Placa de circuitos semiconductores y un circuito semiconductor.

Un circuito semiconductor (2) capaz de ser conectado a un sustrato de control (1) operativo para controlar dichocircuito semiconductor (2),

comprendiendo dicho circuito semiconductor:

un sustrato (21);

un grupo de circuitos integrados (22) montado en dicho sustrato; y

una medida contra el ruido (23) montada en dicho sustrato,

incluyendo dicho grupo de circuitos integrados un circuito integrado (221) como una fuente de ruido, y estandoseparado de dicho sustrato de control,

en el que dicho grupo de circuitos integrados (22) y dicho sustrato de control (1) pueden ser conectadosmediante dicha medida contra el ruido (23), y

en el que dicha medida contra el ruido (23) está dispuesta para atenuar la componente de alta frecuencia delruido generado por dicho grupo de circuitos integrados (22),

caracterizado porque

dicho sustrato (21) tiene una estructura de múltiples capas apiladas que incluye:

un sustrato (31) en un primer nivel sobre el cual se monta dicho grupo de circuitos integrados (22); y

una pluralidad de sustratos (32, 33) en un segundo nivel dispuestos hacia dentro con relación a dicho sustratoen un primer nivel, estando dotada dicha pluralidad de sustratos en un segundo nivel con electrodos formadosen la misma para recibir diferentes potenciales fijos, teniendo dichos electrodos entre medias una capa deaislamiento para formar un condensador que está dispuesto para desplazar una frecuencia de un ruidogenerado por el grupo de circuitos integrados (22) hacia una alta frecuencia.

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/JP2005/010785.

Solicitante: DAIKIN INDUSTRIES, LTD..

Nacionalidad solicitante: Japón.

Dirección: UMEDA CENTER BUILDING, 4-12, NAKAZAKI-NISHI 2-CHOME, KITA-KU OSAKA-SHI, OSAKA 530-8323 JAPON.

Inventor/es: OKANO, TAKASHI, NISHIMURA,MASAYA, KAWAMURA,SHUHEI.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • H05K1/02 ELECTRICIDAD.H05 TECNICAS ELECTRICAS NO PREVISTAS EN OTRO LUGAR.H05K CIRCUITOS IMPRESOS; ENCAPSULADOS O DETALLES DE LA CONSTRUCCIÓN DE APARATOS ELECTRICOS; FABRICACION DE CONJUNTOS DE COMPONENTES ELECTRICOS.H05K 1/00 Circuitos impresos. › Detalles.
  • H05K1/14 H05K 1/00 […] › Asociación estructural de varios circuitos impresos (medios de conexión eléctrica de circuitos con o entre circuitos impresos H05K 1/11, H01R 12/00).
  • H05K1/18 H05K 1/00 […] › Circuitos impresos asociados estructuralmente con componentes eléctricos no impresos (H05K 1/16 tiene prioridad).

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Placa de circuitos semiconductores y un circuito semiconductor.

Fragmento de la descripción:

Placa de circuitos semiconductores y un circuito semiconductor

Campo técnico

La presente invención se refiere a una placa de circuitos semiconductores y a un circuito semiconductor, y es 5 aplicable, por ejemplo, a técnicas de diseño.

Antecedentes de la invención

Los aparatos de aire acondicionado y similares están equipados, por ejemplo, con una placa de circuitos semiconductores para controlar el funcionamiento del aparato de aire acondicionado. Una placa de circuitos semiconductores convencional está formada por un grupo de circuitos integrados, un circuito de control de los

mismos, un circuito de potencia y similares dispuesto en la misma placa. El grupo de circuitos integrados incluye, por ejemplo, un elemento de conmutación de alta velocidad, un circuito de transmisor/receptor y otros. El circuito de control incluye, por ejemplo, un microprocesador y otros, y es operativo para controlar el grupo de circuitos integrados. El circuito de potencia es operativo para suministrar potencia al grupo de circuitos integrados.

La publicación de patente 1 divulga una técnica para simular un ruido de radiación. La publicación de literatura no

patente 1 introduce una técnica para reducir un ruido generado por una fuente de potencia utilizando un inductor tal como unas perlas de ferrita o una bobina, y un condensador de derivación. La publicación de literatura no patente 2 introduce una técnica para reducir un ruido generado por un dispositivo electrónico formado por un substrato con una estructura de múltiples capas apiladas.

Publicación de patente 1: solicitud de patente japonesa abierta inspección pública nº 6-309420 (1994) .

Publicación de literatura no patente 1: "Transistor Technology" publicada por CQ Publishing Co. Ltd., número de octubre de 2001, página 202.

Publicación de literatura no patente 2: "101 Qs and As about Noise Countermeasures" escrita por Seiichi Miyazaki, publicada por Integrated Systems Institute, páginas 88-89.

Se divulga asimismo estado de la técnica anterior de interés en las solicitudes de patente US 2004/008531 A1, US 25 2002/074669 A1, JP 11-054861 A y JP 2003-163466 A.

El documento US 2004/008531 A1 (véase el preámbulo de la reivindicación 1) divulga un dispositivo electrónico que suministra una potencia DC a un chip LSI, en el que en una placa de circuitos se monta un filtro de ruido de un tipo de constante distribuida, que tiene un puerto de entrada y un puerto de salida. El filtro de ruido reduce un ruido de alta frecuencia que entra al mismo y permite que una corriente DC fluya a través del mismo. El puerto de entrada

está conectado a una línea de potencia DC y a un conductor de tierra en la placa de circuitos. El puerto de salida está conectado a un conductor de potencia separado y a un conductor de tierra separado que están conectados al LSI montado en la placa de circuitos. Por ejemplo, el LSI está montado en una placa de circuitos diferente a la cual se conecta el puerto de salida mediante clavijas de conductor dispuestas en la placa de circuitos.

El documento US 2002/074669 A1 divulga un dispositivo de semiconductor que comprende un sustrato BGA que

tiene un plano principal equipado con un gran número de bolas de soldadura, y bolas de soldadura que constituyen un conjunto de red de bolas; un chip de semiconductor montado en otro plano principal del sustrato BGA, estando conectado el chip de semiconductor al sustrato BGA por medio de cables metálicos; y condensadores de chip montados en el chip de semiconductor para reducir el ruido de la fuente de potencia.

El documento JP 11-054861 divulga una pequeña placa de escritura que elimina efectivamente ruidos

electromagnéticos, sin utilizar cabezales de ferrita. Más concretamente, una placa de componentes electrónicos, en la que se montan componentes electrónicos tales como dispositivos semiconductores sobre el un emplazamiento y se forman patrones conectados a terminales de los componentes eléctricos en el otro plano, un patrón magnético para eliminar ruido electromagnético que rodea a cualquiera de los terminales de las piezas electrónicas y a los patrones conectados a los terminales se forma en cualquiera de los planos en los cuales se montan los

45 componentes electrónicos y el plano en el que los patrones se forman de la placa de componentes electrónicos. El patrón magnético puede estar formado igualmente por impresión.

El documento JP 2003-163466 divulga una placa de circuito impreso de múltiples capas, capaz de mejorar un efecto de reducción de un ruido de radiación y un dispositivo de placa de circuito impreso de múltiples capas dotado con la placa de circuito impreso. La placa de circuito impreso de múltiples capas tiene una capa de tierra, una capa de

50 suministro de potencia y una capa de aislamiento formada entre la capa de tierra y la capa de suministro de potencia. La capa de suministro de potencia 13 consiste en tres capas de suministro de potencia divididas. Las formas de estas capas divididas dependen respectivamente del tiempo de entrega de elementos de circuito integrado para ser conectados respectivamente a las capas.

Una tendencia hacia mejores prestaciones de aparatos de aire acondicionado y similares en años recientes da como resultado la mejora de la velocidad de procesamiento de una placa de circuitos semiconductores tal como la velocidad de conmutación de un elemento de conmutación de alta velocidad. Por otro lado, la mejora de la velocidad de procesamiento está acompañada por un ruido indeseado generado por el elemento de conmutación de alta

velocidad y otros. Un ruido indeseado puede ejercer una influencia sobre los otros circuitos en la placa de circuitos semiconductores o sobre dispositivos dispuestos alrededor de los aparatos de aire acondicionado y similares.

Un ruido puede ser reducido, por ejemplo, mediante la técnica introducida en las publicaciones de literatura no patente 1 o 2 identificadas anteriormente. Sin embargo, los circuitos que constituyen la placa de circuitos semiconductores convencional están dispuestos en la misma placa. Esto significa que las medidas contra el ruido

deben ser preparadas para cada placa de circuitos semiconductores, dando como resultado desventajoso el aumento en los costes de desarrollo, por ejemplo.

Las medidas contra el ruido para la placa de circuitos semiconductores convencional se toman generalmente en una etapa tardía de una fase de diseño, de modo que las medidas contra el ruido requeridas no pueden ser implementadas con un alto grado de eficiencia.

15 Sumario

La presente invención ha sido realizada a la vista de las circunstancias anteriormente discutidas. La presente invención pretende proporcionar eficientemente medidas contra el ruido para una placa de circuitos semiconductores, y efectuar ahorros en el coste de desarrollo y ahorros en el coste de componentes.

La presente invención proporciona un circuito semiconductor que es capaz de ser conectado a un sustrato de control

operativo para controlar dicho circuito semiconductor. El circuito semiconductor comprende: un sustrato; un grupo de circuitos integrados montado en el sustrato; y una medida contra el ruido montada en el sustrato. El grupo de circuitos integrados incluye un circuito integrado como una fuente de ruido, y está separado del sustrato de control.

El grupo de circuitos integrados y el sustrato de control pueden ser conectados mediante la medida contra el ruido. El sustrato tiene una estructura de múltiples capas apiladas que incluyen: un sustrato en un primer nivel sobre el

cual se monta el grupo de circuitos integrados; y una pluralidad de sustratos en un segundo nivel dispuestos hacia dentro con relación al sustrato en un primer nivel, estando dotada la pluralidad de sustratos en un segundo nivel de electrodos formados en la misma para recibir diferentes potenciales fijos, teniendo dichos electrodos entre medias una capa de aislamiento para formar un condensador que está dispuesto para desplazar una frecuencia de un ruido generado por el grupo de circuitos integrados hacia una alta frecuencia.

Además, la medida contra el ruido está dispuesta para atenuar la componente de alta frecuencia del ruido generado por el grupo... [Seguir leyendo]

 


Reivindicaciones:

1. Un circuito semiconductor (2) capaz de ser conectado a un sustrato de control (1) operativo para controlar dicho circuito semiconductor (2) , comprendiendo dicho circuito semiconductor: un sustrato (21) ; 5 un grupo de circuitos integrados (22) montado en dicho sustrato; y

una medida contra el ruido (23) montada en dicho sustrato, incluyendo dicho grupo de circuitos integrados un circuito integrado (221) como una fuente de ruido, y estando separado de dicho sustrato de control,

en el que dicho grupo de circuitos integrados (22) y dicho sustrato de control (1) pueden ser conectados

mediante dicha medida contra el ruido (23) , y en el que dicha medida contra el ruido (23) está dispuesta para atenuar la componente de alta frecuencia del ruido generado por dicho grupo de circuitos integrados (22) ,

caracterizado porque dicho sustrato (21) tiene una estructura de múltiples capas apiladas que incluye: 15 un sustrato (31) en un primer nivel sobre el cual se monta dicho grupo de circuitos integrados (22) ; y una pluralidad de sustratos (32, 33) en un segundo nivel dispuestos hacia dentro con relación a dicho sustrato en un primer nivel, estando dotada dicha pluralidad de sustratos en un segundo nivel con electrodos formados en la misma para recibir diferentes potenciales fijos, teniendo dichos electrodos entre medias una capa de aislamiento para formar un condensador que está dispuesto para desplazar una frecuencia de un ruido 20 generado por el grupo de circuitos integrados (22) hacia una alta frecuencia.

2. El circuito semiconductor de acuerdo con la reivindicación 1, en el que dicha medida contra el ruido (23) es un filtro.

3. El circuito semiconductor de acuerdo con la reivindicación 1, que comprende además una segunda medida

contra el ruido (231) montada en dicho sustrato (21) , en el que dicho grupo de circuitos integrados y dichos 25 electrodos para recibir dichos potenciales fijos están conectados a través de dicha segunda medida contra el ruido.

4. El circuito semiconductor de acuerdo con la reivindicación 3, en el que dicha medida contra el ruido (23) está conectada a dichos patrones para recibir dichos potenciales fijos.

5. El circuito semiconductor de acuerdo con las reivindicaciones 3 o 4, en el que dicha medida contra el ruido (23) y

dicha segunda medida contra el ruido (231) están dispuestas para atenuar la componente de alta frecuencia de un 30 ruido generado por dicho grupo de circuitos integrados (22) .

6. El circuito semiconductor de acuerdo con cualquiera de las reivindicaciones 3 a 5, en el que dicha medida contra el ruido (23) y dicha segunda medida contra el ruido (231) son filtros.

7. El circuito semiconductor de acuerdo con cualquiera de las reivindicaciones 1, 3 y 4, en el que dicho circuito integrado (221) incluye un elemento de conmutación de alta velocidad.

8. Una placa de circuitos semiconductores, que comprende:

un circuito semiconductor (2) de acuerdo con cualquiera de las reivindicaciones anteriores conectado a dicho sustrato de control (1) .


 

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