CIP 2015 : C23C 16/22 : caracterizado por la deposición de materiales inorgánicos, distintos de los materiales metálicos.

CIP2015CC23C23CC23C 16/00C23C 16/22[1] › caracterizado por la deposición de materiales inorgánicos, distintos de los materiales metálicos.

Notas[t] desde C21 hasta C30: METALURGIA
Notas[g] desde C23C 16/00 hasta C23C 20/00: Deposición química o revestimiento por descomposición; Deposición por contacto

C SECCION C — QUIMICA; METALURGIA.

C23 REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO QUIMICO DE LA SUPERFICIE; TRATAMIENTO DE DIFUSION DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL; MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS, LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL.

C23C REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO DE MATERIALES METALICOS POR DIFUSION EN LA SUPERFICIE, POR CONVERSION QUIMICA O SUSTITUCION; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL (aplicación de líquidos o de otros materiales fluidos sobre las superficies, en general B05; fabricación de productos revestidos de metal por extrusión B21C 23/22; revestimiento metálico por unión de objetos con capas preexistentes, ver las clases apropiadas, p. ej. B21D 39/00, B23K; mecanizado del metal por acción de una fuerte concentración de corriente eléctrica sobre un objeto por medio de un electrodo B23H; metalización del vidrio C03C; metalización de piedras artificiales, cerámicas o piedras naturales C04B 41/00; pinturas, barnices, lacas C09D; esmaltado o vidriado de metales C23D; medios para impedir la corrosión de materiales metálicos, las incrustaciones, en general C23F; tratamiento de superficies metálicas o revestimiento de metales mediante electrolisis o electroforesis C25D, C25F; crecimiento de monocristales C30B; mediante metalización de textiles D06M 11/83; decoración de textiles por metalización localizada D06Q 1/04; detalles de aparatos de sonda de barrido, en general G01Q; fabricación de dispositivos semiconductores H01L; fabricación de circuitos impresos H05K).

C23C 16/00 Revestimiento químico por descomposición de compuestos gaseosos, no quedando productos de reacción del material de la superficie en el revestimiento, es decir, procesos de deposición química en fase vapor (pulverización catódica reactiva o evaporación reactiva en vacío C23C 14/00).

C23C 16/22 · caracterizado por la deposición de materiales inorgánicos, distintos de los materiales metálicos.

CIP2015: Invenciones publicadas en esta sección.

RECUBRIMIENTOS DOBLES SI/SIO2 PRODUCIDOS MEDIANTE LASER.

(01/11/2000). Solicitante/s: UNIVERSIDADE DE VIGO. Inventor/es: POU SARACHO,JUAN MARIA, PEREZ-MARTINEZ Y PEREZ-AMOR,MARIANO JESUS, GONZALEZ FERNANDEZ,PIO MANUEL, LEON FONG,BETTY, GARCIA PARADA,EDUARDO, SERRA RODRIGUEZ,JULIA.

Recubrimientos dobles Si/SiO2 producidos mediante láser. Recubrimientos de silicio/óxido de silicio pueden ser aplicados sobre diferentes materiales y componentes por medio de un método basado en la Deposición Química a partir de Vapor inducida por Láser (LCVD). Este método hace uso de un láser de excímero ArF para irradiar diferentes mezclas de gases precursores introducidos en una cámara de reacción en la que previamente se ha hecho alto vacío. La flexibilidad de este método permite controlar las propiedades físico-químicas y el espesor de los recubrimientos, siendo de especial aplicación en la protección de materiales metálicos contra el ataque de agentes externos, fundamentalmente cuando dichos componentes están sometidos a temperaturas elevadas y atmósferas muy agresivas.

PROCESO Y DISPOSITIVO PARA OBTENCION DE CAPAS SEMICONDUCTORAS DE ALEACIONES AMORFAS DE SILICIO Y GERMANIO POR TECNICA DE DESCARGA DE EFLUVIOS, ESPECIALMENTE PARA CELULAS SOLARES.

(01/11/1993). Solicitante/s: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT. Inventor/es: KAUSCHE, HELMOLD, DIPL.-PHYS., PLATTNER, ROLF, DR.

LA SEPARACION A PARTIR DE LA FASE GASEOSA EN LA QUE SE EXCITA EL COMPUESTO CON EL MATERIAL A SEPARAR COMO GAS DE PROCESO EN UN REACTOR ENTRE ELECTRODOS EN UN PLASMA DE DESCARGA DE GAS Y SE APLICAN COMO CAPAS SOLIDAS SOBRE LOS ELECTRODOS O SOBRE LOS SUSTRATOS SITUADOS ALLI , TIENE LUGAR DE FORMA QUE EL GAS DE PROCESO SE EXCITA POR EXCITACION INDUCTIVA DE ALTA FRECUENCIA CON UN CAMPO MAGNETICO DEBIL CONSTANTE SUPERPUESTO , DE FORMA QUE SURJA UNA RESONANCIA DE ONDA ELECTRON-CICLOTRON Y SE IONIZE ALTAMENTE EL GAS DE PROCESO. SE OBTIENEN EN ESPECIAL CAPAS AMORFAS DE SILICIO-GERMANIO CON HIDROGENO Y/O FLUOR, CARACTERIZADAS POR UN REDUCIDO GROSOR DE ESTADO Y RESULTAN ESPECIALMENTE ADECUADAS PARA CELULAS SOLARES TANDEM DE CAPAS FINAS.

METODO PARA FORMAR UNA PELICULA DEPOSITADA.

(16/12/1991). Solicitante/s: CANON KABUSHIKI KAISHA. Inventor/es: ISHIHARA, SHUNICHI, SHIMIZU, ISAMU, HANNA, JUNICHI.

METODO PARA FORMAR UNA PELICULA DEPOSITADA QUE CONSISTE EN LA INTRODUCCION DE UN MATERIAL DE PARTIDA GASEOSO PARA LA FORMACION DE UNA PELICULA DEPOSITADA Y UN AGENTE OXIDANTE (X) HALOGENICO GASEOSO QUE TENGA ACCION OXIDANTE SOBRE DICHO MATERIAL (DE PARTIDA) AL MENOS UN AGENTE OXIDANTE (ON) DE TIPO OXIGENO GASEOSO Y AGENTES OXIDANTES DE TIPO NITROGENO, Y PREFERIBLEMENTE TAMBIEN UN MATERIAL GASEOSO (D) CONTENIENDO UN COMPONENTE PARA CONTROLAR EL ELECTRON DE VALENCIA COMO EL CONSTITUYENTE, EN UN AREA DE REACCION EN LA QUE SE EFECTUA AL CONTACTO QUIMICO ENTRE ELLOS, DE MANERA QUE SE FORME UN NUMERO PLURAL DE PRECURSORES QUE CONTIENEN PRECURSORES EN ESTADO EXCITADO, Y FORMANDO UNA PELICULA DEPOSITADA SOBRE UN SUSTRATO EXISTENTE EN LA ZONA DE FORMACION DE PELICULA MEDIANTE EL USO DE AL MENOS UNO DE ESTOS PRECURSORES COMO FUENTE DE ALIMENTACION DEL ELEMENTO CONSTITUYENTE DE LA PELICULA DEPOSITADA.

UN METODO DE FABRICAR UNA ESTRUCTURA FOTOVOLTAICA.

(01/12/1988). Solicitante/s: SOVONICS SOLAR SYSTEMS.

CONSISTE EN DEPOSITAR SOBRE UN SUSTRATO, CALENTADO A UNA TEMPERATURA ENTRE 150-375GC, AL MENOS UNA CAPA DE UNA ELECCION SEMICONDUCTORA MICROCRISTALINA A BASE DE SILICIO, FLUORADA Y P-ADULTERADA, PARA LO QUE SE ESTABLECE UNA DESCARGA ELECTRICA DE EFLUVIOS EN UNA MEZCLA PRECURSORA GASEOSA MANTENIDA A UNA PRESION DE 0,01-3 TORR Y QUE INCLUYE MENOS DE 1 POR CIENTO DE UN GAS PRECURSOR DE SEMICONDUCTOR, QUE CONTIENE SILICIO, MENOS DE 1 POR CIENTO DE UN GAS PRECURSOR ADULTERANTE QUE CONTIENE BORO, Y MAS DE 90 POR CIENTO DE GAS DILUYENTE, EN PARTICULAR HIDROGENO, DE CUYOS GASES AL MENOS UNO CINTIENE FLUOR, LLEVANDOSE DICHA DESCARGA ELECTRICA A CABO MEDIANTE APLICACION DE ENERGIA DE RADIOFRECUENCIA DE 13, 56 MHZ, A UNA POTENCIA DE 5-50 VATIOS, AL CATODO DEL APARATO DE DESCARGA EMPLEADO; COMBINANDO LA CAPA O CAPAS ASI FORMADAS CON OTRAS CAPAS DE MATERIAL DE ALEACION SEMICONDUCTORA AMORFA, HASTA LA OBTENCION DE LA ESTRUCTURA FOTOVOLTAICA DESEADA.

UN METODO DE FABRICAR UNA ALEACION SEMICONDUCTORA.

(01/12/1986). Solicitante/s: SOVONICS SOLAR SYSTEMS.

PROCEDIMIENTO PARA LA PREPARACION DE ALEACIONES MICROCRISTALINAS SEMICONDUCTORAS FLUORADAS, P-ADULTERADAS; BASADA EN SILICIO. CONSISTE EN DEPOSITAR UNA PELICULA DE LA ALEACION SEMICONDUCTORA, EN UNA MEZCLA GASEOSA CONTENIENDO MENOS DEL 1% DE GAS PRECURSOR SEMICONDUCTOR QUE INCLUYE SILICIO, MENOS DEL 1% DE GAS PRECURSOR ADULTERANTE QUE INCLUYE BORO, Y MAS DEL 90% DE GAS DILUYENTE, INCLUYENDO ALGUNO DE ELLOS FLUOR. SE USA EN LA FABRICACION DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS.

MEJORAS EN O RELATIVAS A, LA PRODUCCIÓN DE SILICIO.

(16/09/1960). Ver ilustración. Solicitante/s: STANDARD ELECTRICA, SOCIEDAD ANONIMA.

Mejoras en o relativas a la producción de silicio caracterizadas por un método de producir un cuerpo cohesivo de silicio sustancialmente puro, que comprende calentar una superficie a la temperatura de descomposición del silano, pasar gas silano en una concentración molecular sustancialmente menor a normal sobre dicha superficie, y pasar otro gas al interior del volumen que circunda dicho gas silano de tal modo que dicho otro gas se mantiene a una temperatura inferior a dicha temperatura de descomposición, siendo dicho otro gas uno que sea inerte al gas silano y a los productos de descomposición del silano.