SENSOR DE IONES DE MEDIDA DIFERENCIAL.
La presente invención se refiere a un sensor de iones de medida diferencial,
que mediante al menos dos transistores de efecto campo selectivo a iones compara la concentración de determinados iones en una solución a medir con la concentración de determinados iones en una solución de referencia confinada en un microdepósito con un microcanal. Para ello el microdepósito y el microcanal cubren al menos la puerta de uno de los transistores de efecto campo selectivo a iones, e integran un conjunto parcialmente relleno de un material poroso que cubre la totalidad de dicha puerta y al menos la base del microcanal.
Tipo: Patente de Invención. Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: P201531018.
Solicitante: CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS (CSIC).
Nacionalidad solicitante: España.
Provincia: MADRID.
Inventor/es: FERNANDEZ SANCHEZ,CESAR, BALDI COLL,ANTONIO, CADARSO BUSTO,Alfredo.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- G01N27/414 FISICA. › G01 METROLOGIA; ENSAYOS. › G01N INVESTIGACION O ANALISIS DE MATERIALES POR DETERMINACION DE SUS PROPIEDADES QUIMICAS O FISICAS (procedimientos de medida, de investigación o de análisis diferentes de los ensayos inmunológicos, en los que intervienen enzimas o microorganismos C12M, C12Q). › G01N 27/00 Investigación o análisis de materiales mediante el empleo de medios eléctricos, electroquímicos o magnéticos (G01N 3/00 - G01N 25/00 tienen prioridad; medida o ensayo de variables eléctricas o magnéticas o de las propiedades eléctricas o magnéticas de los materiales G01R). › Transistores de efecto de campo sensibles a los iones o a los agentes químicos, es decir ISFETS o CHEMFETS.
PDF original: ES-2597129_B1.pdf
PDF original: ES-2597129_A1.pdf
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