CIP 2013 : F42B 3/13 : de puente semiconductor.

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Notas[n] desde F42B 3/103 hasta F42B 3/16:
F SECCION F — MECANICA; ILUMINACION; CALEFACCION; ARMAMENTO; VOLADURA.
F42 MUNICIONES; VOLADURA.
F42B CARGAS EXPLOSIVAS, p. ej. PARA VOLADURA; FUEGOS ARTIFICIALES; MUNICIONES (composiciones explosivas C06B; espoletas para municiones F42C; voladura F42D).
F42B 3/00 Cartuchos de voladura, es decir, envolturas con explosivo (mechas, cordeles detonantes C06C 5/00; aspectos químicos de los detonadores, de las cápsulas de voladura o de los cebos C06C 7/00).
F42B 3/13 · · · de puente semiconductor.

CIP2013: Invenciones publicadas en esta sección.

  1. 1.-

    CIRCUITO ELECTRONICO RESISTENTE A LOS IMPACTOS.

    . Ver ilustración. Solicitante/s: DETNET INTERNATIONAL LIMITED. Inventor/es:

    Un detonador electrónico que comprende un circuito electrónico recubierto de un encapsulado y dispuesto dentro de una envoltura alargada que comprende un armazón de detonador, teniendo el armazón una superficie interior que se extiende longitudinalmente, en el que el encapsulado está dimensionado y configurado para un contacto axial limitado con la superficie interior que se extiende longitudinalmente (18a), caracterizado porque el encapsulado comprende una cubierta (14e) que cubre el circuito y al menos un casquillo (14g) que contacta la superficie longitudinal interior de la envoltura y que ocupa menos del cincuenta por ciento de la longitud axial de la cubierta (14e).

  2. 2.-

    DETONADOR CON CARGA DE IGNICION FLOJAMENTE COMPACTADA.

    . Solicitante/s: THE ENSIGN-BICKFORD COMPANY. Inventor/es:

    Un iniciador montado a partir de un alojamiento , una carga de salida y un medio iniciador incluye una carga de ignición pulverulenta (46a) dispuesta en iniciación directa respecto del medio iniciador, y na carga de salida (¡) que puede contener una carga de deflagración a detonación (DDT) pulvelurenta (144a) y una carga básica explosiva (144b). La carga de ignición (46a) tiene una dimensión particular media inferior a 10 micras, o incluso inferior a 5 micras, por ejemplo entre 1 y 2 micras. El medio iniciador puede comprender un puente semiconductor y la carga de ignición (46a) puede compactarse con una fuerza inferior a 5.880 psi, por ejemplo una c fuerza de 1.000 psi. En otro modo de realización, un iniciador (2109 incluye un iniciador eléctrico de poca energía , una carga de ignición BNCP envasada sin apretar y una carga de salida pirotécnica.

  3. 3.-

    ENCENDEDOR.

    . Ver ilustración. Solicitante/s: BREED AUTOMOTIVE TECHNOLOGY, INC. SIEMENS AG. Inventor/es:

    Conjunto de un generador de gas y un encendedor , en donde, el generador de gas es un generador de gas híbrido.

  4. 4.-

    INICIADOR ELECTROPIROTECNICO DE PUENTE EN CAPA DELGADA Y CON ENERGIA DE FUNCIONAMIENTO MUY BAJA.

    . Ver ilustración. Solicitante/s: LIVBAG S.N.C.. Inventor/es:

    Iniciador electropirotécnico que comprende un circuito eléctrico constituido por unos depósitos en capa delgada sobre un soporte que es no conductor de la electricidad y que está fijado a una cara superior plana , comprendiendo dicho circuito eléctrico un elemento resistivo calefactor en capa delgada, estando dicho circuito recubierto por una composición pirotécnica , presentando dicho soporte una conductividad térmica, que es inferior a 20 mW/cmºC.

  5. 5.-

    ENCENDEDOR SEMICONDUCTOR.

    . Ver ilustración. Solicitante/s: DAIMLERCHRYSLER AG TRW AIRBAG SYSTEMS GMBH & CO. KG. Inventor/es:

    EN UNA ESPOLETA DE SEMICONDUCTOR, ESPECIALMENTE PARA GENERADOR DE GAS DE UN SISTEMA DE PROTECCION PARA OCUPANTES DE UN AUTOMOVIL, QUE SE COMPONE DE UNA CAPA DE SEMICONDUCTOR DISPUESTA BAJO SITUACION INTERMEDIA DE UNA CAPA DE AISLAMIENTO TERMICA, CONECTADA EN EL LADO EXTREMO EN LA ZONA DE CONTACTO Y CALENTADA EN EL EXTREMO DE DISPARO DE ENCENDIDO EN EL PASO DE CORRIENTE EN LA ZONA DE EXTENSION DE ENCENDIDO , SE OBTIENE DE ACUERDO CON LA INVENCION BAJO MANTENIMIENTO DE UNA EFICIENCIA DE ENCENDIDO ALTA, UNA UNION MECANICA SEGURA DE LA CAPA DE SEMICONDUCTOR EN EL SOPORTE DE TAL MODO, QUE LA CAPA DE APILAMIENTO TERMICO LIMITA EN LA ZONA DE EXTENSION DE ENCENDIDO DE LA CAPA SEMICONDUCTOR TERMICO Y LA CAPA DE SEMICONDUCTOR TERMICO ESTA UNIDA EN SUS TRAMOS EXTREMOS MANTENIDOS LIBREMENTE CON CAPA DE AISLAMIENTO TERMICA DE FORMA INMEDIATA CON EL SOPORTE.

  6. 6.-

    UN DISPOSITIVO, POR EJEMPLO, UN DISPOSITIVO DE CEBADO DE UN EXPLOSIVO INCLUYE UN DISPOSITIVO DE PUENTE SEMICONDUCTOR QUE COMPRENDE UNAS PLACAS SEMICONDUCTORAS (14A, 14B), SEPARADAS POR UN PUENTE INICIADOR (14C) Y QUE TIENE SUPERFICIES METALIZADAS (16A, 16B) DISPUESTAS SOBRE LAS PLACAS (14A, 14B). CADA UNA DE LAS SUPERFICIES METALIZADAS (16A, 16B) COMPRENDE UNA CAPA BASE DE TITANIO , UNA CAPA INTERMEDIA DE TITANIO - VOLFRAMIO Y UNA CAPA SUPERIOR DE VOLFRAMIO . ESTA CONSTRUCCION DE CAPAS MULTIPLES ES DE SIMPLE APLICACION, PROPORCIONA UNA BUENA ADHERENCIA AL SEMICONDUCTOR Y MEJORES CARACTERISTICAS AL PUENTE SEMICONDUCTOR, EVITANDO LOS PROBLEMAS DE ELECTROMIGRACION...

  7. 7.-

    PROCEDIMIENTO PARA LA FABRICACIÓN DE UN FULMINANTE ELÉCTRICO

    . Ver ilustración. Solicitante/s: ROCHAT, JEAN.

    Procedimiento para la fabricación de un fulminante eléctrico, que comprende dos electrodos (1 y 3) unidos entre sí por una película de material por lo menos semiconductor, dispuesta sobre un soporte aislante que separa los dos electrodos (1 y 3), caracterizado por el hecho de que se deposita una película de metal sobre el mencionado soporte aislante y se produce entre los dos electrodos (1 y 3) una descarga eléctrica de potencial suficientemente elevado para transformar una parte, por lo menos, de la película metálica en una película de óxido metálico semiconductor.