CIP-2021 : H01L 31/077 : Comprendiendo los dispositivos materiales monocristalinos o policristalinos.

CIP-2021HH01H01LH01L 31/00H01L 31/077[4] › Comprendiendo los dispositivos materiales monocristalinos o policristalinos.

H ELECTRICIDAD.

H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.

H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).

H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00).

H01L 31/077 · · · · Comprendiendo los dispositivos materiales monocristalinos o policristalinos.

CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.

Celda solar con sustrato corrugado flexible y método para la producción de la misma.

(01/07/2020) Un transductor fotoeléctrico que comprende: un sustrato constituido por una hoja o banda elástica flexible, incluyendo el sustrato una superficie posterior plana y una superficie frontal con un patrón de superficie de una pluralidad de porciones de superficie elevadas y deprimidas repetidas que se extienden en al menos una dirección; sobre la misma, un electrodo del lado posterior (2, A) dispuesto en la superficie frontal del sustrato y que se adapta en forma a la superficie frontal del sustrato; sobre el mismo, una capa fotoeléctrica activa que se adapta en forma a la superficie frontal del sustrato y que tiene el patrón de partes de superficie elevadas y deprimidas repetidas que se extienden…

Módulo fotovoltaico que comprende una capa con puntos de conducción.

(04/01/2017). Solicitante/s: HyET Energy Systems B.V. Inventor/es: DUBBELDAM, GERRIT, CORNELIS, SPORTEL,EDWIN PETER.

Módulo fotovoltaico (PV) que comprende una pluralidad de células fotovoltaicas de película delgada, cada célula conteniendo un sustrato, una capa de electrodo conductor transparente, una capa fotovoltaica y una capa de electrodo trasera, donde la capa fotovoltaica comprende al menos una capa de silicio p-i-n o n-i-p, caracterizado por que dicha capa de silicio comprende 10 a 1000 puntos conductores de silicio recristalizado por cm2, teniendo cada uno, independientemente, un superficie de 10 hasta 2500 μm2, donde los puntos conductores actúan como caminos conductores no lineales entre las dos capas de electrodos y donde, en una tensión de 1 V o menos, los puntos conductores conducen una corriente por unidad de superficie de menos de 0,2 mA/cm2, y a un tensión de 8 V o más, los puntos conductores conducen una corriente por unidad de superficie de más de 10 mA/cm2.

PDF original: ES-2620092_T3.pdf

Convertidor fotoeléctrico apilado.

(31/05/2013) Un dispositivo de conversión fotoeléctrica del tipo capa apilada que comprende una pluralidad de unidades deconversión fotoeléctrica apiladas sobre un sustrato , cada una de las cuales incluye una capa del tipo deconductividad única , una capa de conversión fotoeléctrica del semiconductor sustancialmenteintrínseco, y una capa del tipo de conductividad opuesta en este orden desde un lado de incidencia de luz,en donde por lo menos una de dicha capa del tipo de conductividad opuesta en una unidad de conversión fotoeléctrica deprimer nivel delantera se dispone más cerca al lado de incidencia de luz y dicha capa del tipo de conductividadúnica…

MATERIAL FOTOVOLTAICO MULTIUNIÓN TIPO P-I-N, DISPOSITIVO CERÁMICO FOTOVOLTAICO QUE LO COMPRENDE Y MÉTODOS DE OBTENCIÓN DE LOS MISMOS.

(02/08/2012) Material fotovoltaico multiunión tipo P-I-N, dispositivo cerámico fotovoltaico que lo comprende y métodos de obtención de los mismos. La presente invención se refiere a un material fotovoltaica tipo P-I-N caracterizada porque comprende al menos tres uniones semiconductoras tipo P-I-N apiladas en tándem, cuyas capas tipa P, I y N comprenden silicio microcristalino hidrogenado contenido en una matriz de silicio amorfo en su composición, y donde además cada una de las capas P y N de cada unión tipo P-I-N presenta una composición particular. Dicha material es adecuada para la obtención de dispositivas fotovoltaicas con soporte cerámico, preferentemente materiales convencionales empleados en la industria de la construcción. También es objeto de la presente invención el método de obtención del material fotovoltaico, así como…

MATERIAL FOTOVOLTAICO MULTIUNIÓN TIPO P-I-N, DISPOSITIVO CERÁMICO FOTOVOLTAICO QUE LO COMPRENDE Y MÉTODOS DE OBTENCIÓN DE LOS MISMOS.

(12/07/2012). Solicitante/s: UNIVERSIDAD POLITECNICA DE VALENCIA. Inventor/es: OROZCO MESSANA, JAVIER, HERNÁNDEZ FENOLLOSA,María de los Ángeles.

La presente invención se refiere a un material fotovoltaico tipo P-I-N caracterizado porque comprende al menos tres uniones semiconductoras tipo P-I-N apiladas en tándem, cuyas capas tipo P, I y N comprenden silicio microcristalino hidrogenado contenido en una matriz de silicio amorfo en su composición, y donde además cada una de las capas P y N de cada unión tipo P-I-N presenta una composición particular. Dicho material es adecuado para la obtención de dispositivos fotovoltaicos con soporte cerámico, preferentemente materiales convencionales empleados en la industria de la construcción. También es objeto de la presente invención el método de obtención del material fotovoltaico, asi como el método de acondicionamiento de la superficie del soporte cerámico en cuestión y el esmalte empleado para dicho acondicionamiento, cuya composición es novedosa e inventiva.

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