CIP-2021 : H01L 23/495 : Bastidores conductores.

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H ELECTRICIDAD.

H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.

H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).

H01L 23/00 Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (H01L 25/00 tiene prioridad).

H01L 23/495 · · · Bastidores conductores.

CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.

Módulo electrónico.

(17/04/2019) Módulo electrónico que comprende: - un primer soporte de circuito con una primera superficie lateral interna (13a), en la cual están dispuestos componentes electrónicos, y una primera superficie lateral externa (13b); - un segundo soporte de circuito con una segunda superficie lateral interna (14a), en la cual están dispuestos componentes electrónicos, y una segunda superficie lateral externa (14b); y - en donde la primera y la segunda superficie lateral externa (13b, 14b) son paralelas entre sí; - el primer y el segundo soporte de circuito y un dispositivo de resorte integrado conforman un componente integral ; en donde el componente integral es un marco de plomo (del inglés: Leadframe); en donde el marco de plomo está doblado de tal modo que los dos…

Circuito convertidor de corriente.

(22/02/2019) Disposición de circuito convertidor de corriente para una corriente de alta intensidad (I), particularmente para soldadura a resistencia, industrial; con un soporte de componentes y con un primer y un segundo medio de conmutación controlables para corriente de alta intensidad (I), cada uno con una conexión de control propia; donde los medios de conmutación están integrados al menos parcialmente, de manera preferida totalmente en el soporte de componentes ; donde el soporte de componentes está dispuesto entre una primera placa conductora de corriente de conductividad eléctrica, y una segunda placa conductora de corriente de conductividad eléctrica (23a, 23b), esencialmente en paralelo…

Revestimientos antideslustre que intensifican la unión.

(02/10/2013) Un procedimiento para mejorar la adherencia de un objeto de cobre o aleación de cobre a un polímero,procedimiento que comprende aplicar un revestimiento al objeto de cobre o aleación de cobre, revestimiento queconsiste en su mayor parte en peso en una combinación de zinc y cromo, en el que el objeto de cobre o aleaciónde cobre se expone a una solución acuosa que comprende cantidades eficaces de iones hidroxilo (OH-), iones quecontienen Zn y iones que contienen Cr, caracterizado porque la solución está exenta de iones sodio y comprendeiones rubidio (Rb+) para equilibrar la valencia de OH, y los iones que contienen Cr están presentes como ácidocrómico o como un compuesto dicromato de rubidio.

Aleación FE-NI endurecida para la fabricación de rejillas de soporte de circuitos integrados y procedimiento de fabricación.

(04/04/2013) . Procedimiento para la fabricación de una tira de aleación Fe-Ni cuyo límite de elasticidad Rp0 ,2 superior a 750 MPay el alargamiento repartido Ar superior a 5% , según el cual : - se elabora una aleación cuya composición química comprende , en peso : 36% ≤Ni + Co ≤43% 0% ≤Co ≤3% 0 ,05% ≤C ≤0 ,4% 0 ,2% ≤Cr≤1 ,5% 0 ,4% ≤Mo ≤ 3% Cu ≤3% Si ≤0 ,3% Mn ≤0 ,3% siendo el resto hierro e impurezas , - eventualmente , se vuelve a fundir en vacío o bajo refundido electroconductor para obtener un semi-producto , - se lamina en caliente el semi-producto a una temperatura superior o igual a 950°C para obtener una tira en caliente deespesor comprendido entre…

Procedimiento para la fabricación de un soporte de conexión.

(27/06/2012) Procedimiento para fabricar un soporte de conexión, comprendiendo dicho procedimiento las etapas de: preparar una placa metálica para formar un soporte de conexión, formar una capa seca protectora sobre toda la superficie frontal y posterior de la placa metálica , eliminar partes de la capa seca protectora utilizando máscaras que tienen patrones del soporte de conexión tanto en la superficie frontal como posterior de la placa metálica , formar sucesivas capas de recubrimiento (1a) de níquel, paladio y oro sobre las superficies de dicha placa metálica expuesta por dicha etapa de eliminación, quitar dichas partes que quedan de dicha película seca , realizar una máscara…

Componente optoelectrónico con estructura de bandas conductoras.

(27/04/2012) Componente optoelectrónico con estructura de bandas conductoras, en el que los componentes semiconductores electrónicos y optoelectrónicos están dispuestos en una primera región de banda conductora conectada a tierra y están rodeados por una carcasa de un plástico termoplástico o termoestable, en el que una segunda región de banda conductora conectada igualmente a tierra está plegada alrededor de la carcasa , de forma que apantalla a los componentes semiconductores de radiaciones parásitas electromagnéticas, en el que la segunda región de banda conductora está conectada a la primera región de banda conductora , y en el que la segunda región de banda conductora sobresale de la carcasa , caracterizado porque la segunda región de banda conductora…

ALEACION DE COBRE, CROMO, TITANIO Y SILICIO Y SU UTILIZACION.

(16/04/2003). Solicitante/s: WIELAND-WERKE AG. Inventor/es: BOGEL, ANDREAS, DIPL.-ING.-DR.-RER.-NAT., BOHSMANN, MICHAEL, DIPL.-ING.-DR.-RER.-NAT.

LA INVENCION TRATA DE UNA ALEACION DE COBRE, CROMO, TITANIO Y SILICIO, QUE SE COMPONE DE 0,10 A 0,50 % DE CROMO, 0,01 A 0,25 % DE TITANIO; 0,01 A 0,10 % DE SILICIO: EL RESTO COBRE Y LAS IMPUREZAS ACOSTUMBRADAS. AÑADIENDO DE 0,02 A 0,8 % DE MAGNESIO, DE ACUERDO CON LA INVENCION, SE CONSIGUE EN PARTICULAR UNA ELEVADA ESTABILIDAD CONTRA LA RELAJACION.

Procedimiento para producir un sustrato exento de plomo.

(16/08/2002). Solicitante/s: W.C. HERAEUS GMBH. Inventor/es: FREY, THOMAS, FIRDERER, HEINZ, HERKLOTZ, GUNTER.

Procedimiento para producir un sustrato exento de plomo con un cuerpo base de cobre o de una aleación de cobre, una capa de soldadura, aplicada sobre al menos una parte del cuerpo base, a base de metales del grupo del oro, aleación de oro, plata, aleación de plata, paladio y aleación de paladio y con una única capa intermedia de níquel o aleación de níquel, dispuesta entre el cuerpo base y esta capa de soldadura, estando formada la capa de soldadura por al menos dos capas individuales de distinto metal y siendo electrodepositadas la capa intermedia y las capas individuales, caracterizado porque una de las dos capas individuales superiores está formada por plata o aleación de plata y porque la otra de las dos capas individuales superiores está formada por oro o aleación de oro, estando formada la capa individual superior con un espesor de capa en el intervalo de 0,3 m a2,5m.

IMPLANTACION DE TRANSISTORES DE POTENCIA DE RADIOFRECUENCIAS.

(16/03/2002). Solicitante/s: TELEFONAKTIEBOLAGET LM ERICSSON. Inventor/es: LEIGHTON, LARRY, JOHANSSON, TED, HAMBERG, IVAR.

SE PROPORCIONA UNA INSTALACION PARA TRANSISTORES DE POTENCIA RF QUE REDUCE LA INDUCTANCIA COMUN DEL CONDUCTOR ELECTRICO Y LOS FALLOS DE FUNCIONAMIENTO ASOCIADOS. UNA CELULA TRANSISTORA RF SE ROTA 90 (GRADOS) CON RESPECTO A LA CELULA TRANSISTORA CONVENCIONAL DE MODO QUE UNOS ADAPTADORES DE CONEXION SE SITUEN DE FORMA MAS PROXIMA AL BORDE DE UNA HILERA DE ESTIRAR ALAMBRE DE SILICIO, REDUCIENDO LA LONGITUD DEL CONDUCTOR DE CONEXION Y POR LO TANTO MEJORANDO EL FUNCIONAMIENTO A FRECUENCIAS ELEVADAS. LA SITUACION DEL ADAPTADOR DE CONEXION Y LA DISTRIBUCION DE LAS DIFERENTES PIEZAS DE LA INSTALACION DEL TRANSISTOR REDUCEN AUN MAS LA INDUCTANCIA COMUN DE LOS CONDUCTORES ELECTRICOS.

METODO PARA ENCAPSULAR UN OPTOCOMPONENTE UTILIZANDO UN CUADRO DE CONDUCTORES IMPRESOS ADAPTADO PARA ESTE FIN.

(16/03/2001) EN LA ENCAPSULACION DE UN OPTOCOMPONENTE SE UTILIZA UNA ESTRUCTURA DE TERMINALES DE CONEXION PARA LA CONEXION ELECTRICA DEL COMPONENTE, LA ESTRUCTURA DE TERMINALES DE CONEXION TIENE UNA PLACA METALICA , A LA CUAL SE SUJETA EL CUERPO PRINCIPAL DEL OPTOCOMPONENTE. LA PLACA METALICA SE SITUA DE FORMA ASIMETRICA EN UN BORDE EXTERIOR DE LA ESTRUCTURA DE TERMINALES DE CONEXION Y, EN LA OPERACION DE ENCAPSULAMIENTO, SE COLOCA CERCA DE LA PARED LATERAL EN UNA CAVIDAD DE UN MOLDE. DE ESTA FORMA, PUEDE OBTENERSE UNA INTERCONEXION OPTICA DE TIPO ESTANDAR EN LA PARED DE LA CAPSULA. ADEMAS, LA PLACA METALICA SE SUJETA DE FORMA FLEXIBLE, POR MEDIO DE PUENTES EN FORMA DE ZIGZAG ,…

SOPORTE DE PLASTICO PARA UN CIRCUITO ELECTRONICO CON CLAVIJAS DE CONTACTO ADHERIBLES.

(16/04/1999). Solicitante/s: AMI DODUCO GMBH. Inventor/es: SCHULZE, GUNTER, GEBHARD, REINER.

LA INVENCION SE REFIERE A UN SOPORTE DE SUBSTRATO DE PLASTICO PARA UN CIRCUITO ELECTRONICO, QUE DISPONE DE PASADORES DE CONTACTO QUE SE EXTIENDEN A TRAVES DEL SUBSTRATO Y TIENEN UNA SECCION ADHERENTE EN EL PRIMER LADO DEL SUBSTRATO . LA SECCION ADHERENTE SIRVE PARA CONECTAR EL CIRCUITO POR MEDIO DE ALAMBRES QUE SON CONECTADAS MEDIANTE ADHERENCIA A LOS PASADORES DE CONTACTO, QUE SE PROYECTAN A PARTIR DE UN SEGUNDO LADO DEL SUBSTRATO DE FORMA OPUESTA AL PRIMER LADO . LOS PASADORES DE CONTACTO TIENEN PERFIL EN U EN UN EXTREMO, FORMANDO DOS PATAS DE DIFERENTE LONGITUD INTERCONECTADAS MEDIANTE LA SECCION ADHERENTE. LA PATA MAS LARGA SE EXTIENDE A TRAVES DEL SUBSTRATO Y LA PATA MAS CORTA PENETRA SOLO DENTRO DEL SUBSTRATO.

DISPOSITIVOS DE CIRCUITOS INTEGRADOS, CON BASTIDOR DE PLOMO SOLDABLE CON ESTAÑO.

(01/03/1999) UN DISPOSITIVO EMPAQUETADO CON UN BASTIDOR DE PLOMO, UN BASTIDOR DE PLOMO Y UN ARTICULO DE FABRICACION QUE COMPRENDE UN METAL BASE , UNA CAPA DE NIQUEL SOBRE EL METAL BASE , Y UN COMPUESTO PROTECTOR DE CAPAS METALICAS SOBRE EL NIQUEL. EL COMPUESTO INCLUYE, EN SUCESION DESDE LA CAPA DE NIQUEL, UNA CAPA DE PALADIO DE GANGA DE ORO BLANDO , UNA CAPA DE ALEACION PALADIO/NIQUEL , UNA CAPA DE PALADIO Y UNA CAPA DE ORO . LA CAPA DE GANGA DE ORO BLANDO O DE PALADIO, ACTUA ESENCIALMENTE COMO UN CAPA DE UNION (UN ADHESIVO), ENTRE LAS CAPAS DE ALEACION NI Y PD-NI, Y COMO UNA CAPA QUE REFUERZA LA DISMINUCION EN POROSIDAD DE CAPAS POSTERIORES, LA CAPA DE ALEACION PD-NI ACTUA COMO UNA TRAMPA PARA LOS IONES METALICOS BASE, LA CAPA PD ACTUA COMO UNA TRAMPA PARA LOS IONES NI PROCEDENTES DE LA CAPA DE ALEACION…

PAQUETE DE PLACAS DE CIRCUITOS IMPRESOS PORTADOR DE CHIP, MOLDEADO PARCIALMENTE.

(01/04/1998) UN BASTIDOR CONDUCTOR ESTA INTERCALADO ENTRE DOS PLACAS DE CIRCUITOS IMPRESOS (PCBS) . LAS PCBS FORMAN UNA PARTE PRINCIPAL DEL CUERPO DEL PAQUETE Y AISLAN LOS CONDUCTORES DEL BASTIDOR CONDUCTOR DEL COMPUESTO DE MOLDEO PLASTICO. EN UNA REALIZACION, UN PCB SUPERIOR (SUSTRATO) ES FORMADO COMO UN ANILLO CUADRADO, QUE TIENE UNA ABERTURA QUE CONTIENE UN DISIPADOR DEL CALOR . UN PCB INFERIOR TAMBIEN ESTA FORMADO COMO UN ANILLO CUADRADO Y TIENE UNA ABERTURA MAS PEQUEÑA PARA RECIBIR UNA MATRIZ . LA CARA POSTERIOR (120A) DE LA MATRIZ ESTA MONTADA HACIA EL DISIPADOR DE CALOR . LA CARA FRONTAL EXPUESTA (120B) DE LA MATRIZ ESTA UNIDA POR ALAMBRE A LOS EXTREMOS INTERIORES (138A) DE TRAZADORES CONDUCTORES SOBRE LA CARA EXPUESTA DEL PCB INFERIOR . LOS EXTREMOS EXTERIORES (138B) DE LOS TRAZADORES ESTAN CONECTADOS ELECTRICAMENTE A LOS CONDUCTORES…

DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR EMBALADO EN PLASTICO Y METODO PARA FORMARLO.

(01/02/1998). Solicitante/s: LSI LOGIC CORPORATION. Inventor/es: SCHNEIDER, MARK R., STEIDL, MICHAEL J.

SE EXPONE UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR EMBALADO EN PLASTICO Y UN METODO PARA FABRICARLO, PARA MONTARLO SOBRE UN CUADRO DE CIRCUITOS IMPRESOS QUE COMPRENDE UN CUERPO DE PLASTICO Y UNA PLURALIDAD DE CONDUCTORES QUE SE EXTIENDEN POR EL CUERPO DONDE SE FORMAN TRAMAS DE PLASTICO ENTRE LOS CONDUCTORES ADYACENTES PARA SOPORTAR LOS MISMOS . ADEMAS, SE FORMAN PROTUBERANCIAS DE PLASTICO EN LOS EXTREMOS DE LAS TRAMAS Y ALINEADAS CON LOS RECESOS ENTRE LOS CONDUCTORES DE MODELOS DE CABLES SOBRE CUADROS DE CIRCUITOS IMPRESOS PARA AYUDAR EN LA ALINEACION DE LOS CONDUCTORES CON EL CUADRO DE CIRCUITOS.

ESTRUCTURA DE SEMICONDUCTOR DE ELEMENTO DE CUERDA.

(16/10/1994) UNA CUERDA DE ELEMENTO SEMICONDUCTOR TIENE UN NUMERO DE ELEMENTOS SEMICONDUCTORES , TENIENDO CADA UNO LOS PRIMEROS Y SEGUNDOS CONDUCTORES (14 Y 15) MONTADOS EN UNA PLACA TRANSVERSAL . LOS PRIMEROS CONDUCTORES SON CORTADOS DE LA PLACA TRANSVERSAL , CUANDO LA CUERDA DE ELEMENTO SEMICONDUCTOR TIENE QUE SER MONTADA EN EL TABLERO DE CIRCUITO IMPRESO . LOS SEGUNDOS CONDUCTORES CONECTADOS A LA PLACA TRANSVERSAL SIRVEN COMO LINEAS DE TIERRA PARA LOS RESPECTIVOS ELEMENTOS CONDUCTORES AL DOBLAR DOS EXTREMOS DISTALES DE LA PLACA TRANSVERSAL A SER MONTADOS EN EL TABLERO DE CIRCUITO IMPRESO . SE PROVEE UNA PIEZA DE UNION CRUZANDO SOBRE LAS PARTES MEDIAS DE LOS PRIMEROS Y SEGUNDOS CONDUCTORES…

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