(19/03/2019) Procedimiento para el borrado de informacion que esta guardada en una unidad de semiconductor electronica en una pluralidad de elementos de memoria no volatil que presentan una puerta flotante con la siguiente etapa: irradiacion de la unidad de semiconductor con una radiacion de borrado hasta que la unidad de semiconductor haya absorbido una dosis nominal de la radiacion de borrado ; penetrando la radiacion de borrado a traves de la unidad de semiconductor y absorbiendose al menos una parte de la radiacion de borrado en la unidad de semiconductor apareciendo un efecto de ionizacion (A; B; C), influyendose en la concentracion…

(14/05/2014) Tampón de página de banco de memoria que comprende matriz de memoria acoplada a bitlines (BL) y wordlines (WL), caracterizado: por primeras y segundas secciones del tampón de página (614, 616: 616, 618), porque la primera sección del tampón de página comprende un primer activador y un primer segmento del tampón de página acoplado a los primeros bitlines (CBL_S1_[1:n]; CBL_S2_[1:n]) y líneas de datos (L_DL[1:n]) y configurada para acceder a los primeros bitlines (CBL_S1_[1 :n], CBL_S2_[1:n]), porque la segunda sección del tampón de página comprende un segundo activador y un segundo segmento de tampón de página acoplado a los segundos bitlines…