Módulo fotovoltaico curvado y procedimiento para su fabricación.

Procedimiento para la fabricación de un módulo fotovoltaico curvado de manera convexa a partir de células solares cristalinas planas,

caracterizado por las etapas:

incrustar al menos una célula solar (1; 1", 1"') cristalina plana del tipo de contacto trasero entre una capa de soporte (12) deformable y una capa de cubierta (13) deformable para generar un laminado (19), y

curvar el laminado (19) a la forma convexa deseada mediante la deformación de las capas de soporte y de cubierta (12, 13) y rotura simultánea de la al menos una célula solar (1; 1", 1"') para dar lugar a fragmentos (22), de manera que la forma convexa se aproxima mediante trazos poligonales de los fragmentos (22),

permaneciendo los fragmentos (22) unidos entre sí a través de un contacto (9, 10) trasero metálico que se curva en los puntos de rotura (23).

Tipo: Patente Europea. Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: E08450186.

Solicitante: ICGH Investment and Consulting GmbH.

Nacionalidad solicitante: Austria.

Dirección: Markgraf-Rüdiger-Strasse 6/108 1150 Wien AUSTRIA.

Inventor/es: HORNBACHNER,DIETER DIPL.-ING. DR.TECHN, KIRSCHNER,MARKUS DIPL.-ING. DR.TECHN.

Fecha de Publicación: 3 de Mayo de 2017.

Clasificación Internacional de Patentes:

B32B3/18 TECNICAS INDUSTRIALES DIVERSAS; TRANSPORTES. › B32 PRODUCTOS ESTRATIFICADOS. › B32B PRODUCTOS ESTRATIFICADOS, es decir, HECHOS DE VARIAS CAPAS DE FORMA PLANA O NO PLANA, p. ej. CELULAR O EN NIDO DE ABEJA. › B32B 3/00 Productos estratificados caracterizados esencialmente por el hecho de que una de las capas tiene discontinuidades o rugosidades externas o internas, o bien que una de las capas es de forma no plana (capas de fibras o filamentos B32B 5/02; capas de partículas B32B 5/16; capas de estructura esponjosa B32B 5/18 ); Productos estratificados caracterizados esencialmente por particularidades de forma (B32B 1/00 tiene prioridad). › caracterizados por una capa interna formada por elementos individuales.
H01L31/048 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › encapsulados de modulos.
H01L31/068 H01L 31/00 […] › siendo las barreras de potencial únicamente del tipo homounión PN, p. ej. células solares homounión PN en silicio masivo o células solares homounión PN en láminas delgadas de silicio policristalino.

PDF original: ES-2635387_T3.pdf

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