Lámina trasera de célula solar que incluye un copolímero basado en flúor, y método para fabricar la misma.
Lámina trasera de célula solar, que comprende:
una capa de sustrato;
y
una capa de resina que se ha formado sobre al menos un lado de la capa de sustrato,
en la que la capa de resina incluye un polímero basado en poli(fluoruro de vinilideno) (PVDF), que es poli(fluoruro de vinilideno) (PVDF) polimerizado con un comonómero,
el contenido del comonómero es del 5 al 50% en peso, con relación al peso total del polímero basado en poli(fluoruro de vinilideno) (PVDF),
el polímero basado en poli(fluoruro de vinilideno) (PVDF) tiene una cristalinidad del 10 al 40%, en la que la cristalinidad se determina mediante calorimetría diferencial de barrido a partir del calor de fusión del polímero basado en poli(fluoruro de vinilideno) (PVDF), y se mide el calor de fusión cuando el polímero basado en poli(fluoruro de vinilideno) (PVDF) se calienta de manera secundaria con una velocidad de calentamiento de 10 K/min.
Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/KR2010/001723.
Solicitante: LG CHEM LTD..
Nacionalidad solicitante: República de Corea.
Dirección: 20, Yoido-dong Youngdungpo-gu, Seoul 150-721.
Inventor/es: KIM,HYUN-CHEOL, KWON,YOON-KYUNG, KO,HYUN-SEONG.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L31/036 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › caracterizados por su estructura cristalina o por la orientación particular de los planos cristalinos.
- H01L31/042 H01L 31/00 […] › Módulos fotovoltaicos o conjuntos de células individuales fotovoltaicas (las estructuras de soporte de los módulos fotovoltaicos H02S 20/00).
PDF original: ES-2562954_T3.pdf
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