CIP-2021 : H01L 31/0312 : comprendiendo, aparte de los materiales de dopado u otras impurezas,
únicamente compuestos A IV B IV p. ej. SiC.
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H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00).
H01L 31/0312 · · · · comprendiendo, aparte de los materiales de dopado u otras impurezas, únicamente compuestos A IV B IV p. ej. SiC.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
METODO DE FABRICACION DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES.
(01/09/1990). Ver ilustración. Solicitante/s: AMERICAN TELEPHONE & TELEGRAPH COMPANY. Inventor/es: LEVY, ROLAND ALBERT, GALLAGHER, PATRICK KENT, GREEN, MARTIN LAURENCE.
METODO DE FABRICACION DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES. COMPRENDE LA ETAPA DE REACCIONAR AL MENOS DOS ENTIDADES REACTIVAS PARA FORMAR UN MATERIAL CONTENIENDO METAL SOBRE UNA REGION O REGIONES DE UN SUSTRATO PROCESADO O SIN PROCESAR. UN HECHO INHERENTE AL METODO ES EL RECONOCIMIENTO DE QUE UNA DE LAS ENTIDADES REACTIVAS REACCIONARA FRECUENTEMENTE CON EL MATERIAL DEL SUSTRATO PARA PRODUCIR RESULTADOS ALTAMENTE INDESEABLES, DESCONOCIDOS CON ANTERIORIDAD, POR EJEMPLO, LA EROSION CASI COMPLETA DE LOS COMPONENTES DE DISPOSITIVOS ANTERIORMENTE FABRICADOS. POR TANTO, SEGUN EL METODO DE LA INVENCION, SE EMPLEA CUALQUIERA DE DIVERSAS TECNICAS PARA REDUCIR LA VELOCIDAD DE REACCION ENTRE EL MATERIAL DEL SUSTRATO Y LA ENTIDAD QUE REACCIONA CON ESTE MATERIAL, AL TIEMPO QUE SE EVITA UNA REDUCCION SUSTANCIAL EN LA VELOCIDAD DE REACCION ENTRE LAS DOS ENTIDADES.
