de líquidos; Solidificación unidireccional de materiales eutécticos

C QUIMICA; METALURGIA.

C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES.

C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS.

C30B 11/00 Crecimiento de monocristales por simple solidificación o en un gradiente de temperatura, p. ej. método de Bridgman-Stockbarger (C30B 13/00, C30B 15/00, C30B 17/00, C30B 19/00 tienen prioridad; bajo un fluido protector C30B 27/00).

C30B 11/12 · · · Constituyentes gaseosos, p. ej. crecimiento vapor-líquido-sólido.

CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.

PROCEDIMIENTO DE PREPARACIÓN DE ALÚMINAS HIDRATADAS MONOLÍTICAS Y DE MATERIALES COMPUESTOS.

(01/06/2011) Procedimiento de preparación de una alúmina hidratada monolítica, comprendiendo sucesivamente dicho procedimiento las siguientes etapas: a) decapado de una superficie de una pieza de aluminio o de una aleación de aluminio; b) recubrimiento de dicha superficie por una amalgama de mercurio que comprende al menos un metal noble; y c) exposición de dicha superficie recubierta obtenida en b) a una atmósfera oxidante húmeda

PROCEDIMIENTO DE CRECIMIENTO CRISTALINO SOBRE SUBSTRATO.

(01/05/2004). Solicitante/s: CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE. Inventor/es: LEYCURAS, ANDRE.

Procedimiento de crecimiento cristalino de un material sobre un primer material sólido , a partir de un material en fusión, sobre el primer material sólido , caracterizado porque comprende: - una etapa (a) de crecimiento del primer material sobre un substrato , constituido por un segundo material , - una etapa (d, d’) en la cual se hacen crecer unas puntas cristalinas del primer material a partir de la intercara del primer material y del material en fusión, imponiendo un gradiente de temperatura en la dirección perpendicular a la superficie libre del material en fusión tal que la intercara entre el primer material y el material en fusión esté a una temperatura más elevada que la temperatura en la superficie libre del material en fusión; - una etapa (f, f’) que consiste en hacer crecer, lateralmente, en un plano principalmente paralelo al de la superficie libre del material en fusión, unos cristales a partir de las puntas cristalinas, invirtiendo el signo del gradiente.

ESTRUCTURA MULTICAPA CRISTALINA Y SU PROCEDIMIENTO DE FABRICACION.

(16/10/2000). Solicitante/s: CENTRUM BADAN WYSOKOCISNIENIOWYCH. Inventor/es: POROWSKI, SYLWESTER, JUN, JAN, GRZEGORY, IZABELLA, KRUKOWSKI, STANISLAW, WROBLEWSKI, MIROSLAW.

SE PROPORCIONA UN PROCESO PARA LA FABRICACION DE UNA ESTRUCTURA CRISTALINA DE MULTIPLES CAPAS DE NITRUROS DE METALES DEL GRUPO III DE LA TABLA PERIODICA QUE INCLUYE GAN, AIN E INN. EL PROCESO INCLUYE LOS PASOS DE CALENTAR UN METAL DEL GRUPO III A UNA TEMPERATURA T1 BAJO UNA PRESION DE NITROGENO EN EQUILIBRIO MIENTRAS SE MANTIENE LA ESTABILIDAD DEL NITRURO DE METAL DEL GRUPO III PARA FORMAR UNA PRIMERA CAPA DE CRISTAL DE NITRURO DE METAL DEL GRUPO III. POSTERIORMENTE, EL METODO INCLUYE EL PASO DE FORMAR UNA SEGUNDA CAPA DE CRISTAL DEL NITRURO DE METAL DEL GRUPO III MEDIANTE LA REDUCCION DE LA PRESION DE NITROGENO DE MODO QUE LA SEGUNDA CAPA DE CRISTAL CREZCA EN LA PRIMERA CAPA CON UNA VELOCIDAD DE CRECIMIENTO INFERIOR AL CRECIMIENTO DE LA PRIMERA CAPA A UNA TEMPERATURA T2 NO SUPERIOR A LA TEMPERATURA T1. LA SEGUNDA CAPA CRECE EN AL MENOS UNA PORCION DE LA PRIMERA CAPA CON UN GROSOR PREDETERMINADO BAJO LA NUEVA PRESION DE NITROGENO.

PROCEDIMIENTO DE PRODUCCION DE TRIQUITAS O FILAMENTOS FIBROSOS LARGOS DE CARBURO DE SILICIO.

(16/08/1999). Solicitante/s: AEROSPATIALE SOCIETE NATIONALE INDUSTRIELLE VIAM ALL RUSSIAN INSTITUT OF AVIATION MATERIALS. Inventor/es: GRIBKOV, VLADIMIR NIKOLAEVICH, POLAKOV, ALEXANDRE, VASSILIEVICH, POKROVCKY, DANIEL, DANILOVICH, SILAEV, VLADIMIR, ALEXANDROVICH, GORELOV, YURII, ALEXEEVICH, LYACOTA, PIOTR, PHIODOROVICH.

LA PRODUCCION DE TRICHITAS O WHISKERS DE SIC Y DE MATES DE ESTOS SOBRE UN SUSTRATO POR TRATAMIENTO A 1.20 - 1.500 (GRADOS) C, DE UNA MEZCLA GASEOSA QUE COMPRENDE HIDROGENO Y FUENTES DE ATOMOS DE SI Y C QUE ESTAN EN FORMA DE AL MENOS UN COMPUESTO DESPROVISTO DE OXIGENO, EN PRESENCIA DE UN CATALIZADOR D TIPO METAL, POR UN PROCESO SEMICONTINUO O PERIODICO, SE CARACTERIZA EN QUE DURANTE EL PERIODO DE CRECIMIENTO, UN CATALIZADOR AL-FE SE INTRODUCE EN LA FASE GASEOSA EN LA ZONA DE REACCION, MEDIANTE UNA REDUCCION POR EL CARBONO DE CERAMICAS DE TIPO ALUMINOSILICATO QUE COMPRENDEN AL MENOS 73% EN PESO DE AL2O3 Y 0,3 A 3,0% EN PESO DE OXIDOS DE HIERRO Y EL SUSTRATO ES UN TEJIDO DE CARBONO A BASE DE FIBRA DE RAYON CARBONIZADO QUE HA SIDO PRETRATADO, ANTES DE LA CARBONIZACION, POR UNA SOLUCION DE BORAX Y UNA SOLUCION DE FOSFATO DE DIAMONIO HASTA QUE LAS CANTIDADES NO SOBREPASAN 4% Y 2% EN PESO RESPECTIVAMENTE. APLICACION EN LA FABRICACION DE TRICHITAS O WHISKERS LARGOS DE SIC.

UN METODO DE MANUFACTURAR CRISTALES DE CARBURO DE SILICIO EN FILAMENTOS.

(16/06/1969). Ver ilustración. Solicitante/s: N. V. PHILPIS'GLOEILAMPENFABRIEKEN.

Resumen no disponible.

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