Circuito de prueba sintético para una prueba de rendimiento de válvula de HVDC.
Un circuito de prueba sintetico para una prueba de rendimiento de valvula de HVDC,
que comprende:
un circuito de resonancia que comprende una primera valvula de prueba que es una unidad inversora (INV), en donde el circuito de prueba sintetico se configura para probar una operacion de un modo inversor, y una segunda valvula de prueba es una unidad de rectificacion (REC), en donde el circuito de prueba sintetico se configura para probar una operacion de un modo rectificador; y
una fuente de energia (P/S) configurada para proporcionar al circuito de resonancia un voltaje de operacion;
en donde el circuito de prueba sintetico comprende ademas:
un conversor CC/CC configurado para evitar una corriente de compensacion CC del circuito de resonancia, y una pluralidad de submodulos comprendidos en las primera y segunda valvulas de prueba respectivas, cada submodulo incluye una pluralidad de IGBT y un capacitor, en donde el circuito de prueba sintetico se configura de tal manera que una corriente que fluye en un submodulo incluido en la primera valvula de prueba tiene una compensacion de corriente de CC positiva, y una corriente que fluye en un submodulo incluido en la segunda valvula de prueba tiene una compensacion de corriente de CC negativa.
Tipo: Patente Europea. Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: E16169381.
Solicitante: LSIS Co., Ltd.
Nacionalidad solicitante: República de Corea.
Dirección: 127, LS-ro, Dongan-gu, Anyang-si Gyeonggi-Do 14119 REPUBLICA DE COREA.
Inventor/es: CHUNG,YONG HO, LEE,JIN HEE, JUNG,JAE HUN, BAEK,SEUNG TAEK, NHO,EUI CHEOL.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- G01R31/333 FISICA. › G01 METROLOGIA; ENSAYOS. › G01R MEDIDA DE VARIABLES ELECTRICAS; MEDIDA DE VARIABLES MAGNETICAS (indicación de la sintonización de circuitos resonantes H03J 3/12). › G01R 31/00 Dispositivos para ensayo de propiedades eléctricas; Dispositivos para la localización de fallos eléctricos; Disposiciones para el ensayo eléctrico caracterizadas por lo que se está ensayando, no previstos en otro lugar (ensayo o medida de dispositivos semiconductores o de estado sólido, durante la fabricación H01L 21/66; ensayo de los sistemas de transmisión por líneas H04B 3/46). › Ensayo de la capacidad de corte de los disyuntores de alta tensión.
- G01R31/40 G01R 31/00 […] › Ensayo de fuentes de alimentación (ensayos de dispositivos fotovoltaicos H02S 50/10).
PDF original: ES-2754716_T3.pdf
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