CIP 2015 : G11C 8/08 : Circuitos de control de líneas de palabras, p.ej. circuitos de excitación,

de potencia, de arrastre hacía arriba (pull-up), de empuje hacía abajo (pull-down), circuitos de precarga, circuitos de igualación, para líneas de palabras.

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Notas[t] desde G01 hasta G12: INSTRUMENTOS

G SECCION G — FISICA.

G11 REGISTRO DE LA INFORMACION.

G11C MEMORIAS ESTATICAS (registro de la información basado en un movimiento relativo entre el soporte de registro y el transductor G11B; dispositivos semiconductores para memorias H01L, p. ej. H01L 27/108 - H01L 27/115; técnica del impulso en general H03K, p. ej. conmutadores electrónicos H03K 17/00).

G11C 8/00 Disposiciones para seleccionar una dirección en una memoria digital (circuitos auxiliares para memorias que utilizan dispositivos semiconductores G11C 11/4063, G11C 11/413, G11C 11/4193).

G11C 8/08 · Circuitos de control de líneas de palabras, p.ej. circuitos de excitación, de potencia, de arrastre hacía arriba (pull-up), de empuje hacía abajo (pull-down), circuitos de precarga, circuitos de igualación, para líneas de palabras.

CIP2015: Invenciones publicadas en esta sección.

Sistema de memoria de múltiples flujos de instrucciones.

(06/05/2020) Un dispositivo de memoria que comprende: un decodificador ; una pluralidad de células de memoria , en el que cada una de las células de memoria comprende: un primer elemento de memoria no volátil correspondiente que incluye un primer elemento de memoria resistivo correspondiente y asociado con un primer hilo; y un segundo elemento de memoria no volátil correspondiente que incluye un segundo elemento de memoria resistivo correspondiente y asociado con un segundo hilo, en el que cada uno del primer elemento de memoria no volátil y el segundo elemento de memoria no volátil es un elemento de memoria multipuerto, y en el que el decodificador está configurado…

Sistema y procedimiento para reducir el esfuerzo de tensión de programación en dispositivos de celdas de memoria.

(08/01/2020) Una memoria OTP programable una vez , que comprende: una primera línea de palabra global (GWL1); un primer conjunto de líneas de bits (BL1-BLJ); una primera línea de palabra local (LWL11); un primer conjunto de celdas de memoria OTP (C11 - 1J) acopladas a la primera línea de palabra local y acopladas al primer conjunto de líneas de bits, respectivamente; y un primer controlador de línea de palabra local (LD11) configurado para generar una primera señal confirmada en la línea de palabra local en respuesta a la recepción de una segunda señal confirmada de la primera línea de palabra global y una tercera señal confirmada, en la que la tercera señal confirmada se genera en respuesta al menos a uno de un primer conjunto de señales de…

Esquema de doble alimentación en el circuito de memoria.

(01/03/2019) Un dispositivo de memoria de semiconductor de doble voltaje que comprende: una pluralidad de controladores de escritura (105a-c) que reciben señales de entrada de datos de bajo voltaje y, en respuesta, que escriben valores de datos de nivel de bajo voltaje en un núcleo de memoria; un cambiador de nivel configurado para cambiar un nivel de una señal de dirección de un nivel de bajo voltaje a un nivel de voltaje más alto (313a-313c); un descodificador configurado para descodificar la señal de dirección de nivel cambiado para proporcionar una señal de línea de palabras de nivel cambiado de voltaje más alto que activa las células de…

Sistema y procedimiento de operación de un dispositivo de memoria.

(13/05/2015) Un aparato que comprende: una célula bit acoplada a una primera línea de bit , a una segunda línea de bit , y a una línea de palabra que es sensible a un circuito de ataque de línea de palabra ; un amplificador de lectura acoplado a la primera línea de bit y a la segunda línea de bit ; un circuito de temporización configurado para generar una primera señal y una segunda señal ; un circuito de bucle configurado para suministrar una señal de administración de aplicación de lectura al amplificador de lectura en respuesta a la recepción de la primera señal ; y un circuito de habilitación…

Esquema de distribución con umbral multinivel flash.

(08/01/2014) Un dispositivo de memoria que comprende: Un arreglo de memoria que tiene celdas de memoria dispuestas en filas y columnas caracterizadas porque: cada celda de memoria es borrable para tener un voltaje umbral de borrado negativo y es programable en unaoperación de programa que tiene al menos un voltaje umbral de programación negativo; un controlador de línea para controlar selectivamente una línea (WLn) conectada a un terminal de puerta de una celda de memoria con un voltaje de programación para cambiar el voltaje umbral de borrado negativo a almenos un voltaje umbral de programa negativo durante la operación del programa.

Esquema de distribución de umbral de Flash multi-nivel.

(29/05/2013) Un dispositivo de memoria Flash NAND que comprende: una matriz de memoria que tiene bloques de celdas de memoria dispuestas como cadenas de celdas NANDdonde cada bloque incluye una fila de cadenas de celdas NAND, caracterizado porque: cada uno de los bloques de celdas de memoria es borrable mediante tunelización-FN para tener una tensiónumbral de borrado negativa y programable mediante tunelización-FN para tener una tensión umbral de programaciónnegativa o una tensión umbral de programación positiva;circuitería lógica de control de filas para seleccionar un bloque de la matriz de memoria y conducirselectivamente una línea de palabra (WLn) conectada a un terminal de puerta de…

Circuito integrado con tensión de alimentación independiente para la memoria que es diferente de la tensión de alimentación del circuito lógico.

(23/04/2013) Un circuito integrado que comprende: al menos un circuito lógico alimentado por una primera tensión de alimentación; y al menos un circuito de memoria acoplado al circuito lógico y alimentado por una segundatensión de alimentación, y en el que el circuito de memoria está configurado para ser accedido enrespuesta al circuito lógico incluso en un caso en que la primera tensión de alimentación seainferior a la segunda tensión de alimentación durante su utilización, y en el que el circuito de memoria comprende circuitería de desplazamiento de nivel configurada para señales de desplazamientode nivel entre un primer dominio de tensión correspondiente a la primera tensión de alimentación…

CIRCUITO INTEGRADO CON TENSIÓN DE ALIMENTACIÓN INDEPENDIENTE PARA LA MEMORIA QUE ES DIFERENTE DE LA TENSIÓN DE ALIMENTACIÓN DEL CIRCUITO LÓGICO.

(14/12/2011) Un circuito integrado , que comprende: por lo menos un circuito lógico alimentado por una primera tensión de alimentación (VL) recibida en una primer5 a entrada al circuito integrado; y por lo menos un circuito de memoria acoplado al circuito lógico y alimentado por una segunda tensión de alimentación (VM) recibida en una segunda entrada en el circuito integrado, y en el que el circuito de memoria se configura para ser leído y escrito en respuesta al circuito lógico incluso si la primera tensión de alimentación es menor que la segunda tensión de alimentación y en el que el circuito de memoria comprende por lo menos una matriz de memoria , en el que la matriz de memoria comprende una pluralidad de celdas de memoria que son alimentadas continuamente por la segunda tensión de alimentación durante el uso,…

LECTURA NO DESTRUCTIVA.

(16/03/2007) Un procedimiento para determinar un estado lógico de células de memoria seleccionadas, proporcionadas en un dispositivo pasivo de almacenamiento de datos, matricialmente direccionable, que contiene líneas de palabra y de bit (LP; LB), en el cual a un estado lógico específico se asigna un único valor lógico, según un protocolo predeterminado, en donde dichas células almacenan datos en forma de un estado de polarización eléctrica en estructuras similares a condensadores, que comprenden un material polarizable, en particular, un material ferroeléctrico o 'electret', capaz de manifestar histéresis, en donde dicho material polarizable…

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