CIP 2015 : H01L 31/0725 : Células solares a unión múltiple o tandem.

CIP2015HH01H01LH01L 31/00H01L 31/0725[4] › Células solares a unión múltiple o tandem.

H SECCION H — ELECTRICIDAD.

H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.

H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).

H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00).

H01L 31/0725 · · · · Células solares a unión múltiple o tandem.

CIP2015: Invenciones publicadas en esta sección.

Componente semiconductor optoelectrónico.

(24/06/2020) Componente semiconductor optoelectronico basado en silicio, con - un lado anterior , - un primer diodo y un segundo diodo que estan conectados aguas abajo uno de otro, en direccion alejandose del lado anterior , y en serie de forma electrica, de manera que el primer diodo se encuentra mas cerca del lado anterior que el segundo diodo , y - un contacto de tunel electrico entre el primer y el segundo diodo , donde el segundo diodo comprende una capa de diodos de SinGe1-n, en donde 0 ≤ n ≤ 1, caracterizado porque el primer diodo comprende una primera capa parcial de SiGeC, una segunda capa parcial de Si- Ge y una tercera capa parcial de SiGeC, y las capas parciales…

Dispositivo fotovoltaico.

(03/06/2020) Un material semiconductor que comprende: una capa de material semiconductor del Grupo IV , no siendo el material silicio, una capa de material semiconductor del Grupo III-V formado por al menos un tipo de átomos del Grupo III y al menos un tipo de átomos del Grupo V, y que tiene una interfaz con la capa semiconductora del Grupo IV, estando la capa de material semiconductor del grupo IV con coincidencia reticular con la capa de material semiconductor del Grupo III-V; una capa de silicio en la interfaz entre la capa semiconductora III-V y la capa semiconductora del Grupo IV, o bien en la capa semiconductora del Grupo IV o en la capa semiconductora III-V, espaciada de la interfaz para controlar la difusión de los átomos del Grupo V en la capa semiconductora del Grupo IV, una…

Sistema de energía electromagnética de espectro completo.

(12/02/2020) Un sistema de captura de energía electromagnética (EMCS), que comprende una celda que incluye, en combinación: al menos una superficie superior curva y una superficie inferior, por lo cual la superficie superior recibe radiación electromagnética (EMR) en la celda; en el que la superficie superior e inferior reflejan la EMR interna de nuevo en la celda; la celda comprende adicionalmente películas de capa múltiple flexibles que comprenden una pluralidad de semiconductores, y en la que las películas de capas múltiples asumen una geometría de cinta tridimensional no plana dentro de la celda, de tal manera que definen una pluralidad de separaciones energéticas y sustancialmente abarcan tres dimensiones del espacio entre la superficie superior y la superficie inferior por lo cual…

Conversión de fotones de alta energía en electricidad.

(26/03/2019) Sistema convertidor de energía para convertir las emisiones de fotones de alta energía en energía eléctrica que comprende: un convertidor de energía de fotones de alta energía para convertir las emisiones de fotones de alta energía en energía eléctrica que comprende una pluralidad de capas de un primer material que está adaptado para absorber los fotones de alta energía que presentan unas energías en el intervalo de aproximadamente 100 eV o superiores a partir de un flujo de fotones , y para emitir los electrones expulsados de un átomo en la primera capa de material por un fotón de alta energía que presenta una energía en el intervalo de aproximadamente 100 eV o superior y absorbido en una capa de la pluralidad de capas de un primer material, presentando cada capa de la pluralidad de capas de un primer material…

Subcélula para su utilización en una célula solar multiunión.

(23/01/2019). Solicitante/s: Solar Junction Corporation. Inventor/es: JONES,REBECCA ELIZABETH, YUEN,HOMAN BERNARD, LIU,TING, MISRA,PRANOB.

Subcélula para su utilización en una célula solar multiunión, que comprende: una capa Ga1-xInxNyAs1-y-zSbz , en la que los valores de contenido para x, y, y z se encuentran en los rangos de composición siguientes: 0,07 ≤ x ≤ 0,18, 0,025 ≤ y ≤ 0,04 y 0,001 ≤ z ≤ 0,03; un emisor , un campo en superficie delantero opcional y un campo en superficie trasero opcional ; donde la capa Ga1-xInxNyAs1-y-zSbz se empareja reticularmente de forma sustancial a un sustrato GaAs o a un sustrato Ge; donde la capa Ga1-xInxNyAs1-y-zSbz presenta una banda prohibida en el rango de 0,9 - 1,1 eV; donde, cuando se expone a una iluminación de 1 sol AM 1.5D, la subcélula presenta una tensión en circuito abierto superior a 0,30 V; y una corriente de cortocircuito superior a 13 mA/cm cuando se expone a una iluminación de 1 sol AM1.5D con un filtro que bloquea toda la luz por encima de la banda prohibida GaAs.

PDF original: ES-2720596_T3.pdf

CELULA SOLAR MULTIUNIÓN DE SEMICONDUCTORES III-V QUE CONTIENE GRAFENO Y METODO DE OBTENCION.

(27/04/2018). Solicitante/s: UNIVERSIDAD POLITECNICA DE MADRID. Inventor/es: ALGORA DEL VALLE,CARLOS, REY-STOLLE PRADO,IGNACIO, BARRUTIA PONCELA,Laura, OCHOA GOMEZ,Mario.

Célula solar multiunión de semiconductores III-V que contiene grafeno y método de obtención. La invención se refiere a una célula solar multiunión que comprende: una estructura semiconductora que incorpora una o más uniones pn fotovoltaicamente activas hechas de semiconductores III-V, contactos metálicos frontales y traseros, y una o más capas de grafeno depositadas entre la estructura semiconductora y los contactos frontales. Para muchas aplicaciones de esta invención, además sería necesario depositar capas antirreflectantes sobre el grafeno. Asimismo, la presente invención se refiere al método de obtención de la célula solar multiunión, caracterizado porque comprende depositar al menos una capa de grafeno mediante transferencia sobre la superficie semiconductora frontal de la célula solar, previamente al depósito de los contactos metálicos frontales.

PDF original: ES-2665809_A1.pdf

Pila fotoelectroquímica, sistema y procedimiento para la generación accionada por luz de hidrógeno y oxígeno con una pila fotoelectroquímica, y procedimiento para la obtención de la pila fotoelectroquímica.

(18/01/2017) Pila fotoelectroquímica para la generación accionada por luz de hidrógeno y oxígeno, en especial a partir de agua u otro electrolito basado en disolución acuosa, con una estructura estratificada fotoeléctrica y una estructura estratificada electroquímica en una estructura estratificada , - formando la estructura estratificada fotoeléctrica para la absorción de luz no influida por el electrolito un lado delantero de la construcción estratificada , y - formando la estructura estratificada electroquímica para el alojamiento de electrolito un lado trasero de la construcción estratificada , y - poniendo…

Célula fotovoltaica con banda prohibida variable.

(08/06/2016) Célula fotovoltaica monolítica que comprende por lo menos una unión (105a, 105b, 105c), en la que cada una de dicha por lo menos una unión comprende una base formada por un material semiconductor dopado de un primer tipo de conductividad y un emisor formado por un material semiconductor dopado de un segundo tipo de conductividad opuesto al primero, estando dicho emisor apilado sobre la base según una primera dirección, siendo el material semiconductor de la base y/o del emisor de por lo menos una de dicha por lo menos una unión un material semiconductor formado por un compuesto de por lo menos un primer elemento y un segundo elemento, en la que la banda prohibida y el parámetro de red de dicho material semiconductor de la base y/o del emisor dependen de la concentración…

Dispositivo semiconductor y procedimiento para su fabricación.

(15/07/2015) Procedimiento para fabricar un dispositivo semiconductor que absorbe luz, que contiene las siguientes etapas: proporcionar un sustrato con una primera cara y una segunda cara que contiene o está compuesto por silicio dopado de tipo p, Introducir un agente de dopaje en al menos un volumen parcial del sustrato semiconductor adyacente a la primera cara , de modo que entre el volumen parcial y el sustrato semiconductor se forma una primera transición pn con una primera energía de banda prohibida, Irradiar al menos una superficie parcial de la segunda cara del sustrato semiconductor en presencia de un compuesto que contiene nitrógeno, fósforo, azufre o arsénico con una pluralidad…

Célula fotovoltaica con una eficiencia de conversión elevada.

(06/09/2013) Célula fotovoltaica monolítica que comprende al menos una unión , donde dicha al menos unaunión incluye una base formada por un material semiconductor dopado epitaxialmente de un primer tipo deconductividad y un emisor formado por un material semiconductor dopado de un segundo tipo deconductividad opuesto al primero, estando dicho emisor apilado sobre la base de acuerdo con una primera dirección(x), y teniendo la base de al menos una de dicha al menos una unión un gradiente decreciente de concentración dedopante (C(x)) a lo largo de dicha primera dirección caracterizada porque dicha base comprende: una primera porción lejos del emisor, una segunda porción próxima al emisor, y una tercera porción entre la primeraporción y la segunda porción, donde: - en la primera porción, dicho gradiente decreciente de concentración…

APARATO PARA CONVERTIR ENERGÍA SOLAR EN ELECTRICIDAD PROTEGIDO MEDIANTE UNA TAPA DE VIDRIO.

(01/02/2012) Aparato para convertir energía solar en electricidad protegido mediante una tapa de vidrio.La presente invención se refiere a un aparato para convertir energía solar en electricidad, que comprende: un substrato 101, una célula solar multiunión de compuesto semiconductor III-V 102 para convertir la célula solar 102 en electricidad, estando montada la célula solar 102 sobre el substrato 101, un diodo 103, sobre el substrato 101, que comprende un cuerpo, un contacto de ánodo y un contacto de cátodo, estando acoplado el diodo 103 en paralelo con la célula solar 102, y unos terminales de salida 104 montados sobre el substrato 101 y acoplados con la célula solar 102 y el diodo 103 para manejar más de 10 W de potencia. Dicho aparato también comprende por lo menos un separador 107 y una tapa…

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