PROCEDIMIENTO DE MORDENTADO Y DISPOSITIVO PARA LA LIMPIEZA DE ELEMENTOS SEMICONDUCTORES, EN ESPECIAL DIODOS DE POTENCIA.
SE PROPONE UN PROCESO DE GRABADO DE ATAQUE ACIDO CON CHORRO DE PLASMA PARA LIMPIEZA DE UNIONES P-N EXPUESTAS LATERALMENTE EN COMPONENTES DE SEMICONDUCTOR,
EN PARTICULAR DIODOS (16) DE POTENCIA, DESPUES DE QUE HAN SIDO SOLDADOS LOS CHIPS (18) DE SEMICONDUCTOR RELATIVOS A LOS ELEMENTOS (17,19) DE CONEXION. DE ACUERDO CON LA INVENCION EL PROCEDIMIENTO UTILIZA COMPUESTOS DE FLUOR A SER EMPLEADOS COMO GAS DE GRABADO DE ATAQUE ACIDO.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: ROBERT BOSCH GMBH.
Nacionalidad solicitante: Alemania.
Dirección: POSTFACH 30 02 20,70442 STUTTGART.
Inventor/es: BARTH, STEPHAN-MANUEL.
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 12 de Marzo de 1994.
Fecha Concesión Europea: 7 de Octubre de 1998.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L21/306 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › Tratamiento químico o eléctrico, p. ej. grabación electrolítica (para formar capas aislantes H01L 21/31; postratamiento de capas aislantes H01L 21/3105).
- H01L23/52 H01L […] › H01L 23/00 Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (H01L 25/00 tiene prioridad). › Disposiciones para conducir la corriente eléctrica en el interior del dispositivo durante su funcionamiento, de un componente a otro.
Países PCT: Alemania, España, Francia, Reino Unido, Italia, Oficina Europea de Patentes, Australia, Brasil, Japón, Estados Unidos de América.
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