CIP 2015 : H01L 27/01 : que comprenden solamente elementos pasivos de película delgada o gruesa formados sobre un sustrato aislante común.

CIP2015HH01H01LH01L 27/00H01L 27/01[1] › que comprenden solamente elementos pasivos de película delgada o gruesa formados sobre un sustrato aislante común.

Notas[n] desde H01L 27/01 hasta H01L 27/28:
  • En los grupos H01L 27/01 - H01L 27/28, se aplica la regla del último lugar, es decir en cada nivel jerárquico, salvo que se indique lo contrario, la clasificación se realiza en el último lugar apropiado.

H SECCION H — ELECTRICIDAD.

H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.

H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).

H01L 27/00 Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común (detalles H01L 23/00, H01L 29/00 - H01L 51/00; conjuntos que consisten en una pluralidad de dispositivos de estado sólido individuales H01L 25/00).

H01L 27/01 · que comprenden solamente elementos pasivos de película delgada o gruesa formados sobre un sustrato aislante común.

CIP2015: Invenciones publicadas en esta sección.

APARATO PARA EL ALMACENAMIENTO VOLUMETRICO DE DATOS QUE COMPRENDE UNA SERIE DE DISPOSITIVO DE MEMORIA APILADOS DIRECCIONABLES EN FORMA DE MATRIZ.

(01/03/2006). Ver ilustración. Solicitante/s: THIN FILM ELECTRONICS ASA. Inventor/es: GUDESEN, HANS, GUDE, LEISTAD, GEIRR, I..

Aparato para el almacenamiento volumétrico de datos que comprende una serie de dispositivos de memoria apilados (M) direccionables, por matriz, en el que cada.

RED PASIVA EN FORMA DE CONSTRUCCION DE UN CHIP.

(01/11/2002). Ver ilustración. Solicitante/s: SIEMENS MATSUSHITA COMPONENTS GMBH & CO KG. Inventor/es: AICHHOLZER, KLAUS-DIETER, KAINZ, GERALD.

SE DESCRIBE UNA RED PASIVA, COMO POR EJEMPLO UNA SERIE-CC EN FORMA DE CHIP, EN LA QUE LOS CONDUCTORES INTERIORES DE UNA SERIE DE CONDENSADORES SE SACAN COMO CONEXIONES EN UNA SUPERFICIE LATERAL LONGITUDINAL (L1) DEL DISCO-CHIP . UNOS ELECTRODOS DE MASA COMUNES AL NUMERO DE CONDENSADORES SE LLEVAN, POR OTRA PARTE, A LAS DOS SUPERFICIES DEL LADO FRONTAL (S1, S2) DEL DISCOCHIP.

FILTRO DE RUIDOS LC.

(16/01/1996). Solicitante/s: IKEDA, TAKESHI. Inventor/es: IKEDA, TAKESHI.

LA PRESENTE INVENCION PROPORCIONA UN FILTRO DE RUIDOS LC QUE CONSISTE EN UNA CAPACITANCIA Y UNA INDUCTANCIA, INCLUYENDO UNA PRIMERA CAPA AISLANTE QUE TIENE UNA PLURALIDAD DE PORCIONES DOBLADAS ALTERNATIVAMENTE EN DIRECCIONES OPUESTAS Y APILADAS LA UNA SOBRE LA OTRA, UN PRIMER CONDUCTOR APLICADO A LA CAPA AISLANTE A UN LADO (20A) Y ADAPTADO PARA FORMAR UN ROLLO QUE TIENE UN NUMERO DETERMINADO DE VUELTAS CUANDO LAS PORCIONES DOBLADAS DE ESTA CAPA AISLANTE SE PLIEGAN ALTERNATIVAMENTE EN DIRECCIONES OPUESTAS Y SE APILAN UNA SOBRE OTRA, Y UN SEGUNDO CONDUCTOR APLICADO AL OTRO LADO DE LA CAPA AISLANTE (20B) Y SITUADO EN EL LADO OPUESTO AL PRIMER CONDUCTOR PARA FORMAR UNA CAPACITANCIA ENTRE ELLOS, POR MEDIO DE LA CUAL EL FILTRO PUEDE ELIMINAR LOS RUIDOS QUE PROVENGAN DEL EXTERIOR SIN CREAR NINGUN FENOMENO INDESEABLE COMO UN TIMBRAZO O ALGO POR EL ESTILO.

SISTEMA DE CONEXION Y ETIQUETA DE RESONANCIA ASI COMO PROCEDIMIENTO PARA SU PREPARACION.

(01/02/1994). Solicitante/s: ACTRON ENTWICKLUNGS AG. Inventor/es: JORGENSEN, PAUL RICHTER.

PARA LA PREPARACION DE MAS PRUEBAS DE CONEXION ELECTRICAS, PARTICULARMENTE UNA ETIQUETA DE UN MATERIAL SOPORTE , SE PROCEDE DEL SIGUIENTE MODO, LA CAPA DE AISLAMIENTO PREVISTA ENTRE DOS TRAMOS SUPERFICIALES (2, 2A) DE PRUEBAS DE CONEXION SE APLICA EN FORMA LIQUIDA O PASTOSA Y EL GROSOR Y EL ENSAYO DE DICHA CARGA SE PUEDE MEJORAR. UN SISTEMA DE CONEXION TIPICA PUEDE PREPARARSE POR UN PROCEDIMIENTO CARACTERIZADO, PORQUE LA MAXIMA CAPA AISLANTE TAN DELGADA COMO LA CAPA DE AISLAMIENTO DESCANSA SOBRE PARTES CONDUCTORAS (2, 2A) APOYADAS LIBREMENTE CONTRA SUPERFICIES LIBRES PROXIMAS A LA CAPA AISLANTE.

PROCEDIMIENTO PARA LA FABRICACION DE ETIQUETAS CON UNA CONEXION, QUE HABITUALMENTE FORMA UN CIRCUITO OSCILATORIO.

(01/10/1993). Solicitante/s: ACTRON ENTWICKLUNGS AG. Inventor/es: RICHTER JORGENSEN, POUL.

PARA LA FABRICACION DE ETIQUETAS, QUE LLEVAN CIRCUITOS OSCILATORIOS, ELECTRICOS SE ELABORAN PRIMERO UNA PIEZA DE CONEXION DE UNA CINTA METALICA, QUE ESTA REVESTIDA CON CAPAS CON UN PEGAMENTO Y ESTA DETERMINADA EN UN TRAMO MEDIO, LUEGO SE DESTECHA ESTE TRAMO MEDIO PARA LA ESTABILIZACION CON UNA BANDA DE MATERIAL AISLANTE, PARA ELABORAR A CONTINUACION LAS PIEZAS DE CONEXION, QUE SE SITUAN EN EL TRAMO EXTERIOR DE LA BANDA, SE FORRA UNA FOLIA DE CUBIERTA SOBRE LA CINTA METALICA Y SE REUNE LAS PIEZAS DE CONEXION DEL LADO POSTERIOR SOBRE LA BANDA DEL MATERIAL AISLANTE Y SE CONECTA CON LA CONEXION HABITUAL ELECTRICAMENTE. ESTO SE PERMITE UNA FABRICACION DE MASAS RACIONALES Y PRECISOS DE ETIQUETAS, POR EJEMPLO, PARA LA APLICACION DEL SISTEMA PROTECTOR DE LOS PRODUCTOS.

PROCEDIMIENTO DE ENMASCARAMIENTO PARA LA PRODUCCION DE INETRCONEXIONES EN TECNOLOGIA DE CAPA FINA.

(01/12/1989) PROCEDIMIENTO DE ENMASCARAMIENTO PARA LA PRODUCCION DE INTERCONEXIONES EN TECNOLOGIA DE CAPA FINA. EL PROCEDIMIENTO TIENE POR OBJETO CONSEGUIR EN UN SUSTRATO UN INTERCONEXIONADO DE ALTA DENSIDAD Y ALTA RESOLUCION CON UNA RESISTIVIDAD BAJA EN EL QUE SE INTEGRAN RESISTENCIAS DE ELEVADA ESTABILIDAD. QUE INCLUYE UNA FASE DE LIMPIEZA DEL SUSTRATO ; UNA FASE DE METALIZACION EN LA QUE SE DEPOSITAN TRES CAPAS (16, 17 Y 18); UNA FASE DE ENMASCARAMIENTO NEGATIVO PARA PROTEGER LAS PARTES EN LAS QUE NO SE DEBE EFECTUAR NINGUNA CONEXION; UNA FASE DE CRECIMIENTO GALVANICO EN LA QUE SE DEPOSITA UNA CAPA EN LOS LUGARES NO PROTEGIDOS POR EL ENMASCARAMIENTO; UNA FASE DE ELIMINACION DE LA MASCARA; UNA FASE DE ATAQUES QUIMICOS PARA ELIMINAR LAS TRES CAPAS DE METALIZACION (16, 17 Y 18) EN LA PARTE CORRESPONDIENTE DEL ENMASCARAMIENTO SUPRIMIDO;…

 

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