PROCESO PARA FORMAR UNA PELICULA DEPOSITADA UTILIZANDO UNA DEPOSICION SELECTIVA MEDIANTE HIDRURO DE ALUMINIO ALQUIL.
AL OFRECER UN METODO DE FORMACION DE PELICULA DEPOSITADA EN LA QUE EL ALUMINIO O EL METAL COMPUESTO DE PRINCIPALMENTE ALUMINIO DE BUENA CALIDAD SE DEPOSITA SELECTIVAMENTE DE ACUERDO CON EL METODO CVD QUE UTILIZA UN HYDRIDE DE ALUMINIO ALQUIL E HIDROGENO,
Y LUEGO ALUMINIO PURO O UN METAL COMPUESTO DE EL ES DEPOSITADO NO SELECTIVAMENTE LO QUE HACE POSIBLE FORMAR UNA PELICULA ELECTROCONDUCTORA DE BUENA CALIDAD DENTRO DE PEQUEÑAS ABERTURAS EN UNA CAPA AISLANTE.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: CANON KABUSHIKI KAISHA.
Nacionalidad solicitante: Japón.
Dirección: 30-2, 3-CHOME, SHIMOMARUKO, OHTA-KU,TOKYO.
Inventor/es: MIKOSHIBA, NOBUO, TSUBOUCHI, KAZUO, MASU, KAZUYA.
Fecha de Publicación: .
Fecha Concesión Europea: 1 de Mayo de 1996.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L21/285 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › a partir de un gas o vapor, p. ej. condensación.
- H01L21/3205 H01L 21/00 […] › Depósito de capas no aislantes, p. ej. conductoras o resistivas, sobre capas aislantes; Postratamiento de esas capas (fabricación de electrodos H01L 21/28).
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