CIP 2015 : C30B 11/14 : caracterizado por el germen, p. ej. por su orientación cristalográfica.

CIP2015CC30C30BC30B 11/00C30B 11/14[1] › caracterizado por el germen, p. ej. por su orientación cristalográfica.

Notas[g] desde C30B 7/00 hasta C30B 21/00: Crecimiento de monocristales a partir de líquidos; Solidificación unidireccional de materiales eutécticos

C SECCION C — QUIMICA; METALURGIA.

C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES.

C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS.

C30B 11/00 Crecimiento de monocristales por simple solidificación o en un gradiente de temperatura, p. ej. método de Bridgman-Stockbarger (C30B 13/00, C30B 15/00, C30B 17/00, C30B 19/00 tienen prioridad; bajo un fluido protector C30B 27/00).

C30B 11/14 · caracterizado por el germen, p. ej. por su orientación cristalográfica.

CIP2015: Invenciones publicadas en esta sección.

Dispositivo de fabricación de material cristalino a partir de un crisol de resistencia térmica no uniforme.

(16/12/2015) Dispositivo que forma un crisol para la fabricación de material cristalino por cristalización dirigida que incluye un fondo y al menos una pared lateral en el que el fondo incluye: - una primera parte (2a) que presenta una primera resistencia térmica y una segunda parte (2b) que presenta una segunda resistencia térmica inferior a la primera resistencia térmica y destinada a recibir una semilla en el segundo material cristalino para la fabricación de dicho material cristalino, estando el fondo y dicha al menos una pared lateral formados al menos en parte por una pieza estanca que incluye al menos un endentado que participa para definir dichas partes primera y segunda (2a, 2b), dispositivo caracterizado porque la primera parte (2a) está recubierta por una primera…

Crisol y método para la producción de un lingote de material semiconductor (cuasi) monocristalino.

(10/09/2014) Crisol para la producción de lingotes de material semiconductor cristalino, tal como silicio, comprendiendo dicho crisol paredes laterales periféricas (1 b) y un piso (1 a) estando al menos una porción de dicho piso revestida con una capa superior , caracterizado porque, dicha capa superior tiene un espesor, δ, de al menos 500 μm y porque, a una temperatura de deformación por debajo de 1.400 °C, dicha capa superior se puede deformar en forma plástica o viscosa.

Procedimiento de purificación de silicio metalúrgico por solidificación dirigida.

(04/12/2013) Procedimiento para la purificación de silicio metalúrgico por solidificación dirigida con el fin de obtener silicio de calidad solar o fotovoltaica , procedimiento caracterizado porque comprende una etapa de cristalización usando un germen de silicio que recubre el fondo del crisol.

METODO Y DISPOSITIVO PARA LA ELABORACION DE PALETAS DE ENGRANAJE DE UN SOLO CRISTAL.

(16/11/1996). Solicitante/s: SULZER- MTU CASTING TECHNOLOGY GMBH. Inventor/es: WORTMANN, JURGEN, DR., WEGE, ROBERT, STAUB, FRITZ, WALSER, BRUNO.

LA INVENCION TRATA DE UN METODO Y DISPOSITIVO PARA LA ELABORACION DE PALETAS DE ENGRANAJE DE UN SOLO CRISTAL MEDIANTE LA FUNDICION DE UN BAÑO DE FUSION DENTRO DE UN MOLDE DE FUNDICION QUE TIENE UN CRISTAL NUCLEO COLOCADO EN EL FONDO DEL BAÑO DE CONSTRUCCION Y UN DISPOSITIVO PARA LLEVAR A CABO ESTE PROCEDIMIENTO. CON ESTE DISPOSITIVO SE ALCANZA UNA ALTA REPRODUCCION EN LA FABRICACION DE PALETAS. PARA ELLO SE PREPARA EL CRISTAL DE NUCLEO DE UN SOLO CRISTAL CON UNA DENSIDAD DE EFECTO MINIMA Y SE ACOPLA EN POCOS SEGUNDOS UN MOLDE DE FUNDICION LIMPIO AL VACIO A UNA TEMPERATURA ALTA CON UN CRISTAL DE NUCLEO Y SE FUNDE LA FUNDICION SOBRE EL CRISTAL DE NUCLEO.