CIP 2015 : H01L 31/0392 : comprendiendo películas delgadas depositadas sobre sustratos metálicos o aislantes.

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H SECCION H — ELECTRICIDAD.

H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.

H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).

H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00).

H01L 31/0392 · · · comprendiendo películas delgadas depositadas sobre sustratos metálicos o aislantes.

CIP2015: Invenciones publicadas en esta sección.

Módulo solar de capas delgadas con interconexión integrada así como procedimiento para su fabricación.

(27/03/2019) Módulo solar a base de capas delgadas con la interconexión integrada de al menos dos células solares, que contiene a) un sustrato no eléctricamente conductor; o b) un sustrato eléctricamente conductor; con una capa de barrera no eléctricamente conductora, sobre la que está depositada una estructura de capas que contiene al menos una capa semiconductora cristalina con una primera dotación así como al menos una capa semiconductora cristalina con una segunda dotación contraria a la primera dotación, en el cual el módulo solar presenta entre las distintas células solares fosas de separación aislantes en las que se ha eliminado la estructura…

Empleo de vidrios para aplicaciones fotovoltaicas.

(30/01/2019) Empleo de un vidrio para aplicaciones fotovoltaicas, presentando el vidrio un contenido en agua de < 10 mmol/litro, y presentando la siguiente composición vítrea (en % en peso en base a óxido) o estando constituido por la misma: SiO2 49 - 69 % en peso B2O3 0 - 2 % en peso, preferentemente B2O3 0 % en peso, Al2O3 >4,7 - 19 % en peso, preferentemente Al2O3 > 5 - 17 % en peso, Li2O 0 - 4 % en peso, preferentemente Li2O 0 - <0,3 % en peso, Na2O >10- 18 % en peso, Preferentemente >15 - 18 % en peso, K2O >0 - 8 % en peso, preferentemente K2O >0 - <5 % en peso, en especial K2O >0 - <4 % en peso, ascendiendo la suma Li2O+ Na2O+ K2O a >10 - 19 % en peso, y MgO 0 - 6 % en peso CaO…

Sistema multicapas con elementos de contacto y procedimiento para la creación de un elemento de contacto para un sistema multicapas.

(02/05/2018). Solicitante/s: INTERPANE ENTWICKLUNGS- UND BERATUNGSGESELLSCHAFT MBH & CO. KG. Inventor/es: SCHMIDT, STEFFEN, PAUL,ALEXANDER, BEREK,HARRY, HERLITZE,LOTHAR, WEIS,HANSJÖRG, HÄUSER,KARL.

Sistema de capas con elemento de contacto , que comprende un sustrato , un sistema multicapas dispuesto sobre el sustrato con al menos una capa superior y una capa inferior , caracterizado un elemento de contacto está aplicado por medio de inyección de gas frío y la atraviesa al menos una capa superior y contacta con la capa inferior.

PDF original: ES-2669070_T3.pdf

Películas anti-reflectantes conductoras.

(21/02/2018) Un método de aplicación de una película conductora transparente sobre un sustrato polimérico que tiene una textura en él, comprendiendo dicho método en las etapas de: a) proporcionar un material polimérico que tiene una textura dispuesta en él; y b) aplicar con conformación un material conductor transparente sobre el material polimérico para producir una película conductora transparente conformada encima; donde la película conductora transparente conformada tiene una textura que corresponde a la textura del material polimérico y donde la textura tiene un período que no es superior a la longitud de onda de la luz visible, en virtud de lo cual la película conductora transparente conformada es anti-reflectante. caracterizado por que el material polimérico está modificado…

Substrato conductor para celda fotovoltaica.

(17/01/2018). Solicitante/s: SAINT-GOBAIN GLASS FRANCE. Inventor/es: DUPUY,Delphine, PALM,JÖRG, URIEN,MATHIEU, RUITENBERG,GÉRARD, LEYDER,CHARLES, HEISS,ANDREAS, MAHE,ERWAN.

Substrato conductor para celda fotovoltaica, que comprende un substrato portador y un revestimiento de electrodo formado sobre el substrato portador , en el que el revestimiento de electrodo comprende: - una capa principal a base de molibdeno formada sobre el substrato portador ; - una capa barrera contra la selenización formada sobre la capa principal a base de molibdeno, teniendo la capa barrera contra la selenización un espesor inferior a 50 nm, preferentemente inferior o igual a 30 nm, preferentemente todavía inferior o igual a 20 nm; y - sobre la capa barrera contra la selenización , una capa superior a base de un metal M apto para formar, después de sufuración y/o selenización, una capa de contacto óhmico con un material semiconductor fotoactivo.

PDF original: ES-2661862_T3.pdf

Proceso para la fabricación de piezas de una lámina que tiene un revestimiento inorgánico de TCO.

(10/01/2018). Solicitante/s: HyET Energy Systems B.V. Inventor/es: DE JONGE,LUDMILA V.

Un proceso para fabricar piezas de una lámina que tiene un revestimiento inorgánico, proceso que comprende las etapas sucesivas de: (a) proporcionar una lámina de sustrato temporal grabable, (b) aplicar el recubrimiento inorgánico sobre la lámina de sustrato temporal, (c) aplicar un soporte permanente, (d) eliminar parte del sustrato temporal, (e) cortar la lámina a lo largo de una línea de corte en las piezas, donde la línea de corte se posiciona en una parte de la lámina donde la lámina de sustrato temporal está presente, dicha porción tiene un ancho de al menos 0,25 mm con relación a cada lado de la línea de corte, (f) eliminar al menos parte de la lámina de sustrato temporal.

PDF original: ES-2672648_T3.pdf

Celda fotovoltaica con un sustrato de vidrio hecho de vidrio de aluminosilicato.

(19/07/2017). Solicitante/s: SCHOTT AG. Inventor/es: OTT, FRANZ, DR., KASS,CHRISTOF, FECHNER,JÖRG HINRICH DR.

Una celda fotovoltaica, preferiblemente una celda fotovoltaica de película delgada, que comprende un sustrato hecho de vidrio de aluminosilicato, caracterizada porque el vidrio de aluminosilicato comprende o consiste en la siguiente composición de vidrio (como % en peso en base a los óxidos):**Tabla** Donde la proporción (% en peso) de CaO:MgO se encuentra dentro del rango entre 0,5 y 1,7; o el vidrio de aluminosilicato comprende o consiste en la siguiente composición de vidrio (como % en peso en base a los óxidos):**Tabla** y preferiblemente**Tabla** donde la proporción (% en peso) de CaO:MgO se encuentra dentro del rango entre 0,5 y 1,7.

PDF original: ES-2643866_T3.pdf

Substrato transparente provisto de un electrodo.

(15/03/2017). Solicitante/s: SAINT-GOBAIN GLASS FRANCE. Inventor/es: RONDEAU, VERONIQUE, BLIESKE,ULF, JANKE,Nikolas, FIX,RENAUD, HEITZ,THIBAUT, NEANDER,BERTRAND.

Substrato transparente, en particular, de vidrio, provisto de un electrodo, en particular, para célula solar, que incluye una capa conductora a base de molibdeno Mo, caracterizado porque dicha capa a base de molibdeno es a lo sumo de 500 nm de espesor, en particular, a lo sumo de 400 nm o a lo sumo de 300 nm o a lo sumo de 200 nm y porque el electrodo incluye al menos una capa conductora complementaria, diferente de la capa a base de molibdeno, siendo la capa conductora complementaria M a base de metal o de aleación metálica y por debajo de la capa conductora a base de molibdeno Mo, porque el electrodo incluye al menos una capa conductora complementaria M'N a base de un nitruro sub-estequiométrico, estequiométrico o sobre-estequiométrico, en nitrógeno, de al menos uno de los siguientes metales: Ta, Zr, Nb, Ti, Mo, Hf, y porque la capa M'N está por debajo de la capa a base de molibdeno Mo y dispuesta entre la capa M y la capa a base de Mo.

PDF original: ES-2627686_T3.pdf

Método para fabricar una estructura que comprende etapas de recubrimiento y dispositivo correspondiente.

(28/09/2016) Un método para producir una estructura que comprende un sustrato que tiene al menos una primera cara integral con un primer ángulo con respecto a una normal del sustrato , al menos una segunda cara integral con un segundo ángulo con respecto a una normal del sustrato , y una cavidad en la estructura entre la primera y segunda cara; el método que comprende las etapas de: recubrir la primera cara con una primera capa conductora ; recubrir la segunda cara con una segunda capa conductora ; en donde la primera capa conductora y la segunda capa conductora comprenden materiales diferentes; y el método comprende, además, la etapa para depositar en la cavidad un material semiconductor activo…

Textil de sombreado elástico con elementos fotovoltaicos y acristalamiento múltiple correspondiente.

(16/12/2015). Ver ilustración. Solicitante/s: PENN TEXTILE SOLUTIONS GMBH. Inventor/es: JASPER,LEO, SCHÜTTE,FRANZ.

Textil de sombreado que presenta una pluralidad de láminas fotovoltaicas de forma de tiras que están yuxtapuestas por medio de un sistema de hilados a lo largo de su dirección longitudinal (L) o que, distanciadas una de otra, forman un producto continuo, estando construido elásticamente el sistema de hilados en al menos una dirección (K), de modo que, mediante un tensado del textil elástico, se puede variar una distancia perpendicular a la dirección longitudinal (L) entre láminas fotovoltaicas contiguas , caracterizado por que el textil de sombreado presenta entre las láminas fotovoltaicas contiguas, en un estado tensado, unas aberturas que únicamente se forman al tensar el textil de sombreado o que están ocultas por las láminas fotovoltaicas cuando está sin tensar el textil de sombreado.

PDF original: ES-2621669_T3.pdf

Colector de energía solar híbrido y central solar que comprende al menos tal colector.

(09/12/2015) Colector de energía solar híbrido, del tipo que comprende al menos una célula fotovoltaica para la conversión de energía solar en energía eléctrica y al menos un receptor térmico para la conversión de energía solar en energía térmica por calentamiento de un fluido, estando dispuesto el receptor térmico de forma que reciba la energía solar que atraviesa la célula fotovoltaica , comprendiendo la célula fotovoltaica varias uniones semi-conductoras superpuestas que tienen unas bandas prohibidas de diferentes anchos, teniendo cada unión semiconductora un ancho de banda prohibida igual o superior a 1,2 eV, especialmente igual o superior a 1,4 eV.

Dispositivo semiconductor de película fina y procedimiento de fabricación de un dispositivo semiconductor de película fina.

(17/06/2015) Un MS-FET de película fina o dispositivo semiconductor de célula fotovoltaica que comprende: i) un substrato que comprende celulosa; ii) una primera capa que consiste en una capa conductora metálica en contacto con el substrato; iii) una segunda capa semiconductora que comprende silicio nanocristalino coloidal y un aglutinante en contacto con la primera capa; iv) una tercera capa que consiste en el caso de un MS-FET, en una capa conductora metálica o, en el caso de una célula fotovoltaica, en un conductor tipo-p transparente en contacto con la segunda capa.

PROCEDIMIENTO PARA LA PREPARACIÓN DE UNA CAPA BARRERA DIELECTRICA DE ÓXIDO DE SILICIO (SiOx) Y CAPA ASÍ PREPARADA.

(26/03/2015). Ver ilustración. Solicitante/s: ABENGOA SOLAR NEW TECHNOLOGIES, S.A. Inventor/es: GOMEZ PLAZA,DAVID, DELGADO SÁNCHEZ,José María, SÁNCHEZ-CORTEZÓN,Emilio, ANDRÉS MENÉNDEZ,Luis José, SÁNCHEZ MARTÍNEZ,Diego, MENÉNDEZ ESTRADA,Armando, FERNÁNDEZ SUÁREZ,María Fe, SÁNCHEZ,Pascal.

Procedimiento para la preparación de una capa barrera dieléctrica de óxido de silicio (SiOx) sobre un sustrato, para lo cual se realiza, una vez limpiado el sustrato, una deposición de una capa de SiOx por la técnica de PECVD y otra deposición de SiOx por el método sol-gel. La composición de recubrimiento (sol) utilizada en la etapa sol- gel es preparada a partir de los siguientes componentes: MTES, entre 30 y 50% en peso; TEOS, entre 7% y 12% en peso; N, N' -DMS, entre 1 1 y 19 % en peso; PEG, entre 19 y 31 % en peso; agua destilada, entre 7 y 12% en peso y acido ortofosfórico, entre 0,6% y 0,9 % en peso. Una vez preparada la composición de recubrimiento, se deposita y se densifica para formar la capa de óxido correspondiente.

ELEMENTO DE CERRAMIENTO QUE TIENE UNA PRIMERA CAPA DE VIDRIO Y UNA SEGUNDA CAPA FOTOVOLTAICA.

(01/05/2014). Ver ilustración. Solicitante/s: ONYX SOLAR ENERGY S.L. Inventor/es: DEL CAÑO GONZALEZ,Teodosio, BELTRAN ALBARRAN,Alvaro.

Elemento de cerramiento que tiene: una primera capa de vidrio; una segunda capa fotovoltaica; una tercera capa encapsulante y una cuarta capa de vidrio.

Método para fabricar una lámina fotovoltaica.

(28/08/2013) Método de fabricación de una lámina fotovoltaica que comprende una capa de TCO, una capa fotovoltaica y unelectrodo posterior, en un proceso continuo rollo a rollo, este método comprende los siguientes pasos: • proporcionar un sustrato temporal conductivo que sea más conductivo que la capa de TCO • aplicar la capa de TCO sobre el sustrato temporal conductivo • aplicar una capa fotovoltaica sobre la capa de TCO • aplicar un electrodo posterior • eliminar el sustrato temporal conductivo, el método se caracteriza por el hecho de que dicha capafotovoltaica se aplica mediante electrodeposición, con la corriente para la electrodeposición suministrada através del sustrato temporal.

Mejoras aportadas a elementos capaces de recoger la luz.

(21/08/2013) Sustrato (1, 1') con función de vidrio que contiene metales alcalinos, que comprende una primera cara principaldestinada a ser asociada a una capa a base de material absorbente, del tipo calcopirita, y una segunda caraprincipal, comprendiendo al menos una porción de superficie de la primera cara principal del sustrato (1') una capaconductora a base de molibdeno, una capa de barrera frente a los metales alcalinos que no está interpuestaentre la capa conductora a base de molibdeno y la primera cara principal del sustrato (1'), caracterizado porquecomprende sobre al menos una porción de la superficie de la segunda cara principal al menos una capa de barrera frente a los metales alcalinos.

CELDA SOLAR CIS Y PROCEDIMIENTO DE FABRICACIÓN DE LA MISMA.

(22/03/2013) Un sustrato de aleación formado sobre una aleación de Ni y Mo está formado por electroformado. El sustrato de aleación tiene una composición graduada donde la composición de aleación varía en la dirección del espesor del mismo. Un lado de la superficie inferior está compuesto principalmente por Ni y un lado de la superficie superior está compuesto principalmente por Mo. Una superficie superior del sustrato de aleación está formada con un gran número de desigualdades mínimas y piramidales y tiene una alta propiedad de dispersión de luz. Una capa absorbedora de luz de CIS está formada sobre la superficie superior del sustrato de aleación y está provista de un electrodo superior por encima de la misma.

Sustrato de vidrio para células solares.

(18/04/2012) Sustrato (1, 1') con función de vidrio que contiene metales alcalinos, que comprende una primera cara principal destinada a asociarse con una capa a base de un material absorbente, de tipo calcopirita, y una segunda cara principal, comprendiendo al menos una porción de superficie de la primera cara principal del sustrato (1') una capa conductora a base de molibdeno, una capa de barrera frente a los metales alcalinos que no está interpuesta entre la capa conductora a base de molibdeno y la primera cara principal del sustrato (1'), caracterizado porque comprende sobre al menos una porción de superficie de la segunda…

HOJA FINA FOTOVOLTAICA Y METODO PARA FABRICARLA.

(01/04/2005) LA INVENCION PERTENECE A UN PROCEDIMIENTO DE FABRICACION DE UNA HOJA FOTOVOLTAICA SOPORTADA POR UN SOPORTE Y QUE COMPRENDE UNA SERIE DE CAPAS FOTOVOLTAICAS QUE CONJUNTAMENTE TIENEN LA CAPACIDAD DE GENERAR CORRIENTE ELECTRICA A PARTIR DE LA LUZ INCIDENTE, UNA CAPA DE RETROELECTRODO EN UN LADO ADYACENTE Y PARALELA A LAS CAPAS FOTOVOLTAICAS, Y UNA CAPA CONDUCTORA TRANSPARENTE EN EL OTRO LADO Y ADYACENTE Y PARALELA A LAS CAPAS FOTOVOLTAICAS, CUYO PROCEDIMIENTO COMPRENDE LAS SIGUIENTES ETAPAS: PROPORCIONAR UN SUBSTRATO TEMPORAL, APLICANDO LA CAPA CONDUCTORA TRANSPARENTE , APLICAR LAS CAPAS FOTOVOLTAICAS , APLICAR LA CAPA DEL RETROELECTRODO , APLICAR EL SOPORTE , ELIMINAR EL SUBSTRATO TEMPORAL, Y PREFERIBLEMENTE APLICAR UNA CAPA SUPERIOR EN EL LADO DE LA CAPA CONDUCTORA TRANSPARENTE. LA INVENCION PERMITE LA FABRICACION…

PROCEDIMIENTO DE FABRICACION DE MODULOS DE CELULAS SOLARES DE CAPA FINA.

(01/02/2004). Ver ilustración. Solicitante/s: KANEKA CORPORATION. Inventor/es: KONDO, MASATAKA.

Un método de fabricar un módulo integrado de batería solar de película fina incluyendo un sustrato , y una pluralidad de pilas unitarias conectadas en serie en el sustrato , incluyendo cada una de dichas pilas unitarias una primera capa de electrodo , una capa semiconductora y una segunda capa de electrodo que se apilan una sobre otra en el sustrato , incluyendo dicho método la secuencia de pasos de: - quitar en parte la primera capa de electrodo formada en el sustrato para dividir la primera capa de electrodo correspondiente a la pluralidad de pilas unitarias ; - formar una capa semiconductora en la primera capa de electrodo.

PRODUCCION DE MODULOS FOTOVOLTAICOS DE PELICULA DELGADA CON CONEXIONES DE ALTA INTEGRIDAD Y CONTACTOS DE DOBLE CAPA.

(01/10/2001). Ver ilustración. Solicitante/s: BP SOLAREX. Inventor/es: JANSEN,KAI W., MALEY,NAGI.

Producción de módulos fotovoltáicos de película delgada con conexiones de alta integridad y contactos de doble capa que constituyen módulos fotovoltáicos de altas prestaciones, con interconexiones mejoradas , mediante un proceso especial. Convenientemente, los módulos fotovoltáicos tienen un contacto dorsal (posterior) de doble capa y un contacto frontal por lo menos con una capa . El contacto frontal y la capa interior pueden comprender un óxido conductivo transparente. La capa exterior del contacto dorsal puede comprender un metal u óxido metálico. El contacto frontal puede tener también una capa dieléctrica . En una forma, el contacto dorsal de doble capa puede comprender una capa interior de óxido de zinc y una capa exterior de aluminio y el contacto frontal comprende una capa interior de óxido de estaño y una capa exterior dieléctrica de dióxido de silicio.

DISPOSITIVO FOTOVOLTAICO QUE SE PUEDE UTILIZAR COMO ESPEJO.

(01/12/1997). Solicitante/s: SHOWA SHELL SEKIYU KABUSHIKI KAISHA. Inventor/es: SICHANUGRIST, PORPONTH, TANAKA, NORIMITSU.

UN DISPOSITIVO FOTOVOLTAICO QUE COMPRENDE UN SUSTRATO TRANSPARENTE AISLANTE REVESTIDO CON UN ELECTRODO SUPERFICIAL DE RECEPCION DE LUZ FORMADO CON UNA FINA PELICULA DE METAL QUE A SU VEZ ESTA RECUBIERTA CON UNA CAPA SEMICONDUCTORA AMORFA Y UN ELECTRODO POSTERIOR , ADAPTANDOSE DICHA PELICULA FINA DE METAL PARA SU USO COMO ESPEJO.

CELULA SOLAR DE PELICULA DE SILICIO DEPOSITADO.

(16/05/1997). Solicitante/s: ASTROPOWER INC. Inventor/es: HALL, ROBERT B., BARNETT, ALLEN M., FORD, DAVID H., RAND, JAMES A.

UNA CELULA SOLAR FOTOVOLTAICA DE PELICULA DELGADA PRESENTA UN SEMICONDUCTOR ACTIVO DE SILICIO POLICRISTALINO DELGADO FORMADO SOBRE UN SUBSTRATO CERAMICO CONDUCTOR. ENTRE EL SUBSTRATO Y LA CAPA SEMICONDUCTORA ACTIVA ADYACENTE HAY UNA CAPA BARRERA QUE PROPORCIONA REFLEXION DE LA LUZ, MINIMIZA LA RETRORECOMBINACION SUPERFICIAL E IMPIDE LA CONTAMINACION DEL SEMICONDUCTOR ACTIVO.

SUBSTRATO TRANSPARENTE ELECTROCONDUCTOR DE DOS CAPAS DE OXIDOS METALICOS, UTIL EN ESPECIAL EN DISPOSITIVOS OPTO-ELECTRONICOS.

(01/02/1996). Solicitante/s: SAINT-GOBAIN VITRAGE. Inventor/es: SHIRADO, KYUICHI, KAWAHARA, HIDEO, MIZONOU, MASARO.

EL INVENTO SE REFIERE A LAMINAS DE CRISTAL QUE LLEVAN CAPAS DE OXIDOS METALICOS TRANSPARENTES. EL SUBSTRATO, SEGUN EL INVENTO, CONSTA DE UN SOPORTE DE VIDRIO, UNA PRIMERA CAPA, DENOMINADA SUBCAPA, TRANSPARENTE, ELECTROCONDUCTORA DE OXIDO METALICO Y UNA SEGUNDA CAPA TRANSPARENTE, DENOMINADA SOBRECAPA, CUYO COMPONENTE PRINCIPAL ES EL OXIDO DE ESTAÑO, NO CONSTANDO PRACTICAMENTE DE FLUOR Y CUYO CONTENIDO EN CLORO ES INFERIOR AL 0,1% EN PESO. APLICACION EN DISPOSITIVOS OPTO-ELECTRONICOS.

UN METODO FOTOVOLTAICO SEMICONDUCTOR AMORFO DE GRAN SUPERFICIE.

(16/10/1987). Solicitante/s: SOVONICS SOLAR SYSTEMS.

MODULO FOTOVOLTAICO SEMICONDUCTOR AMORFO DE GRAN SUPERFICIE. INCLUYE: UNA PLURALIDAD DE CELULAS FOTOVOLTAICAS (92A, 92B, 92C, 92D) DE MENOR AREA, QUE TIENE SUSTRATOS ELECTRICAMENTE CONDUCTORES FORMADOS POR MATERIAL METALICO ALUMINIO O TANTALO Y UNA PLURALIDAD DE BARRAS COLECTORAS (80A, 80B, 80C, 80D), CONECTADAS A UNA PLURALIDAD DE DEDOS DE REJILLA , FORMADAS POR DELGADAS TIRAS DE COBRE Y UTILIZADAS PARA ESTABLECER CONTACTO ELECTRICO ENTRE CELDAS ADYACENTES Y UNA PLURALIDAD DE MIEMBROS DE INTERCONEXION QUE ESTABLECEN UNA CONEXION EN SERIE ENTRE CELDAS ADYACENTES Y SON TIRAS DELGADAS DE COBRE. SE UTILIZA EN SISTEMAS FOTOGENERADORES.

DISPOSITIVO FOTOVOLTAICO PINDESILICIO AMORFO.

(16/10/1983). Solicitante/s: EXXON RESEARCH AND ENGINEERING COMPANY.

DISPOSITIVO FOTOVOLTAICO PIN DE SILICIO AMORFO, FORMADO POR BOMBARDEO IONICO CON REACCION.CONSTA DE UN SUSTRACTO QUE TIENE UNA REGION SUPERFICIAL QUE COMPRENDE UN MATERIAL CONDUCTOR DE LA ELECTRICIDAD QUE FORMA UN CONTACTO OHMICO CON SILICIO AMORFO IMPURIFICADO NB; DE UNA CAPA DE SILICIO AMORFO IMPURIFICADO N DEPOSITADA SOBRE EL CONTACTO OHMICO; DE UNA CAPA DE SILICIO AMORFO INTRINSECO NB; DE UNA CAPA DE SILICIO AMORFO IMPURIFICADO PB; Y DE UNA CAPA CONDUCTORA DE LA ELECTRICIDAD HECHA DE UN MATERIAL QUE FORMA CONTACTO OHMICOCON SILICIO AMORFO IMPURIFICADO.

METODO PARA PRODUCIR UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR PIN DE SILICIO AMORFO.

(16/03/1983). Solicitante/s: EXXON RESEARCH AND ENGINEERING COMPANY.

PROCEDIMIENTO PARA LA OBTENCION DE UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR PIN DE SILICIO AMORFO. CONSISTE EN LA PREPARACION DE UN SUSTRATO QUE TIENE AL MENOS UNA REGION SUPERFICIAL CON UN MATERIAL CONDUCTOR DE LA ELECTRICIDAD QUE FORMA UN CONTACTO OHMICO CON EL SILICIO AMORFO N>+. FORMAR, POR BOMBARDEO IONICO CON REACCION UNA CAPA DE SILICIO AMORFO IMPURIFICADO N>+; SOBRE ESTA UNA CAPA DE SILICIO AMORFO INTRINSICA, I; SOBRE ESTA UNA CAPA DE SILICIO AMORFO IMPURIFICADO P>+, Y SOBRE ESTA UN MATERIAL CONDUCTOR DE LA ELECTRICIDAD, QUE FORMA UN CONTACTO OHMICO CON EL SILICIO AMORFO IMPURIFICADO P>+. ESTE DISPOSITIVO TIENE APLICACIONES PARA APLICACION EN CELULAS SOLARES.

 

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