CIP-2021 : H01L 33/48 : caracterizados por el empaquetamiento del cuerpo de semiconductores.

CIP-2021HH01H01LH01L 33/00H01L 33/48[1] › caracterizados por el empaquetamiento del cuerpo de semiconductores.

Notas[n] de H01L 33/48:
  • Este grupo cubre elementos en contacto directo con el cuerpo de semiconductores o integrados con el empaquetamiento.

H ELECTRICIDAD.

H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.

H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).

H01L 33/00 Dispositivos semiconductores que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie especialmente adaptados para la emisión de luz; Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Detalles (H01L 51/50  tiene prioridad; dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores formados en o sobre un sustrato común y que incluyen componentes semiconductores con al menos una barrera de potencial o de superficie, especialmente adaptados para la emisión de luz H01L 27/15; láseres de semiconductor H01S 5/00).

H01L 33/48 · caracterizados por el empaquetamiento del cuerpo de semiconductores.

CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.

Dispositivo diodo emisor de luz.

(19/02/2020). Solicitante/s: Lumileds Holding B.V. Inventor/es: MARTIN,PAUL SCOTT.

Un dispositivo que comprende: un diodo emisor de luz (LED) , en donde el LED comprende conexiones de ánodo y cátodo ; Un sustrato eléctricamente conductor para polarizar hacia adelante el LED, en donde el sustrato eléctricamente conductor incluye - miembros aislados eléctricamente que se conectan eléctricamente a las conexiones de ánodo y cátodo del LED, y - porciones externas configuradas para conectar eléctricamente el sustrato eléctricamente conductor a una fuente de energía; una lente dispuesta sobre dicho LED ; Y un cuerpo polímero moldeado sobre el sustrato eléctricamente conductor y en contacto directo con la lente , en donde las porciones externas sobresalen del cuerpo polímero ; Caracterizado por que el cuerpo polímero es moldeado alrededor del LED , de la lente y del sustrato eléctricamente conductor , y en donde la lente sobresale del cuerpo polímero.

PDF original: ES-2781971_T3.pdf

Vidrio fotoeléctrico de LED conductor de doble capa con compensación de tensión y proceso para su fabricación.

(04/09/2019) Un vidrio fotoeléctrico de LED conductor de doble capa con compensación de tensión, en donde el vidrio fotoeléctrico de LED conductor de doble capa con compensación de tensión comprende dos capas de vidrios conductores de electricidad , en donde un lado de cada una de las dos capas de vidrios conductores de electricidad está provisto de una capa revestida conductora de electricidad ; los lados interiores de las capas revestidas conductoras de electricidad de las dos capas de vidrios conductores de electricidad están configurados de manera opuesta; la capa revestida conductora de electricidad de una de las dos capas de vidrios conductores de electricidad está provista de una pluralidad de circuitos grabados ; …

Procedimiento de fabricación de circuitos integrados de diodos electroluminiscentes y circuitos integrados obtenidos por este procedimiento.

(03/07/2019) Procedimiento de fabricación de circuitos integrados de diodos electroluminiscentes , que comprende las etapas siguientes: - se proporciona de forma continua un sustrato dieléctrico flexible que tiene una primera y una segunda caras principales, opuestas entre sí con respecto al grosor del sustrato , incluyendo este sustrato una primera lámina de material eléctricamente conductor sobre la primera cara principal, - se realizan al menos dos pozos de conexión que se extienden entre la primera y la segunda caras principales, por perforación a través del sustrato y de la primera lámina de material eléctricamente conductor, - se deposita una segunda lámina…

Paquete de un dispositivo emisor de luz y retroiluminación que incluye el mismo.

(13/12/2018) Un paquete de un elemento emisor de luz que comprende: un bastidor de conductores ; un elemento emisor de luz en el bastidor de conductores ; un material moldeado combinado con el bastidor de conductores que presenta un orificio para la emisión de la luz generada por el elemento emisor de luz ; y una estructura de reflejo que presenta un orificio que corresponde al orificio del material moldeado y está en contacto con este último , caracterizado porque la superficie interna del material moldeado y la superficie interna de la estructura de reflejo hacen contacto entre sí para definir una circunferencia común del orificio del material moldeado…

ESTRUCTURA DE PAQUETES DE DIODO EMISOR DE LUZ.

(27/03/2012) 1. Estructura de paquete de diodo emisor de luz (LED) caracterizada porque comprende: una base ; un chip LED dispuesto en la base; y un coloide de empaquetamiento , incluyendo el coloide de empaquetamiento : un primer material de resina óptica que encapsula el chip LED ; y al menos un segundo material de resina óptica dopado con un segundo polvo fluorescente dispuesto en un lado del primer material de resina óptica . 2. Estructura de paquete de diodo emisor de luz de acuerdo a la reivindicación 1, caracterizada porque en una segunda realización, el primer material de resina óptica está dopado con un primer polvo fluorescente , y la concentración de dopaje del primer polvo fluorescente es menor que la concentración de dopaje del segundo polvo fluorescente . 3. Estructura…

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