CONFIGURACIÓN DE LOS RECEPTORES EN PLANTAS DE CONCENTRACIÓN SOLAR DE TORRE.

Configuración de los receptores en plantas de concentración solar de torre de las que cuentan con al menos un receptor de media temperatura (3) y un receptor de alta temperatura (4) donde cada receptor de alta temperatura (4) se sitúa encima y ligeramente por delante de cada receptor de media temperatura (3),

de manera que parte de los rayos que rebotan en el receptor de media temperatura (3) calientan la parte posterior del receptor de alta temperatura (4) y donde el receptor de alta temperatura (4) se sitúa de manera que la mayor parte de su superficie está enfrentada con la pared de la cavidad (2), quedando libre solo la parte baja del receptor (4).

Tipo: Patente de Invención. Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: P201101264.

Solicitante: ABENGOA SOLAR NEW TECHNOLOGIES, S.A.

Nacionalidad solicitante: España.

Inventor/es: Mendez Marcos,José María, SERRANO GALLAR,LUCIA, NAVÍO GILABERTE,RAÚL, DIAGO LÓPEZ,Maite.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • F24J2/07
CONFIGURACIÓN DE LOS RECEPTORES EN PLANTAS DE CONCENTRACIÓN SOLAR DE TORRE.

Fragmento de la descripción:

CONFIGURACiÓN DE LOS RECEPTORES EN PLANTAS DE CONCENTRACiÓN

SOLAR DE TORRE

Sector técnico de la invención Esta invención pertenece al campo de las tecnologías solares de concentración para la producción de vapor sobrecalentado, más específicamente a tecnología de receptor central de torre con campo de helióstatos para aplicación en generación de electricidad.

Antecedentes de la invención Si bien la radiación solar es una fuente térmica de elevada temperatura y elevada energía en origen, la utilización de la misma en las condiciones del flujo que llega a la superficie terrestre destruye prácticamente todo su potencial de convertirse en trabajo, por la drástica reducción de la temperatura disponible. Por esta razón, se hace uso en las centrales solares termoeléctricas (CST) , de sistemas de concentración óptica, que permiten lograr mayores densidades de flujo y con ello temperaturas más elevadas.

En la actualidad existen principalmente tres tecnologías diferentes desarrolladas para su uso en plantas solares. Estas son: de receptor central, colectores cilindroparabólicos y discos Stirling. Todas ellas hacen uso solamente de la componente directa de la radiación solar, lo que les obliga a tener dispositivos de seguimiento solar. La invención reivindicada pertenece a los sistemas de torre o receptor central (3D) .

Estos utilizan espejos de gran superficie (40-125 m2 por unidad) denominados helióstatos, que están dotados de un sistema de control para reflejar la radiación solar directa sobre un receptor central situado en la parte superior de una torre. En esta tecnología, la radiación solar concentrada calienta en el receptor un fluido a temperaturas de hasta 1000ºC, cuya energía térmica puede después utilizarse para la generación de electricidad.

En la actualidad, se cuenta con diferentes tipos de receptores con distintas configu

raciones. Entre otros se encuentran los receptores de media temperatura y los receptores de alta temperatura. Si el fluido caloportador es agua, los receptores de media temperatura también se denominan receptores de vapor saturado o evaporadores y los receptores de alta temperatura se denominan receptores de vapor sobrecalentado. Entre ellos se instala un calderín.

Los receptores de concentración solar de torre pueden ser exteriores o disponerse en una cavidad ubicada en la parte superior de la torre con el fin de disminuir las pérdidas térmicas. La configuración debe permitir que la potencia incidente supere en magnitud las pérdidas que se presentan por radiación y convección. En los receptores de vapor sobrecalentado, la temperatura alcanzada en la superficie es mayor que en los receptores de vapor saturado, razón por la cual las pérdidas por radiación también son mayores, sin embargo, tienen la ventaja de aumentar la eficiencia del ciclo termodinámico, con lo que esas pérdidas quedan compensadas. En la patente W02009121030A2 se proponen distintas configuraciones de paneles y tubos con el objeto de absorber la radiación solar concentrada incidente. La mayoría de las configuraciones incluye tubos o paneles con partes transparentes que son muy distintas a la configuración propuesta en esta patente y los objetivos y ventajas que se van a describir en los apartados siguientes. En la patente US20080078378 se propone una configuración de paneles que consiste en situar los paneles del receptor de vapor sobrecalentado encima de los paneles del receptor de vapor saturado. En la patente W02011 030331A2 se reivindican varias configuraciones de calderín y receptores de vapor saturado y sobrecalentado. Configuraciones con ambos receptores situados de manera concéntrica y configuraciones en las que se separa físicamente el receptor de vapor saturado y el de vapor sobrecalentado. Por todo ello, la presente invención tiene como objetivo diseñar una configuración de receptores que aglutine las ventajas de la utilización de vapor a alta temperatura, solventando los riesgos existentes, consiguiendo un mayor control de la planta y favoreciendo de esta manera la estabilidad y durabilidad de ésta y sus componentes. Descripción de la invención La presente invención se refiere a una configuración de los receptores en plantas de concentración solar de torre con separación física de los receptores de media temperatura y de alta temperatura. En los casos en los que el fluido caloportador es agua, en el receptor de media temperatura es donde se produce la evaporación del fluido caloportador obteniéndose vapor saturado a la salida y en el receptor de alta temperatura se lleva a cabo un sobrecalentamiento de dicho vapor. Entre ambos receptores se instala un calderín o separador de fases que asegura que en el receptor de alta temperatura entra sólo vapor.

El hecho de separar la etapa de evaporación de la de sobrecalentamiento reduce el

riesgo tecnológico ya que al no existir cambio de fase en el mismo receptor, tampoco existen los problemas de altos gradientes térmicos derivados de los diferentes coeficientes de película de ambas fases. Además los problemas de control asociados a la variabilidad del recurso solar se reducen también drásticamente. Este sistema, a diferencia del estado de la técnica conocido, no ubica los módulos de los receptores de media y alta temperatura alejados entre sí, si no que la configuración propuesta en la invención comprende uno o varios receptores de media temperatura y uno o varios receptores de alta temperatura independientes, ubicados de tal manera, que los receptores de alta temperatura se sitúan físicamente encima y ligeramente por delante de los receptores de media temperatura. Entre ellos, se colocan una serie de calderines o separadores que hacen que el fluido bifásico que sale de los receptores de media temperatura llegue únicamente como vapor a los receptores de alta temperatura. La configuración de receptores y paneles propuesta es válida tanto si se encuentran dentro de una cavidad o no. En el caso de que se utilice el diseño de receptor en cavidad, las pérdidas térmicas en el receptor que sigue esta configuración, es decir con el receptor de alta temperatura por encima del receptor de media temperatura, disminuyen con respecto a otras configuraciones con receptor en cavidad en las que se separan los receptores en cavidades distintas. Esto se debe a que, en la configuración reivindicada y con los receptores dentro de una cavidad, la apertura de la misma (por donde entra la radiación incidente) tiene su centro situado por debajo del límite inferior del receptor de alta temperatura de manera que la mayor parte de la superficie del receptor queda enfrentada con la pared interior de la cavidad. Esta pared generalmente se encuentra revestida de material aislante reflectante. Gracias a que el receptor se encuentra situado en lo alto de la torre, los rayos solares que reflejan los helióstatos inciden sin problemas en toda la superficie del receptor, ya que entran desde abajo con una trayectoria tal que, a pesar de no estar el receptor de alta temperatura enfrentado con la apertura de la cavidad, la radiación entra por la apertura alcanzando el receptor de alta temperatura y sin impactar en las paredes exteriores de la cavidad. La consecuencia de que el receptor de alta temperatura tenga la mayor parte de su superficie enfrentada al interior de la cavidad y muy poco a la apertura es que permite que un alto porcentaje de la energía emitida por el receptor de alta temperatura en forma de pérdidas por radiación llegue al material aislante del interior de la cavidad y sea reflejada y posteriormente reabsorbida por el propio receptor de alta temperatura o por el receptor de media temperatura, disminuyendo las pérdidas y aumentando la eficiencia de la planta. Otra característica de esta configuración es el hecho de colocar el receptor de alta temperatura adelantado respecto al receptor de media temperatura. Debido a esta configuración, una parte de los rayos que se reflejan en el receptor de media alcanzan la cara trasera del receptor de alta. Hasta ahora se ha probado con éxito la producción de vapor saturado en paneles en los que la radiación incide sólo en una de sus caras. En estos casos, el coeficiente de convección de los enormes caudales de líquido saturado de recirculación y las temperaturas relativamente bajas del fluido que circula por los receptores de media temperatura evitan tener temperaturas de metal demasiado altas. Sin embargo, para los receptores de alta temperatura por los que sólo incide radiación por una sola cara y por los que circula vapor a muy alta temperatura, se esperan temperaturas de metal mayores a 600 oC en algunas zonas, lo que conlleva a la creación de tensiones en los materiales. En el caso de los receptores de alta temperatura de la invención reciben radiación...

 


Reivindicaciones:

1. Configuración de los receptores en plantas de concentración solar de torre de las que cuentan con una serie de helióstatos alrededor de su base que reflejan la radiación solar hacia al menos un receptor de media temperatura (3) y un receptor de alta temperatura (4) instalados en cavidades (2) caracterizado porque cada receptor de alta temperatura (4) se sitúa encima y ligeramente por delante de cada receptor de media temperatura (3) , de manera que parte de los rayos que rebotan en el receptor de media temperatura (3) calientan la parte posterior del receptor de alta temperatura.

2. Configuración de los receptores en plantas de concentración solar de torre según reivindicación 1 caracterizado porque el receptor de alta temperatura (4) se sitúa de tal forma que la apertura (6) de la cavidad (2) en la que se encuentra instalado tiene su centro situado por debajo del límite inferior del receptor de alta temperatura (4) de manera que la mayor parte de la superficie del receptor (4) queda enfrentada con la pared interior de la cavidad (2) .

3. Configuración de los receptores en plantas de concentración solar de torre según reivindicación 1 caracterizado porque el fluido caloportador es agua y el receptor de media temperatura (3) es el evaporador o receptor de vapor saturado y el receptor de alta temperatura (4) es el sobrecalentador.

4. Configuración de los receptores en plantas de concentración solar de torre según reivindicación 3 caracterizado porque el receptor de vapor saturado (3) está formado por tubos verticales y el de vapor sobrecalentado (4) por tubos horizontales o verticales, en ambos casos con colectores a la entrada y salida del fluido en el receptor.

5. Configuración de los receptores en plantas de concentración solar de torre según reivindicación 1 caracterizado porque la torre comprende tres receptores de vapor saturado (3) y tres de vapor sobrecalentado (4) , ubicados dos a dos, en tres cavidades (2) diferentes.

6. Configuración de los receptores en plantas de concentración solar de torre según reivindicación 1 caracterizado porque los helióstatos con una mancha o proyección más pequeña (por ejemplo heliostatos más cercanos a la torre) se enfocan hacia un punto más alto que el resto de los helióstatos pues apuntan a los paneles del receptor de alta temperatura (4) .

FIGURA 1

FIGURA 2


 

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