CIP-2021 : H01L 33/44 : caracterizados por los revestimientos, p. ej. capa de pasivación o revestimiento anti-reflectante.
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H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 33/00 Dispositivos semiconductores que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie especialmente adaptados para la emisión de luz; Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Detalles (H01L 51/50 tiene prioridad; dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores formados en o sobre un sustrato común y que incluyen componentes semiconductores con al menos una barrera de potencial o de superficie, especialmente adaptados para la emisión de luz H01L 27/15; láseres de semiconductor H01S 5/00).
H01L 33/44 · caracterizados por los revestimientos, p. ej. capa de pasivación o revestimiento anti-reflectante.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Conversión de longitud de onda remota en un dispositivo de iluminación.
(06/11/2019) Un dispositivo de iluminación que comprende:
una fuente de luz que emite una luz que tiene un primer intervalo de longitud de onda a lo largo de una primera trayectoria de haz ;
un elemento de conversión de longitud de onda (112, 112', 512, 612, 812, 856) en la primera trayectoria de haz, estando el elemento de conversión de longitud de onda físicamente separado de la fuente de luz, convirtiendo el elemento de conversión de longitud de onda la luz que tiene un primer intervalo de longitud de onda en una luz que tiene un segundo intervalo de longitud de onda a lo largo de una segunda trayectoria de haz ;
un elemento de separación de color…
Un elemento óptico para un dispositivo de emisión de luz y un método de fabricación del mismo.
(21/03/2018). Solicitante/s: Philips Lighting Holding B.V. Inventor/es: CILLESSEN,JOHANNES F. M, VAN HAL,HENRICUS A. M, JAGT,HENDRIK J. B, STEIGELMANN,OLIVER J.
Un elemento óptico de emisión lateral para un dispositivo de emisión de luz, comprendiendo el elemento óptico un cuerpo cerámico sinterizado de una primera capa y una segunda capa dispuesta sobre dicha primera capa , en el que dicha primera capa comprende un material convertidor de longitud de onda, siendo la porosidad de dicha segunda capa mayor que la porosidad de dicha primera capa , y los poros en dicha segunda capa están dispuestos para proporcionar dispersión de un haz de luz, de tal manera que cuando la primera capa de dicho elemento óptico se coloca sobre una superficie de emisión de luz de un dispositivo de emisión de luz que emite el haz de luz, dicho haz de luz se emite esencialmente en una superficie lateral de la primera capa.
PDF original: ES-2667009_T3.pdf
Dispositivo emisor de luz y dispositivo de visualización.
(30/03/2016) Un dispositivo emisor de luz que comprende:
un conductor,
un chip de LED que emite una luz visible y está montado sobre dicho conductor, teniendo dicho chip de LED una capa semiconductora de nitruro de tipo p y una capa semiconductora de nitruro de tipo n y electrodos formados sobre superficies expuestas de dicha capa semiconductora de nitruro de tipo p y dicha capa semiconductora de nitruro de tipo n,
un material trasparente que recubre dicho chip de LED, y
un fósforo contenido en dicho material trasparente y que absorbe una parte de la luz emitida por el chip de LED, y emite una luz que tiene una longitud de onda de emisión principal más larga que un valor máximo de emisión principal de dicho chip de LED,
en el que el…
Dispositivo emisor de luz y dispositivo de visualización.
(30/03/2016) Un dispositivo para emitir luz de color blanco que comprende:
(i) un dispositivo de visualización de diodo emisor de luz (LED) que incluye:
una pluralidad de chips de diodo emisor de luz (LED) que emite luz visible de un color azul y que comprende un semiconductor de un compuesto de nitruro de galio que contiene indio; y
un fósforo capaz de absorber una parte de la luz de color azul y de emitir una luz que tiene una longitud de onda de emisión principal más larga que el valor máximo de emisión principal de dichos chips de LED, en el que dicho fósforo comprende un material fluorescente de granate activado con cerio, que contiene al menos un elemento seleccionado entre Y, Lu, Sc, La, Gd y Sm, y al menos un elemento seleccionado entre Al, Ga…
ESTRUCTURA ANTIREFLEJANTE CUASI-OMNIDIRECCIONAL BASADA EN MULTICAPAS DIELÉCTRICAS DE SILICIO POROSO PARA LA REGIÓN ULTRAVIOLETA MEDIA, VISIBLE E INFRARROJA CERCANA DEL ESPECTRO ELECTROMAGNÉTICO.
(20/11/2014). Ver ilustración. Solicitante/s: UNIVERSIDAD AUTÓNOMA DEL ESTADO DE MORELOS. Inventor/es: AGARWAL,Vivechana, ARIZA FLORES,Augusto David, PEREZ HUERTA,José Samuel, KUMAR,Yogesh.
Estructura antireflejante basada en multicapas de silicio poroso apiladas en forma unidimensional. Esta capa tiene la capacidad de reflejar menos del 4% de la luz incidente en cualquier ángulo, es decir esta propiedad no depende de la posición en la cual se le oriente. Ello se cumple para un rango de longitudes de onda que van desde 200 nm a 2000 nm y tan sólo con un espesor físico total de 510 nm. La estructura consta de 51 capas con porosidades graduales que van del 92 al 38 %. La longitud de cada capa es constante e igual a 10 nm y el perfil del índice de refracción varía por medio de una función envolvente que crece monótonamente de la forma f(z)=n 0 +(n F -n 0 )(z/L) k, con z la profundidad de la capa. El dispositivo se fabricó con el método de anodizado electroquímico en una solución electrolítica de ácido fluorhídrico y etanol, atacando obleas de silicio de forma galvanostatíca en una interfaz controlada.
