CIP-2021 : H01L 31/0328 : comprendiendo, aparte de los materiales de dopado u otras impurezas,

materiales semiconductores cubiertos por varios de los grupos H01L 31/0272 - H01L 31/032.

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H ELECTRICIDAD.

H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.

H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).

H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00).

H01L 31/0328 · · · · comprendiendo, aparte de los materiales de dopado u otras impurezas, materiales semiconductores cubiertos por varios de los grupos H01L 31/0272 - H01L 31/032.

CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.

Dispositivo fotovoltaico.

(03/06/2020) Un material semiconductor que comprende: una capa de material semiconductor del Grupo IV , no siendo el material silicio, una capa de material semiconductor del Grupo III-V formado por al menos un tipo de átomos del Grupo III y al menos un tipo de átomos del Grupo V, y que tiene una interfaz con la capa semiconductora del Grupo IV, estando la capa de material semiconductor del grupo IV con coincidencia reticular con la capa de material semiconductor del Grupo III-V; una capa de silicio en la interfaz entre la capa semiconductora III-V y la capa semiconductora del Grupo IV, o bien en la capa semiconductora del Grupo IV o en la capa semiconductora III-V, espaciada de la interfaz para controlar la difusión de los átomos del Grupo V en la capa semiconductora del Grupo IV, una…

Fotodiodo PIN de alta velocidad con respuesta incrementada.

(30/11/2016) Un fotodiodo PIN que comprende: una primera capa semiconductora tipo p; una capa semiconductora tipo n; una segunda capa semiconductora tipo p dispuesta entre la primera capa semiconductora tipo p y la capa semiconductora tipo n de tal manera que el segundo semiconductor tipo p está directamente adyacente a la capa semiconductora, teniendo la segunda capa semiconductora tipo p una concentración de dopaje graduada; un sustrato , creciendo la capa semiconductora tipo n sobre el sustrato ; una capa de ánodo para recolectar agujeros; una capa de cátodo para recolectar electrones; en el que la concentración de dopaje graduada define una primera concentración adyacente a la primera capa semiconductora…

USO FOTONICO DE MATERIALES DE BANDA INTERMEDIA BASADOS EN UN SEMICONDUCTOR TIPO CALCOGENURO.

(29/01/2010) Uso fotónico de materiales de banda intermedia basados en un semiconductor tipo calcogenuro. La invención se refiere al uso, en la fabricación de materiales o dispositivos para aplicaciones fotónicas, de compuestos tipo calcogenuro con el elemento indio octaédricamente coordinado y en los que se introduce un elemento de transición en posición octaédrica generando una banda intermedia parcialmente ocupada separada de las de valencia y conducción del semiconductor de partida, según resulta de cálculos mecanocuánticos. Ello posibilita obtener, por absorción de dos fotones de energía inferior al ancho de la banda prohibida del semiconductor de partida, un resultado equivalente al conseguido, sin dicha banda intermedia,…

CONVERTIDOR FOTOVOLTAICO DE ALTA EFICIENCIA PARA INTENSIDADES LUMINOSAS ELEVADAS FABRICADO CON TECNOLOGIA OPTOELECTRONICA.

(16/04/2006) Convertidor fotovoltaico de alta eficiencia para intensidades luminosas elevadas fabricado con tecnología optoelectrónica. Se trata de convertidores fotovoltaicos que trabajan bajo luz de intensidad elevada y logran una alta eficiencia. Producen electricidad fotovoltaica a costes reducidos, lo que es de gran interés para la industria fotovoltaica. Su aplicación puede extenderse a sistemas termofotovoltaicos y sistemas de telealimentación por fibra óptica. El convertidor se caracteriza porque: a) sus capas semiconductoras son de compuestos III-V, b) se utiliza fotolitografía para su fabricación y c) su tamaño está comprendido en el rango que va de las décimas a las decenas de milímetros cuadrados. Para su fabricación se pueden utilizar otras técnicas…