DISPOSITIVO FOTOVOLTAICO DE CAPA FINA Y PROCEDIMIENTO DE FABRICACIÓN DE DICHO DISPOSITIVO.
Una célula solar de capa fina fabricada mediante depósito de un electrodo anterior (3),
un elemento fotoactivo (2) y un electrodo posterior (1) sobre un sustrato (4) transparente. Sobre la superficie del electrodo anterior (3) se graba mediante interferometría láser una red periódica de cavidades nanométricas, que se rellenan con un material semiconductor del elemento fotoactivo (2). La red de cavidades actúa como cristal fotónico, mejorando simultáneamente el atrapamiento de la luz incidente y la eficiencia cuántica del dispositivo.
Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/ES2014/070827.
Solicitante: SGENIA SOLUCIONES.
Nacionalidad solicitante: España.
Inventor/es: LAMA OCHOA DE RETANA,Jesús, GIL LORENTE,Isabel.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L31/0352 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › caracterizados por su forma o por las formas, dimensiones relativas o disposición de las regiones semiconductoras.
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