Sensor ISFET con dispositivo de control integrado.
Sensor para la medida de la concentración de una especie en una solución,
dicha especie estando en forma iónica o capaz de producir un compuesto iónico, comprendiendo el sensor al menos dos componentes montados en paralelo, a saber i) un transistor (100) ISFET dotado de un drenaje, de una fuente, de una membrana (3) aislante sensible a dicha especie, y conectada a un electrodo (4) de referencia, y ii) un transistor MOSFET (200) dotado de un drenaje, de una fuente y de una puerta (13) formada de una capa (5) aislante recubierta de un electrodo (6) metálico, caracterizado porque la fuente (1) y el drenaje (2) son comunes a dichos dos componentes.
Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/FR2013/051089.
Solicitante: Hemodia.
Nacionalidad solicitante: Francia.
Dirección: 85, rue du Chêne Vert 31670 Labège FRANCIA.
Inventor/es: SANT,WILLIAM.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- G01N27/414 FISICA. › G01 METROLOGIA; ENSAYOS. › G01N INVESTIGACION O ANALISIS DE MATERIALES POR DETERMINACION DE SUS PROPIEDADES QUIMICAS O FISICAS (procedimientos de medida, de investigación o de análisis diferentes de los ensayos inmunológicos, en los que intervienen enzimas o microorganismos C12M, C12Q). › G01N 27/00 Investigación o análisis de materiales mediante el empleo de medios eléctricos, electroquímicos o magnéticos (G01N 3/00 - G01N 25/00 tienen prioridad; medida o ensayo de variables eléctricas o magnéticas o de las propiedades eléctricas o magnéticas de los materiales G01R). › Transistores de efecto de campo sensibles a los iones o a los agentes químicos, es decir ISFETS o CHEMFETS.
PDF original: ES-2585393_T3.pdf
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