DISPOSITIVO OPTO-ESPINTRÓNICO Y MÉTODO PARA SU FABRICACIÓN.
El dispositivo comprende: - un sustrato transparente (S); - un primer (E1) y un segundo (E2) electrodos con propiedades ferromagnéticas;
- una capa de material semiconductor orgánico electroluminiscente (SO), dispuesta entre los electrodos (E1, E2); - una primera capa de barrera (B1), dispuesta entre dicho primer electrodo (E1) y una cara de dicha capa de material semiconductor orgánico electroluminiscente (SO); y - una segunda capa de barrera (B2), dispuesta entre dicho segundo electrodo (E2) y otra cara de dicha capa de material semiconductor orgánico electroluminiscente (SO); estando dichas capas de barrera (B1, B2) compuestas, dimensionadas, dispuestas y configuradas para - favorecer la inyección de carga polarizada en espín tanto de electrones, como de huecos; y - favorecer la inyección de carga tanto de electrones como de huecos, y con ello la recombinación de pares electrón-hueco y la consiguiente generación de luz. El método está adaptado para fabricar el dispositivo de la invención.
Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/ES2014/000005.
Solicitante: UNIVERSITAT DE VALENCIA.
Nacionalidad solicitante: España.
Inventor/es: CORONADO MIRALLES,EUGENIO, PRIMA GARCIA,Helena, PRIETO RUIZ,Juan Pablo.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L33/00 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › Dispositivos semiconductores que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie especialmente adaptados para la emisión de luz; Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Detalles (H01L 51/50 tiene prioridad; dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores formados en o sobre un sustrato común y que incluyen componentes semiconductores con al menos una barrera de potencial o de superficie, especialmente adaptados para la emisión de luz H01L 27/15; láseres de semiconductor H01S 5/00).
- H01L43/00 H01L […] › Dispositivos que utilizan efectos galvanomagnéticos o efectos magnéticos análogos; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formado en o sobre un sustrato común H01L 27/00).
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