CIP-2021 : H01L 21/302 : para cambiar las características físicas de sus superficies o para cambiar su forma, p. ej. grabado, pulido, recortado.
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Notas[n] desde H01L 21/02 hasta H01L 21/67:
H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas.
H01L 21/302 · · · · · para cambiar las características físicas de sus superficies o para cambiar su forma, p. ej. grabado, pulido, recortado.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Métodos para fabricar micro- y nanoestructuras usando litografía blanda o de impresión.
(15/03/2017) Método para fabricar partículas de tamaño micro o nanométrico monodispersas, que comprende:
introducir un material en una plantilla con patrón en el que la plantilla con patrón define una pluralidad de rebajes en la misma, cada rebaje de la pluralidad de rebajes comprende una conformación creada por ingeniería tridimensional sustancialmente equivalente, y la plantilla con patrón no es humectante y comprende un material elastomérico resistente al disolvente, que tiene una energía de superficie de menos de 18 mN/m;
tratar el material mientras el material está en contacto con los rebajes de la plantilla con patrón para formar una pluralidad de estructuras creadas por ingeniería sustancialmente equivalentes, en el que dichas estructuras son partículas de tamaño…
Control del comportamiento electromecánico de estructuras en un dispositivo de sistemas microelectromecánicos.
(17/09/2014) Un aparato de MEMS, que comprende:
un sustrato ;
un electrodo , en el que el electrodo está ubicado sobre el sustrato ; una capa transparente , estando ubicada la capa transparente sobre el electrodo , y comprendiendo la capa transparente SiO2;
una capa de captura de carga, estando ubicada la capa de captura de carga sobre la capa transparente e incluye un material que tiene una densidad de captura de carga para manipular la acumulación de la carga sobre la capa transparente , y en el que la capa de captura de carga sirve de capa barrera de ataque químico y es resistente a XeF2;
un…
Aparato para la formación de polímero de forma continua sobre superficies de metal por polimerización por plasma de CC.
(04/03/2013) Un aparato para la formación de polímero de forma continua por polimerización por plasma de CC, quecomprende:
una cámara de transporte que tiene un rodillo de desenrollado para desenrollar un sustrato cuya superficieva a tratarse y para transportar el mismo hasta la otra cámara y un rodillo de devanado para devanar elsustrato con tratamiento de superficie;
una cámara de deposición para polimerizar por plasma la superficie del sustrato por plasma de descarga deCC usando el sustrato como un electrodo e instalando dos electrodos opuestos, opuestos al sustrato;
una unidad de suministro de alta tensión conectada eléctricamente con el sustrato…
Método y aparato para molienda de suelos de hormigón.
(30/04/2012) Un método para el acabado en seco de una superficie de suelo que consiste en hormigón, piedra, mármol, terrazo, densita u otros materiales duros, comprendiendo dicho método el acabado de la superficie de suelo usando una herramienta para triturar, moler y/o pulir, caracterizado porque se aplica un vapor o aerosol sólo a la superficie de suelo o a la superficie de suelo y a la herramienta en relación con dicho acabado en seco, siendo aplicado dicho vapor o aerosol en una cantidad que es lo suficientemente grande para enfriar la herramienta pero lo suficientemente pequeña para que el polvo generado en el acabado en seco permanezca tan seco que pueda succionarse por medio de una aspiradora en seco .
PROCEDIMIENTO PARA FABRICAR UN SUSTRATO SEMICONDUCTOR DE SILICIO CON GUIAONDAS INTEGRADO Y CON FIBRA OPTICA ACOPLADA AL MISMO.
(01/04/1998) LA INVENCION SE REFIERE A UN PROCESO PARA LA ELABORACION DE UN SUBSTRATO SEMICONDUCTOR DE SILICIO CON UNA GUIA DE ONDA INTEGRADA ACOPLADA A UNA FIBRA OPTICA. MEDIANTE GENERACION DE UNA CAVIDAD EN EL SUBSTRATO, LA GUIA DE ONDA INTEGRADA ESTA PROVISTA CON UNA SUPERFICIE DE EXTREMO ACCESIBLE LIBREMENTE OPUESTA AL EXTREMO DE LA RANURA CON PERFIL EN V, SIENDO ELABORADA CON ATAQUE ACIDO DE FORMA ANISOTROPA EN EL SUBSTRATO PARA LA RECEPCION DE LA FIBRA OPTICA. PARA ELABORAR DE FORMA ECONOMICA UN SUBSTRATO SEMICONDUCTOR CON UN ALINEAMIENTO PARTICULARMENTE ASEGURADO ENTRE LA FIBRA OPTICA Y LA GUIA DE ONDA INTEGRADA Y UNA CALIDAD OPTICA ALTA, LA CAVIDAD ESTA FORMADA EN EL SUBSTRATO MEDIANTE CORTE…
UN METODO PARA PULIR MECANICA-QUIMICAMENTE UN SUBSTRATO DE COMPONENTE ELECTRONICO Y LECHADA DE PULIMENTO PARA EL MISMO.
(16/02/1996). Solicitante/s: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Inventor/es: CARR, JEFFREY WILLIAM, DAVID, LAWRENCE DANIEL, GUTHRIE, WILLIAM LESLIE, KAUFMAN, FRANK BENJAMIN, PATRICK, WILLIAM JOHN, RODBELL, KENNETH PARKER, PASCO, ROBERT WILLIAMNENADIC, ANTON.
SE DIFUNDO UN METODO DE PULIDO MECANICO-QUIMICO DE UN SUBSTRATO DE COMPONENTE ELECTRONICO. EL METODO INCLUYE LOS PASOS SIGUIENTES: OBTENCION DE UN SUBSTRATO QUE TENGA AL MENOS DOS CARACTERISTICAS SOBRE EL MISMO O EN EL MISMO, QUE TENGA UN INDICE DE ATAQUE CON ACIDO DIFERENTE CON RESPECTO A UN ACIDO PARA GRABAR PARTICULAR; Y PONER EN CONTACTO EL SUBSTRATO CON UNA ALMOHADILLA DE PULIMENTADO A LA VEZ QUE SE APLICA AL SUBSTRATO UNA LECHADA CONTENIENDO EL ACIDO PARA GRABAR EN LA QUE LA LECHADA INCLUYE PARTICULAS ABRASIVAS, UNA SAL QUELATADA DE METAL DE TRANSICION Y UN DISOLVENTE PARA LA SAL. EL PULIMENTADO MECANICO-QUIMICO DA LUGAR A QUE AL MENOS DOS CARACTERISTICAS SEAN COPLANARES SUSTANCIALMENTE. SE DIFUNDE IGUALMENTE LA LECHADA DE PULIMENTADO MECANICO-QUIMICO.
SOLUCIONES DE BASE DE COLINA ESTABILIZADAS.
(01/11/1992). Solicitante/s: SYNTEX (U.S.A.) INC.. Inventor/es: TASSET, CARL J.
LAS SOLUCIONES DE BASE DE COLINA, HIDROXIDO DE (2-HIDROXIETIL) TRIMETILAMONIO, EN AGUA Y/O ALCANOLES INFERIORES PUEDEN ESTABILIZARSE MEDIANTE LA ADICION DE UNA CONCENTRACION ESTABILIZADORA DE UNA FUENTE DE FORMALDEHIDO. LAS SOLUCIONES ESTABILIZADAS PUEDEN UTILIZARSE COMO SOLUCIONES LIMPIADORAS, AGENTES DE ATAQUE QUIMICO PARA SEMICONDUCTORES Y CAPAS METALICAS, Y AGENTES DE REVELADO Y DE DESPRENDIMIENTO PARA RESERVAS FOTOGRAFICAS DE ACCION POSITIVA Y PARA OTROS USOS EN LOS QUE SE DESEA UNA BASE LIBRE DE IONES METALICOS.
UN APARATO ARBITRADOR DE SERVICIOS Y CONTROLADOR DE ACCESO PARA UN SISTEMA DE COMUNICACIONES DE ACCESOS FISICOS MULTIPLES.
(16/02/1988). Solicitante/s: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION.
APARATO ARBITRADOR DE SERVICIOS Y CONTROLADOR DE ACCESO PARA UN SISTEMA DE COMUNICACIONES DE ACCESOS FISICOS MULTIPLES. CONTROLADOR INTEGRADO DE ARBITRAJE DE ACCESO DMA/INTERRUPCION QUE UTILIZA SU PROPIA MEMORIA DE ACCESO ALEATORIO RESIDENTE. UNA ARQUITECTURA DE CONTROL LOGICO POR ENCAUZAMIENTO PARA TRATAR ADAPTACIONES DE MODO DE SERVICIO PARA CADA ACCESO FISICO INDIVIDUAL Y PARA GESTIONAR ACCESOS DE MEMORIA A LA MEMORIAPRINCIPAL DEL SISTEMA PERMITE LA UTILIZACION DE LA MEMORIA DE ACCESO ALEATORIO CON SUS RETARDOS INHERENTES DE UN MODO QUE ELIMINA VIRTUALMENTE EL EFECTO DE CUALQUIER RETARDO EN EL RENDIMIENTO GLOBAL DE LAS OPERACIONES DE ACCESO A MEMORIA.
UN METODO MEJORADO PARA SEPARAR UN DISPOSITIVO CONDUCTOR DE MENOR AREA A PARTIR DE UN AREA MAYOR DE UNA ESTRUCTURA SEMICONDUCTORA.
(01/08/1987). Solicitante/s: SOVONICS SOLAR SYSTEMS.
METODO PARA SEPARAR UN DISPOSITIVO CONDUCTOR DE MENOR AREA A PARTIR DE UN AREA MAYOR DE UNA ESTRUCTURA SEMICONDUCTORA, SIN CREAR CORTOCIRCUITOS. CONSISTE EN SOPORTAR EL REVESTIMIENTO CONDUCTOR DE LA MAYOR AREA Y APLICAR UNA FUERZA DE CIZALLAMIENTO AL SUSTRATO CERCA DEL SOPORTE, PARA SEPARAR UNA MENOR AREA DE LA ESTRUCTURA A PARTIR DE DICHA ESTRUCTURA DE MAYOR AREA. ANTES DE SOPORTAR EL REVESTIMIENTO SE DEBE DISPONER UN MIEMBRO PROTECTOR DEL MISMO, EL CUAL SE SELECCIONA ENTRE CARTON, PAPEL, POLIMEROS Y COMBINACIONES DE LOS MISMOS. DE APLICACION EN LA PREPARACION POR DESCARGA INCANDESCENTE O POR DEPOSICION EN FASE VAPOR, DE ALEACIONES DE SILICIO O GERMANIO AMORFAS EN PELICULA DELGADA, CON CALIDAD PARA DISPOSITIVOS EN GRANDES AREAS.