CIP 2015 : H01S 5/34 : que comprenden estructuras de pozos cuánticos o de superredes,

p. ej. láseres de pozo cuántico único [láseres SQW], láseres de pozos cuánticos múltiples [láseres MQW], láseres con heteroestructura de confinamiento separada que tienen un índice progresivo [láseres GRINSCH] (H01S 5/36 tiene prioridad).

CIP2015HH01H01SH01S 5/00H01S 5/34[2] › que comprenden estructuras de pozos cuánticos o de superredes, p. ej. láseres de pozo cuántico único [láseres SQW], láseres de pozos cuánticos múltiples [láseres MQW], láseres con heteroestructura de confinamiento separada que tienen un índice progresivo [láseres GRINSCH] (H01S 5/36 tiene prioridad).

H SECCION H — ELECTRICIDAD.

H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.

H01S DISPOSITIVOS QUE UTILIZAN LA EMISION ESTIMULADA.

H01S 5/00 Láseres de semiconductor.

H01S 5/34 · · que comprenden estructuras de pozos cuánticos o de superredes, p. ej. láseres de pozo cuántico único [láseres SQW], láseres de pozos cuánticos múltiples [láseres MQW], láseres con heteroestructura de confinamiento separada que tienen un índice progresivo [láseres GRINSCH] (H01S 5/36 tiene prioridad).

CIP2015: Invenciones publicadas en esta sección.

Sistema y método de detección de heterodinos.

(29/07/2020) Un sistema de detección activa de heterodinos que comprende: una fuente de láser continuamente sintonizable configurada para emitir radiación infrarroja; un detector adaptado para la detección de heterodinos en un intervalo espectral continuo; medios configurados para dividir la radiación infrarroja en una primera parte y una segunda parte; medios configurados para proporcionar un desplazamiento de frecuencia entre la primera parte y la segunda parte; en donde el medio de desplazamiento de frecuencia es un modulador acústico-óptico, y en donde el desplazamiento de frecuencia se aplica a la primera parte de la radiación infrarroja; medios configurados para dirigir un modo de primer orden del modulador acústico-óptico al objetivo; en donde la segunda parte de la radiación infrarroja se proporciona…

Dispositivo monolítico fuente de luz cuántica ajustable y circuito óptico cuántico del mismo.

(18/12/2019) Un dispositivo para emitir fotones individuales o pares de fotones entrelazados, donde el dispositivo es monolítico y comprende, sobre un sustrato de material semiconductor seleccionado de entre: material semiconductor tipo p, material semiconductor tipo n y material semiconductor intrínseco: • un diodo inferior localizado encima del sustrato y que comprende: • un bloque de material semiconductor seleccionado entre: material semiconductor tipo p y material semiconductor tipo n; teniendo el bloque el mismo tipo de dopado que el sustrato cuando el sustrato está dopado, • una primera capa de material semiconductor dispuesta en el bloque y que tiene el mismo tipo de dopado que el bloque • una segunda capa de material semiconductor localizada sobre el primer material…

Láser de cascada cuántica.

(26/12/2018). Solicitante/s: Thorlabs Quantum Electronics, Inc. Inventor/es: XIE,Feng, CANEAU,CATHERINE GENEVIEVE, ZAH,CHUNG-ENG.

Una estructura de láser de cascada cuántica que comprende una pluralidad de pozos cuánticos y una pluralidad de barreras, al menos una parte de la cual define una región activa, estando un extremo de dicha región activa delimitado por una barrera inyectora, en la que: dos o más pozos cuánticos adyacentes de dicha parte de pozos cuánticos que define la región activa están colocados junto a la barrera inyectora y cada uno tiene una anchura más estrecha que las anchuras de dos o más pozos cuánticos sucesivos en la pluralidad de pozos cuánticos que definen la región activa, y en la que la región activa tiene una configuración de pozo escalonado en la que un último pozo cuántico final en el otro extremo de la región activa tiene un nivel de energía de banda mínimo más bajo que un pozo cuántico adyacente de la región activa.

PDF original: ES-2694699_T3.pdf

Dispositivo láser de emisión de ondas terahercios.

(25/04/2012) Dispositivo láser de emisión de onda en una gama de frecuencia comprendida entre 0,5 THz y THz queincluye una heteroestructura semiconductora , siendo dicha heteroestructura de forma cilíndrica de seccióncircular, e incluyendo: - una primera capa de material semiconductor ópticamente no lineal que incluye medios emisores , - una segunda capa y una tercera capa de material semiconductor que presenta cada una un índiceóptico más bajo que el índice del material utilizado para dicha primera capa y situadas sobre una parte yotra de dicha primera capa ; - al menos una capa metálica situada en un extremo de dicha heteroestructura , caracterizada porque estos medios emisores son aptos para emitir en al menos dos modos de galería ópticos quepertenecen al infrarrojo cercano, estando dichos al menos dos modos de galería confinados en…

METODO DE FORMACION DE PUNTOS CUANTICOS PARA EL FUNCIONAMIENTO A LONGITUDES DE ONDA EXTENDIDAS.

(01/06/2006) Método de formación de la región activa de un dispositivo optoelectrónico que incorpora unos puntos cuánticos semiconductores cuya emisión en estado básico tiene lugar a longitudes de onda mayores que 1350 nm a una temperatura de sustancialmente 293 K, comprendiendo dicho método las etapas siguientes: hacer crecer una primera capa de puntos cuánticos formada sobre una de entre una capa de sustrato o una capa tampón, sometiéndose a dichos puntos cuánticos de dicha primera capa a una tensión debido a un desajuste de redes entre dicha capa de sustrato y dichos puntos cuánticos de dicha primera capa; hacer crecer una capa separadora sobre dicha primera capa y sometiéndose a dicha capa separadora a una…

SEMICONDUCTOR LASER COMPRIMIENDO UNA PLURALIDAD DE REGIONES ACTIVAS OPTICAMENTE.

(01/11/2005). Ver ilustración. Solicitante/s: THE UNIVERSITY COURT OF THE UNIVERSITY OF GLASGOW. Inventor/es: MARSH, JOHN HAIG, KIM, SHIN-SUNG.

Un dispositivo láser semiconductor de área amplia que comprende una pluralidad de regiones ópticamente activas ; y una pluralidad de regiones ópticamente pasivas ordenadas sustancialmente en relación lineal a lo largo del eje óptico del láser, incluyendo cada región ópticamente activa una estructura de pozo de quantum , estando separadas unas de otras regiones ópticamente activas adyacentes mediante una respectiva región ópticamente pasiva de pozo de quantum entremezclado , formando cada región ópticamente pasiva una región de difracción que actúa como un filtro de modo espacial para producir selectivamente una sola salida de modo transversal mediante pérdidas de difracción a modos de orden superior.

DESPLAZAMIENTO DE LONGITUD DE ONDA OPTICA.

(01/04/2005). Ver ilustración. Solicitante/s: IMPERIAL COLLEGE OF SCIENCE, TECHNOLOGY & MEDICINE. Inventor/es: PHILLIPS, CHRISTOPHER CLEMENT.

Aparato para transformar radiación electromagnética a una primera frecuencia 1 en radiación electromagnética a una segunda frecuencia 2, comprendiendo dicho aparato: un láser semiconductor intersubbanda accionable para emitir radiación electromagnética a una tercera frecuencia 3; y una guía de radiación accionable para dirigir radiación electromagnética a dicha primera frecuencia 1 hacia el interior de dicho láser semiconductor intersubbanda ; en el que, durante el funcionamiento, dicha radiación electromagnética a dicha primera frecuencia 1 y dicha radiación electromagnética a dicha tercera frecuencia 3 son mezcladas a frecuencia coherente en dicho láser semiconductor intersubbanda para generar dicha radiación electromagnética a dicha segunda frecuencia 2, siendo 2 igual a 1+n3, siendo n un entero distinto de cero.

RESONADOR DE FONONES.

(16/06/2004). Solicitante/s: PAINTER, BLAND A., III. Inventor/es: BROWN, THOMAS, G.

SE ESTABLECE UNA ESTRUCTURA DE DENSIDAD PERIODICAMENTE VARIABLE, QUE ACTUA COMO RESONADOR PARA FONONES CAPACES DE PARTICIPAR EN INTERACCIONES FONONES-ELECTRONES. ESPECIFICAMENTE, SE ESTABLECE UN RESONADOR DE FONONES QUE ES RESONANTE PARA FONONES DE IMPULSO APROPIADO PARA PARTICIPAR EN TRANSICIONES RADIANTES INDIRECTAS Y/O EVENTOS DE DISPERSION ENTRE VALLES INTERZONALES. PREFERIBLEMENTE, LA ESTRUCTURA ES UNA SUPERRETICULA ISOTOPICA, PREFERIBLEMENTE DE SILICIO. LA ESTRUCTURA DE LA PRESENTE INVENCION TIENE PROPIEDADES OPTICAS, ELECTRICAS Y/O DE TRANSFERENCIA TERMICA MEJORADAS. TAMBIEN SE ESTABLECE UN METODO PARA PREPARAR LA ESTRUCTURA DE LA PRESENTE INVENCION.

Utilizamos cookies para mejorar nuestros servicios y mostrarle publicidad relevante. Si continua navegando, consideramos que acepta su uso. Puede obtener más información aquí. .