MODULO SEMICONDUCTOR DE POTENCIA.
Módulo semiconductor de potencia, dotado de un sustrato en forma de plaquita (22),
que sobre una primera superficie principal (24) tiene una capa (26) para la disipación de calor y que en la segunda superficie principal opuesta (28) está dotada de una estructura de pistas conductoras (30) sobre las que están dispuestos los componentes semiconductores de potencia (32) y elementos de conexión (36) para contactos de carga y auxiliares y con un cuerpo envolvente (38) que recubre la segunda superficie principal (28) de los sustratos (22) en forma de plaquita, de manera que el sustrato (22) en forma de plaquita está diseñado con un primer orificio central (54) y el cuerpo envolvente (38) está diseñado con un segundo orificio central (56), cuyos orificios están alineados axialmente entre sí y están dispuestos para insertar a través de los mismos un elemento de fijación (16), teniendo el cuerpo envolvente (38) una superficie de recubrimiento (40) y una pared circundante (42) y la superficie de recubrimiento (40) está dotada de una sección en forma de manguito (58) que limita al segundo orificio central (56), cuya sección hace tope contra la segunda superficie principal (28) del sustrato (22), caracterizado porque la superficie de recubrimiento (40) del cuerpo envolvente (38) está diseñada con un refuerzo mecánico (72) entre la sección en forma de manguito (58) que, limita el segundo orificio central (56) del cuerpo envolvente (38) y la pared circundante (42) del cuerpo envolvente (38) y porque el refuerzo (72) está constituido por nervios (74) que se extienden radialmente hacia afuera desde la sección (58) en forma de manguito que rodea el segundo orificio central (56).
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: SEMIKRON ELEKTRONIK GMBH & CO. KG.
Nacionalidad solicitante: Alemania.
Dirección: SIGMUNDSTRASSE 200,90431 NURNBERG.
Inventor/es: BRUCCHI,FABIO.
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 31 de Enero de 2007.
Fecha Concesión Europea: 30 de Julio de 2008.
Clasificación PCT:
- H01L23/043 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 23/00 Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (H01L 25/00 tiene prioridad). › siendo el contenedor una estructura vacía con una base conductora que sirve de soporte y al mismo tiempo de conexión eléctrica para el cuerpo semiconductor.
Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Países Bajos, Suecia, Mónaco, Portugal, Irlanda, Eslovenia, Finlandia, Rumania, Chipre, Lituania, Letonia, Ex República Yugoslava de Macedonia, Albania.
