CIP-2021 : G11C 11/417 : para celdas de memoria del tipo de efecto de campo.

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Notas[n] desde G11C 11/02 hasta G11C 11/54:

G FISICA.

G11 REGISTRO DE LA INFORMACION.

G11C MEMORIAS ESTATICAS (dispositivos semiconductores para memorias H01L, p. ej. H01L 27/108 - H01L 27/11597).

G11C 11/00 Memorias digitales caracterizadas por la utilización de elementos de almacenamiento eléctricos o magnéticos particulares; Elementos de almacenamiento correspondientes (G11C 14/00 - G11C 21/00 tienen prioridad).

G11C 11/417 · · · · · · para celdas de memoria del tipo de efecto de campo.

CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.

Esquema de doble alimentación en el circuito de memoria.

(01/03/2019) Un dispositivo de memoria de semiconductor de doble voltaje que comprende: una pluralidad de controladores de escritura (105a-c) que reciben señales de entrada de datos de bajo voltaje y, en respuesta, que escriben valores de datos de nivel de bajo voltaje en un núcleo de memoria; un cambiador de nivel configurado para cambiar un nivel de una señal de dirección de un nivel de bajo voltaje a un nivel de voltaje más alto (313a-313c); un descodificador configurado para descodificar la señal de dirección de nivel cambiado para proporcionar una señal de línea de palabras de nivel cambiado de voltaje más alto que activa las células de…

Circuito integrado con tensión de alimentación independiente para la memoria que es diferente de la tensión de alimentación del circuito lógico.

(23/04/2013) Un circuito integrado que comprende: al menos un circuito lógico alimentado por una primera tensión de alimentación; y al menos un circuito de memoria acoplado al circuito lógico y alimentado por una segundatensión de alimentación, y en el que el circuito de memoria está configurado para ser accedido enrespuesta al circuito lógico incluso en un caso en que la primera tensión de alimentación seainferior a la segunda tensión de alimentación durante su utilización, y en el que el circuito de memoria comprende circuitería de desplazamiento de nivel configurada para señales de desplazamientode nivel entre un primer dominio de tensión correspondiente a la primera tensión de alimentación…

CIRCUITO INTEGRADO CON TENSIÓN DE ALIMENTACIÓN INDEPENDIENTE PARA LA MEMORIA QUE ES DIFERENTE DE LA TENSIÓN DE ALIMENTACIÓN DEL CIRCUITO LÓGICO.

(14/12/2011) Un circuito integrado , que comprende: por lo menos un circuito lógico alimentado por una primera tensión de alimentación (VL) recibida en una primer5 a entrada al circuito integrado; y por lo menos un circuito de memoria acoplado al circuito lógico y alimentado por una segunda tensión de alimentación (VM) recibida en una segunda entrada en el circuito integrado, y en el que el circuito de memoria se configura para ser leído y escrito en respuesta al circuito lógico incluso si la primera tensión de alimentación es menor que la segunda tensión de alimentación y en el que el circuito de memoria comprende por lo menos una matriz de memoria , en el que la matriz de memoria comprende una pluralidad de celdas de memoria que son alimentadas continuamente por la segunda tensión de alimentación durante el uso,…

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