Substrato conductor para celda fotovoltaica.
Substrato conductor (1) para celda fotovoltaica, que comprende un substrato portador (2) y un revestimiento de electrodo (6) formado sobre el substrato portador (2),
en el que el revestimiento de electrodo (6) comprende:
- una capa principal (8) a base de molibdeno formada sobre el substrato portador (2);
- una capa barrera contra la selenización (10) formada sobre la capa principal (8) a base de molibdeno, teniendo la capa barrera contra la selenización (10) un espesor inferior a 50 nm, preferentemente inferior o igual a 30 nm, preferentemente todavía inferior o igual a 20 nm; y
- sobre la capa barrera contra la selenización (10), una capa superior (12) a base de un metal M apto para formar, después de sufuración y/o selenización, una capa de contacto óhmico con un material semiconductor fotoactivo.
Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/FR2012/052586.
Solicitante: SAINT-GOBAIN GLASS FRANCE.
Nacionalidad solicitante: Francia.
Dirección: 18 AVENUE D'ALSACE 92400 COURBEVOIE FRANCIA.
Inventor/es: DUPUY,Delphine, PALM,JÖRG, URIEN,MATHIEU, RUITENBERG,GÉRARD, LEYDER,CHARLES, HEISS,ANDREAS, MAHE,ERWAN.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L31/0216 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › Revestimientos (H01L 31/041 tiene prioridad).
- H01L31/0224 H01L 31/00 […] › Electrodos.
- H01L31/032 H01L 31/00 […] › comprendiendo, aparte de los materiales de dopado u otras impurezas, únicamente compuestos no cubiertos por los grupos H01L 31/0272 - H01L 31/0312.
- H01L31/0392 H01L 31/00 […] › comprendiendo películas delgadas depositadas sobre sustratos metálicos o aislantes.
- H01L31/18 H01L 31/00 […] › Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas.
PDF original: ES-2661862_T3.pdf
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